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[发明专利]压电薄膜片和压电薄膜传感器-CN202111065213.9在审
发明人：宋细彬 -专利权人：深圳市真元天成科技有限公司
申请日： 2021-09-11 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L41/113 文献下载
摘要：本发明涉及传感器技术，公开了一种压电薄膜片和压电薄膜传感器，主要解决传统的压电薄膜制成的压电薄膜传感器无法灵敏地检测通过空气传播的音波强度的问题。压电薄膜片包括压电薄膜层，压电薄膜层沿其纵向极化，压电薄膜片还包括覆盖在压电薄膜层上表面的正电极层和覆盖在压电薄膜层下表面的负电极层，压电薄膜层中具有若干空腔，各空腔沿压电薄膜层横向紧密排列在压电薄膜层中应用本发明提供的压电薄膜传感器检测压力时，当音波传递到压电薄膜片上时，压电薄膜层内紧密排列的空腔产生腔体振动变形并作用于腔壁上，能够产生比传统压电薄膜更强的压电效应，从而提高对通过空气传播的音波的检测灵敏度
压电薄膜传感器

[实用新型]压电薄膜片和压电薄膜传感器-CN202122195441.X有效
发明人：宋细彬 -专利权人：深圳市真元天成科技有限公司
申请日： 2021-09-11 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L41/113 文献下载
摘要：本发明涉及传感器技术，公开了一种压电薄膜片和压电薄膜传感器，主要解决传统的压电薄膜制成的压电薄膜传感器无法灵敏地检测通过空气传播的音波强度的问题。压电薄膜片包括压电薄膜层，压电薄膜层沿其纵向极化，压电薄膜片还包括覆盖在压电薄膜层上表面的正电极层和覆盖在压电薄膜层下表面的负电极层，压电薄膜层中具有若干空腔，各空腔沿压电薄膜层横向紧密排列在压电薄膜层中应用本发明提供的压电薄膜传感器检测压力时，当音波传递到压电薄膜片上时，压电薄膜层内紧密排列的空腔产生腔体振动变形并作用于腔壁上，能够产生比传统压电薄膜更强的压电效应，从而提高对通过空气传播的音波的检测灵敏度
压电薄膜传感器

[实用新型]一种带斜埋压电薄膜传感器的称重装置-CN201721883680.1有效
发明人：邵可杰 -专利权人：北京替帝西交通科技有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： G01G19/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带斜埋压电薄膜传感器的称重装置，包括第一压电薄膜传感器、地感线圈、第二压电薄膜传感器、第三压电薄膜传感器、斜埋压电薄膜传感器、称重控制器和车道，所述第一压电薄膜传感器、地感线圈、第二压电薄膜传感器、第三压电薄膜传感器和埋压电薄膜传感器相依顺序埋设于所述车道地底下，所述地感线圈设置于所述第一压电薄膜传感器和第二压电薄膜传感器之间，所述斜埋压电薄膜传感器设置于所述第三压电薄膜传感器后面，所述第一压电薄膜传感器、地感线圈、第二压电薄膜传感器、第三压电薄膜传感器和斜埋压电薄膜传感器与所述称重控制器通过线缆相连接。本实用新型采用斜埋电薄膜传感，准确校准偏移位置的车辆实际重量。
压电薄膜传感器地感线圈本实用新型称重控制器称重装置车道偏移位置电薄膜传感线缆校准埋设

[发明专利]一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法-CN201710339899.3有效
发明人：欧黎;徐阳;江洪敏;司美菊;姜华男;张永川;马晋毅;龙飞;杜波;蒋欣;金成飞;田本朗 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：本发明提供一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法，该压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜包括底电极以及位于底电极上的压电薄膜，底电极采用WSi材料制成，压电薄膜采用AlN材料制成。本发明通过采用WSi材料制成底电极，设置于AlN压电薄膜下，可以提高压电薄膜的c轴取向，降低应力，满足压电薄膜换能器用复合薄膜材料的要求，由此本发明提供的复合薄膜材料结构单元(即WSiAlN薄膜)可以作为压电薄膜换能器中新型的薄膜材料结构单元使用
一种压电薄膜器用 wsialn 及其制备方法

[发明专利]压电薄膜的极化方法-CN202011102910.2在审
发明人：李志勇;江鸿展;蔡柏帆;陈安禄;薛義信;陈志恩 -专利权人：馗鼎奈米科技（深圳）有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L41/257 文献下载
摘要：一种压电薄膜的极化方法。在此方法中，将压电薄膜平贴在导电基材的表面。进行第一除泡处理，以去除压电薄膜与导电基材的表面之间的气泡。于进行第一除泡处理后，对压电薄膜进行极化制程。在压电薄膜极化前先进行除泡处理，因此于极化压电薄膜时，可提高压电薄膜的表面的平整性，并可避免压电薄膜被击穿，还可提高压电薄膜的极化均匀性，进而可大幅提升压电薄膜的极化品质与良率。
压电薄膜极化方法

[实用新型]压电薄膜测试设备-CN201921651840.9有效
发明人：黄锦钊;章哲宇;牛洋洋 -专利权人：深圳数联天下智能科技有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： G01L27/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及压电薄膜技术领域，公开了一种压电薄膜测试设备。该设备包括：测试台，具有承载面，所述承载面用于承载叠设的被测压电薄膜和基准压电薄膜；滚轮，位于所述承载面上，并位于所述被测压电薄膜和所述基准压电薄膜上方且抵接于其中一压电薄膜；驱动装置，与滚轮连接，用于驱动所述滚轮在所述承载面上移动，以使所述滚轮滚压于所述被测压电薄膜和所述基准压电薄膜；以及测试装置，用于与所述被测压电薄膜和所述基准压电薄膜电连接，以接收所述被测压电薄膜和所述基准压电薄膜产生的电信号。
压电薄膜测试设备

[发明专利]一种滤波器薄膜衬底及其制备方法-CN202210105227.7在审
发明人：欧欣;李忠旭;黄凯 -专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种滤波器薄膜衬底及其制备方法。所述方法包括：S100:提供支撑衬底；S200:在所述支撑衬底的一侧表面上预设厚度的压电薄膜；S300:对所述压电薄膜进行热处理，将所述压电薄膜加热至居里温度以上，保温第一预设时间；在所述热处理的过程中对所述压电薄膜施加预设电压；S400:在所述压电薄膜上施加能量脉冲，以将所述压电薄膜转变为目标压电层，得到所述薄膜衬底，所述目标压电层为择优取向的多晶压电薄膜。本申请实现了极化取向随机排布的多晶压电薄膜向择优取向的高质量多晶压电薄膜的转变，以及非晶压电薄膜向多晶压电薄膜的转变，提高了压电薄膜的材料质量，有利于制备高频和高性能的体声波器件。
一种滤波器薄膜衬底及其制备方法

[发明专利]压电薄膜元件-CN201680046465.8在审
发明人：彼得·马迪洛维奇;苏珊·特罗利尔-麦金斯特里;萨布拉曼尼安·西瓦拉马克里什南 -专利权人：萨尔技术有限公司
申请日： 2016-06-10 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L41/04 文献下载
摘要：公开了一种压电薄膜元件(20)，包括第一电极(22)、第二电极(23)以及在其之间的一个或更多个压电薄膜，其特征在于，薄膜元件具有下列各项中的至少两项电极布置，其中，电极与这一个或更多个压电薄膜一起布置，以便当压电薄膜元件被致动时，施加到邻近第一电极的压电薄膜或压电薄膜的一部分的电场低于施加到相距第一电极更远的压电薄膜或压电薄膜的一部分的电场；邻近第一电极的压电薄膜，其中，所述第一电极附近的所述压电薄膜的层具有的压电位移常数比相距所述第一电极更远的所述压电薄膜的层的压电位移常数更低；以及邻近第一电极的压电薄膜，其中，所述第一电极附近的所述压电薄膜的层具有的弹性模量比相距所述第一电极更远的所述压电薄膜的层的弹性模量更低。
压电薄膜元件

[发明专利]压电薄膜检测装置和压电薄膜传感器-CN201810271729.0有效
发明人：冯玉林;宋玉明;陈进 -专利权人：泰科电子（上海）有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明公开一种压电薄膜检测装置和一种压电薄膜传感器。所述压电薄膜检测装置包括压电薄膜传感器，所述压电薄膜传感器适于贴装在触摸面板上，用于检测施加在所述触摸面板上的敲击事件。所述压电薄膜传感器包括多个压电薄膜并限定一个内部区域；所述压电薄膜检测装置还包括位置判断装置，所述位置判断装置适于根据所述多个压电薄膜输出的检测信号判断所述敲击事件的发生位置是否在所述压电薄膜传感器的内部区域中
压电薄膜检测装置传感器

[发明专利]压电薄膜及其制备方法和压电薄膜传感器-CN201911029090.6有效
发明人：丁欢;李韦坤;马梦竹 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N30/098 文献下载
摘要：本发明涉及一种压电薄膜及其制备方法和压电薄膜传感器。上述压电薄膜的制备方法包括如下步骤：将含有压电聚合物和溶剂的溶液在基底上涂布，得到薄膜，其中，压电聚合物为偏氟乙烯与三氟乙烯的共聚物；将薄膜在122℃～133℃下进行退火处理，得到压电薄膜。上述压电薄膜的制备方法能够得到压电性能好且柔韧性较好的压电薄膜。
压电薄膜及其制备方法传感器

[发明专利]压电薄膜及压电传感器-CN201880075197.1在审
发明人：矢野孝伸;米泽秀行;梨木智刚 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L41/193 文献下载
摘要：本发明的压电薄膜(10)为在基材薄膜(12)上层叠有具有压电性的涂布层(14)的薄膜状的压电薄膜。另外，压电传感器(16)在压电薄膜(10)形成有透明电极(18)、(20)。压电传感器(16)借助透明填充层(22)安装于显示器(24)。对于本发明的压电薄膜，调节基材薄膜的材料、压电层的厚度以使20℃～80℃的储能模量变化为±30％以下。由此，提供能够在温度变化大的环境下使用的压电薄膜及具备该压电薄膜的压电传感器。
压电薄膜传感器

[发明专利]一种控制压电薄膜连接器脱离屈曲的方法-CN202010504890.5有效
发明人：付志鹏;秦强;丛琳华;魏广平;陈宏;张仡 -专利权人：中国飞机强度研究所
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请提供一种控制压电薄膜连接器脱离屈曲的方法，方法包括：根据压电薄膜连接器的整体结构，分别建立初始状态力学模型和屈曲状态力学模型；根据屈曲状态力学模型建立脱离屈曲的边界条件；基于压电薄膜的力‑电耦合控制方程和脱离屈曲边界条件，建立压电薄膜的挠度模型和诱导电势模型；得到压电薄膜的电势；根据压电薄膜的电势计算得到电场强度、薄膜力、剪力及薄膜应变和弯曲应变；计算得到压电薄膜的电焓密度；根据压电薄膜的电焓密度得到压电薄膜脱离屈曲状态下的总电焓；基于最小能量原理得到屈曲幅值、压电薄膜材料特性参数及基体预应变的关系表达式；结合压电薄膜脱离屈曲的物理意义，得到压电薄膜脱离屈曲的临界应变。
一种控制压电薄膜连接器脱离屈曲方法

[实用新型]一种压电薄膜结构-CN202222612825.1有效
发明人：尤晖;刘亚平;吴严严;卓能聪;石城宇;吴耀光;蒙丹;黄为良;张丽文;阮瑞成 -专利权人：广西大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及压电薄膜技术领域，具体公开了一种压电薄膜结构，包括PVDF压电薄膜，所述PVDF压电薄膜上表面镀有PEDOT：PSS薄膜，所述PEDOT：PSS薄膜的上表面设置有正电极层，所述正电极层上表面设置上保护层，所述上保护层上表面设有弹性缓冲层，所述PVDF压电薄膜下表面设置有负电极层，所述负电极层下表面设有下保护层。本实用新型的压电薄膜结构中，通过PVDF压电薄膜和PEDOT：PSS薄膜复合能够增强压电薄膜的压电效应，提高检测灵敏度；通过保护层有效保护电极和压电薄膜，降低外部环境对压电薄膜结构的干扰；设置弹性缓冲层用于缓冲车辆对压电薄膜结构造成的冲击
一种压电薄膜结构

[发明专利]一种压电薄膜极化情况的检测方法及超声波指纹模组-CN202210701299.8在审
发明人：向远方;庄集德 -专利权人：江西欧迈斯微电子有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01D5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电薄膜极化情况的检测方法及超声波指纹模组，该检测方法包括：提供极化后的压电薄膜；对压电薄膜进行XRD检测，以获取压电薄膜的实际晶粒尺寸；比较实际晶粒尺寸与预设晶粒尺寸之间的大小，若实际晶粒尺寸大于或等于预设晶粒尺寸，则压电薄膜极化成功，若实际晶粒尺寸小于预设晶粒尺寸，则压电薄膜极化失败；若实际晶粒尺寸小于预设晶粒尺寸，则将极化失败的压电薄膜重新极化。本申请能够在压电薄膜是否极化成功的检测中，无需接触压电薄膜，从而避免压电薄膜表面受损。
一种压电薄膜极化情况检测方法超声波指纹模组

[发明专利]压电复合薄膜及其制备方法-CN201911016607.8在审
发明人：李真宇;胡文;张秀全;罗具廷 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：公开了一种压电复合薄膜及其制备方法，所述方法包括：准备预压电复合薄膜，预压电复合薄膜包括顺序堆叠的衬底、隔离层和压电晶体薄膜层；对压电晶体薄膜层执行离子注入工艺，其中，注入离子穿过压电晶体薄膜层并停留在隔离层中，以使压电晶体薄膜层的注入离子所穿过的区域的极化方向反转；以及在注入离子工艺之后对预压电复合薄膜执行退火工艺，以获得压电复合薄膜。
压电复合薄膜及其制备方法

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