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[发明专利]双重图形曝光掩模制造方法及双重图形曝光方法-CN201010240544.7无效
发明人：朴世镇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-07-23 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：一种双重图形曝光掩模制造方法及一种双重图形曝光方法，其中双重图形曝光掩模制造方法包括：提供目标图形，所述目标图形包括第一图形和第二图形，所述第一图形包括至少两个分立的第一子图形，相邻的第一子图形之间具有相同的第一间隙，所述第一图形的第一子图形的特征尺寸小于第二图形的特征尺寸；根据所述第一图形形成第三图形，所述第三图形包括与第一子图形对应的分立的第二子图形；提取第三图形中的偶数位的第二子图形，并保持偶数位的第二子图形位置不变，形成第四图形；将第二图形写入第一掩模版；将第四图形写入第二掩模版。本发明提供的双重图形曝光掩模制造方法简单且分解精度高。
双重图形曝光制造方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202010717894.1有效
发明人：马芳;应广驰;马立飞 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：所述制作方法提供的半导体基底的第一区域形成有自对准双重图形掩模，所述自对准双重图形掩模包括多个氮化物的侧墙，首先对半导体基底进行预处理，以在侧墙表面形成钝化膜，接着在半导体基底表面涂覆光刻胶并进行曝光和显影，形成图形化的光刻胶层，然后对半导体基底进行刻蚀，形成自对准双重图形结构，其中，在曝光和显影过程中，钝化膜用于防止光刻胶层中的光酸与侧墙反应。所述钝化膜可以避免光刻胶层在曝光过程中产生的光酸与侧墙反应，有助于在显影过程中去除侧墙间的光刻胶层，增大了光刻工艺窗口。所述半导体结构包括利用上述制作方法制成的自对准双重图形结构。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]一种双重图形曝光工艺-CN200810039408.4有效
发明人：胡红梅;姚树歆 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2008-06-23 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种双重图形曝光工艺，涉及集成电路工艺技术领域。该工艺使用一种可溶于显影液的填充材料，采用多次涂布和烘烤来实现沟槽的填充，并且依靠多次显影工艺移除表面多余的填充材料。与现有技术相比，本发明提供的利用可显影填充材料的双重图形曝光工艺，提高了光刻胶涂布后硅片的平坦度，减轻了沟槽填充步骤对后续光刻工艺中套刻精度和焦深等带来的不良影响。
一种双重图形曝光工艺

[发明专利]LELE双重图形工艺方法-CN201711002190.0有效
发明人：闫观勇;李亮;陈啸 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明揭示了一种LELE双重图形工艺方法，所述LELE双重图形工艺方法包括：提供用于转印至晶圆的设计图形，所述设计图形包括多个子图形；对所述设计图形进行第一次分解，使得至少两个子图形分解以满足曝光工艺承受能力；对所述设计图形进行第二次分解，使得至少两个子图形分解以改善OPC异常，所述第二次分解后，所述多个子图形分为两组子图形；将每一组子图形分别制作成一个掩膜版；以及分别以获得的掩膜版对所述晶圆进行光刻刻蚀。由此，通过两次分解，既满足了光刻机的曝光承受能力，又避免子图形之间的相互影响而造成的OPC异常，从而进行曝光时，能够改善图形失真的情况，使得光刻图形更贴近设计图形，可以提高光刻质量。
lele 双重图形工艺方法

[发明专利]光掩模修正方法和装置以及布局机器学习模型的训练方法-CN202110557042.5在审
发明人：杨闵丞;邱崇益 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种双重图形曝光的光掩模修正方法、光掩模修正装置与布局机器学习模型的训练方法。双重图形曝光的光掩模修正方法包括以下步骤。获得一光掩模布局目标图。分解光掩模布局目标图为两个光掩模布局子图。
光掩模修正方法装置以及布局机器学习模型训练

[发明专利]一种双重图形拆分冲突的消除方法-CN201410775384.4有效
发明人：胡红梅 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种双重图形拆分冲突的消除方法，通过根据不同结构制定不同类型的规范，根据规范查找相应的结构，找出和标记版图中违反规范的结构，然后根据奇数个标记和相应的结构所组成的密闭区域来确定存在拆分冲突的结构，最后根据存在拆分冲突的结构确定修改方式并修改从而消除拆分冲突，并且重复上述查找、标记和修改过程，最终消除版图中所有存在的拆分冲突，为顺利进行双重图形拆分和后续的双重图形曝光做好准备；并且，本发明的方法可以通过程序代码来控制
一种双重图形拆分冲突消除方法

[发明专利]双重曝光方法-CN201010619489.2无效
发明人：胡红梅 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：根据本发明的双重曝光方法包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上涂布光刻胶材料；在所述光刻胶材料上涂布阻挡层材料；以及在涂布阻挡层材料之后执行双重曝光。根据本发明的双重曝光方法通过引入阻挡层材料，以降低现有的双重曝光技术中光刻胶在两次曝光之间的记忆，从而减少第二次曝光对第一次曝光光刻胶材料的影响；并且，根据本发明的双重曝光方法减少了双重图形技术的刻蚀等工艺步骤
双重曝光方法

[发明专利]曝光方法-CN201310222163.X有效
发明人：倪百兵;曹轶宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种曝光方法，所述曝光方法包括：提供待曝光图案，所述待曝光图案具有若干图形，且所述待曝光图案具有两种不同间距的所述图形；提供伪辅助图案，所述伪辅助图案包括若干数量的辅助图形，相邻辅助图形的间距相同；获取所述辅助图形的宽度和相邻辅助图形的间距；当所述相邻图形的间距大于或等于临界尺寸时，确定所述相邻图形之间的区域为填充区，所述填充区边缘的图形为孤立图形；在所述待曝光图案的填充区内填充所述辅助图案，形成伪待曝光图形；根据所述伪待曝光图形形成第一图形和第二图形，所述第一图形和第二图形分别作为双重图形化曝光的两套掩膜图形。所述曝光方法可以提高刻蚀图形的准确性。
曝光方法

[发明专利]一种图像双重曝光融合方法及装置-CN201610793954.1有效
发明人：张勇;夏石川 -专利权人：北京贝塔科技股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G06T5/50 文献下载
摘要：本申请提供了一种图像双重曝光融合方法及装置，图像双重曝光融合方法包括：对原始人脸图像进行人脸控制点识别，得到人脸区域图；对人脸区域图进行亮度填充，得到人脸权重图；对人脸权重图和原始人脸图像的单通道图像进行权重融合，得到融合权重图；对原始人脸图像和原始背景图像进行柔光处理，得到柔光处理图，并对原始人脸图像和原始背景图像进行滤色处理，得到滤色处理图；对柔光处理图和滤色处理图进行融合处理，得到待融合图像；按照融合权重图对原始人脸图像和待融合图像进行融合处理，得到双重曝光融合图像。在本申请中，通过以上方式使人脸图像在双重曝光融合图像中的双重曝光效果更佳，从而使双重曝光融合图像更加自然。
一种图像双重曝光融合方法装置

[发明专利]多重图形及半导体器件的制造方法-CN201710548172.6有效
发明人：王士京 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种多重图形及半导体器件的制造方法，通过一次光刻刻蚀工艺刻蚀硬掩膜层形成第一图形，然后通过原位自生工艺和选择性去除工艺，可以在所述第一图形的基础上形成多重图形，由此省略了现有的双重曝光技术中的第二次光刻刻蚀工艺，从而可以将第二次光刻刻蚀工艺的成本节约下来，并避免第二次光刻刻蚀工艺造成的图形缺陷以及返工问题，最终制造出更小线宽的半导体器件。
多重图形半导体器件制造方法

[发明专利]含无机物的有机抗反射层做双重图形硬掩模的工艺方法-CN201611269995.7有效
发明人：姚树歆;周炜捷 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种含无机物的有机抗反射层做双重图形硬掩模的工艺方法，包括提供一个半导体衬底，在半导体衬底上淀积双重图形第二硬掩膜层；在双重图形第二硬掩膜层上覆盖一层含硅的有机硬掩膜层作为双重图形第一硬掩膜层；在双重图形第一硬掩膜层上覆盖一层含碳的有机平坦化层；在有机平坦化层覆盖一层抗反射层；在抗反射层上覆盖一层形成光刻胶层；采用非含氮刻蚀剂进行双重图形的刻蚀工艺。
无机物有机反射层双重图形硬掩模工艺方法

[发明专利]后段制程中双重图形化方法-CN201210150780.9有效
发明人：符雅丽;王新鹏;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种后段制程中双重图形化方法，包括：在半导体衬底上依次形成介质层和硬掩膜层；形成第一图案化的光刻胶，第一图案化的光刻胶所曝光的图案包括若干规则排列的转角图案；刻蚀所述硬掩膜层以形成第一沟槽；形成第二图案化的光刻胶，第二图案化的光刻胶所曝光的图案包括若干规则排列的直线图案；刻蚀所述硬掩膜层以形成第二沟槽；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述介质层，形成互连金属线沟槽；在所述互连金属线沟槽中填充形成互连金属线。本发明后段制程中双重图形化方法更易于进行对准误差尺寸，从而能够在具有转角图案的后段工艺制程中提高了对准精度。
后段制程中双重图形方法

[发明专利]双重图形化电学测试结构及监控方法-CN201410686757.0有效
发明人：卢意飞 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种双重图形化电学测试结构及监控方法，其包括上金属层，下金属层，以及连接于所述上、下金属层的通孔结构；通孔结构位于上金属层和下金属层的重叠区域。上金属层和/或下金属层具有双重图形化拆分图形层，双重图形化拆分图形层具有拼接重叠区；拼接重叠区位于上金属层和下金属层的重叠区域中，且与通孔结构的顶部和/或底部相连接。对该组电学测试结构进行电学测试，可以得到对应通孔结构的电阻值，从而可以确定拼接重叠量的合理范围，该拼接重叠量的合理范围可以指导在双重图形化拆分过程中的拆分情况，使其建立更为合理的拆分规则，从而监控金属层双重图形化拆分过程中形成的拼接区对与之相连的通孔电阻的影响
双重图形电学测试结构监控方法

[发明专利]四重图形的制作方法-CN201910849748.1在审
发明人：王科;曾伟雄;李天慧;于星 -专利权人：芯恩（青岛）集成电路有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G03F7/32 文献下载
摘要：本发明提供一种四重图形的制作方法，其主要采用正性光刻胶的负性显影方法，通过进行若干次的正胶曝光‑负性显影以及表成像技术，在基底上制作出四重图形，然后通过刻蚀将四重图形转移至硬掩膜中。另外，本发明通过正性光刻胶的曝光及负显影方法制作图形，可有效提高的图形精度，为图形特征尺寸的微缩提供有效的保证。
图形制作方法

[发明专利]一种检查双重图形制造约束的方法-CN201911226691.6有效
发明人：马坤;周汉斌;傅静静;陈彬 -专利权人：北京华大九天科技股份有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：一种检查双重图形制造约束的方法，包括以下步骤：1）对图形建立邻接矩阵图模型；2）定义所述图形的路径约束要求；3）定义所述图形奇偶性；4）基于所述图形的奇偶性和所述路径约束要求，对所述邻接矩阵图模型进行路径遍历；5）对违反所述路径约束要求的图形进行汇总分类。本发明的一种检查双重图形制造约束的方法，能够有效降低双重图形制造约束发生的概率，从而保证标准单元设计的正确性。
一种检查双重图形制造约束方法

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