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[实用新型]用于单晶炉的同步旋转提升装置-CN201120243903.4有效
发明人：房志刚 -专利权人：常州江南电力光伏科技有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶炉技术领域，具体涉及一种用于单晶炉的同步旋转提升装置，包括炉体，所述炉体上部设置有能够旋转的上提升杆，上提升杆的上端部为螺纹杆、下端位于炉体内，以及设置在炉体上部驱动提升杆转动的驱动装置；在炉体下部设置有能够旋转的同步上升杆，同步上升杆的上端位于炉体内、下端部为螺纹杆，在炉体的下部设置有驱动同步上升杆转动的驱动机构；还包括控制驱动装置、驱动电机工作的控制器。在单晶硅生产过程中，上提升杆上升并由其下端对单晶硅进行提升，在上提升杆上升的同时，控制器会通过控制第二伺服电机驱动同步上升杆同步上升，从而保证坩埚内的融化物，满足长晶的需求，不会出现断晶的现象，保证单晶硅的生长质量
用于单晶炉同步旋转提升装置

[实用新型]单晶炉-CN201520551692.9有效
发明人：张永波;陈彪;黄修康;薛抗美 -专利权人：江苏协鑫软控设备科技发展有限公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种单晶炉，该单晶炉包括：主炉体；副炉体，装配在所述主炉体的上部；支撑柱，位于所述主炉体与所述副炉体的一侧；连接机构用以连接所述支撑柱与所述副炉体，其中，该连接机构包括旋转轴与连接板，所述旋转轴固定在所述支撑柱的侧壁，所述连接板与副炉体固定连接，与支撑柱转动连接，还包括旋转驱动机构，连接所述连接板，所述旋转驱动机构可驱动连接板带动所述副炉体以垂直于所述旋转轴的轴线方向转动。这样，单晶炉由于旋转驱动机构的存在，工作人员可通过控制旋转驱动机构推动连接板带动副炉体转动，替代了传统意义上要通过人力推动副炉体转动，这样降低了人力的成本，提高了生产效率。
单晶炉

[发明专利]一种适用于通过铸锭方法生产单晶硅锭的铸锭炉-CN201210198020.5有效
发明人：甘大源;陈文杰;刘坤 -专利权人：甘大源
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于通过铸锭方法生产单晶硅锭的铸锭炉，包括炉体、所述炉体内的硅熔融锅，所述炉体上方设置旋转丝杆伸入所述硅熔融锅内，所述旋转丝杆底部安装仔晶，所述旋转丝杆上设置距离传感装置，传感所述旋转丝杆底部到所述硅熔融锅内熔融硅液面的距离本发明的优点是在铸锭炉内生产出单晶硅锭和类单晶硅锭，仅需要一块仔晶，无需在铸锭炉底部铺设仔晶，制得的产品主要为单晶硅锭，只有边缘为类单晶硅锭，制作成电池片的转换效率较高，综合成本低于通过直拉法制作的单晶硅锭和通过铸锭的方式生产的多晶硅锭
一种适用于通过铸锭方法生产单晶硅

[实用新型]一种单晶炉炉盖防爆及引流装置-CN202222345543.X有效
发明人：陈辉;常晓鱼;黄鸣 -专利权人：北京北方华创真空技术有限公司
申请日： 2022-09-03 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种单晶炉炉盖防爆及引流装置,涉及单晶炉防爆的技术领域，一种单晶炉炉盖防爆及引流装置，包括引流罩，所述引流罩安装于炉盖上，所述炉盖上开设有防爆口，所述引流罩用于覆盖开设于炉盖上的所述防爆口；当单晶炉由于漏硅出现炉内气体量剧增时，炉内压力增加能够将盖住防爆口的翻板顶起使气流从炉内流出，以此给炉体内部泄压，减少炉内由于压力瞬间升高使材料从顶部喷出甚至炉体爆炸的情况发生，提高单晶炉使用过程中的安全性
一种单晶炉炉盖防爆引流装置

[实用新型]一种单晶炉CUSP磁场零磁面和磁场强度的测量装置-CN202222633719.1有效
发明人：孔凯斌;侯明超;周宏邦;王彦君;孙晨光;王淼;娄中士;贾海洋;张强 -专利权人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶炉CUSP磁场零磁面和磁场强度的测量装置，可设置在单晶炉体上端面上方，包括支撑组件和标尺杆，所述支撑组件设置在所述单晶炉体上端面上，所述标尺杆竖直设置与所述支撑组件活动连接，所述标尺杆可上下移动且可沿所述单晶炉体上端面径向移动本实用新型的有益效果是实现了单晶炉CUSP磁场零磁面的精确定位以及零磁面上磁场强度的准确测量，提高了测量精度，保证了拉制单晶工艺的实现，有利于提升单晶品质，结构简单操作便捷。
一种单晶炉 cusp 磁场零磁面磁场强度测量装置

[实用新型]用于单晶炉的加热器组件和单晶炉-CN202022408792.X有效
发明人：黄末 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于单晶炉的加热器组件和单晶炉，单晶炉包括炉体，加热器组件适于设在炉体内，加热器组件包括第一加热器和电极柱，第一加热器包括加热器本体和电极脚，电极脚和加热器本体电连接，电极脚上形成有安装孔根据本实用新型的用于单晶炉的加热器组件，结构简单，组装方便。
用于单晶炉加热器组件

[发明专利]一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法-CN201310043657.1有效
发明人：邓惠勇;郭建华;邱锋;孙艳;刘从峰;俞国林;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法，该装置包括管式炉体、石英安瓿与石墨舟：炉体包括合成炉、缓冲炉、斜面炉与镉源炉，炉体内放置有石英安瓿，石英安瓿中放置有石墨舟。采用该装置垂直提拉碲锌镉单晶的一般步骤是：将高纯碲、锌、镉原料按合成比例均匀放置于石墨舟内，将少许镉放入石英安瓿底部，再将石墨舟缓缓放入石英安瓿的挡板上，抽真空封管后，将石英安瓿放入管式炉体，使得石墨舟位于合成炉中间，控制条件合成多晶料后，接着控制炉体的温度分布，并缓缓向上移动炉体至结晶完毕，即可提拉生长出碲锌镉单晶体。本发明的优点是：碲锌镉多晶料无须使用另外的摇摆炉合成；获得的晶锭组分均匀、孪晶少、碲沉淀或夹杂少。
一种垂直生长碲锌镉单晶装置方法

[实用新型]一种准单晶铸锭炉下炉体支撑防护机构-CN201821368526.5有效
发明人：华焱 -专利权人：常州四杰机械科技有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶炉技术领域，具体涉及一种准单晶铸锭炉下炉体支撑防护机构。该准单晶铸锭炉下炉体支撑防护机构，包括下炉底外壳、支撑座和支撑柱，所述下炉底外壳内装配水冷盘的支撑座和用于支撑DS块的各支撑柱分别置于下炉底外壳底部的防护套座内，下炉底外壳底部和防护套座内分别铺设填充有溢流棉其有益效果是：结构简单，使用方便，防护套座对溢流至下炉底外壳底部硅液起到防护作用，避免溢流液对下炉底外壳内底部的各支撑装配件造成腐蚀，且下炉底外壳铺设的溢流棉能够防止溢流液对炉体底部造成污染。
下炉防护机构防护套下炉体铸锭炉准单晶溢流支撑溢流液支撑柱支撑座铺设本实用新型支撑装配件防护作用单晶炉水冷盘硅液炉体填充装配腐蚀污染

[发明专利]一种热场稳定的单晶炉-CN201910751829.8在审
发明人：胡正阳 -专利权人：胡正阳
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及光伏设备技术领域，且公开了一种热场稳定的单晶炉，包括炉体，所述炉体的顶部固定安装有上炉，所述炉体内腔的底面固定安装有籽晶杆固定装置，籽晶杆固定装置的底部固定安装有籽晶杆，炉体内腔的底部活动套装有轴杆本发明单晶炉因为隔离套与炉体内壁之间形成倾斜锐角，实现了对环形磁铁的位置自动调整至单晶炉的中心处，保证了籽晶杆始终处于石英坩埚的轴心处，增加了单晶硅柱提纯的质量，而向下作用力将增加保温罩对石英沙层的作用力，从根本上增加了保温罩的稳定性，保证了保温罩不会偏移，增加了热场的稳定，保证了单晶硅柱提纯的稳定性。
单晶炉籽晶杆保温罩热场单晶硅固定装置炉体内腔柱提纯炉体轴杆轴座位置自动调整向下作用力导温容器底部活动光伏设备环形磁铁炉体内壁倾斜锐角石英沙层石英坩埚隔离套中心处轴心处偏移保证底面上炉

[发明专利]一种拉晶炉及单晶硅棒的制备方法-CN201911219643.4有效
发明人：杨帅军;蒲以松 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种拉晶炉及单晶硅棒的制备方法，拉晶炉包括炉体，炉体内设置有坩埚，炉体的内壁和坩埚的外周之间设置有坩埚加热器，炉体的顶部开设有提拉开口，用于提供单晶硅棒的提拉通道，拉晶炉还包括：环形保温盖，环形保温盖水平设置于坩埚加热器上方并与炉体的内壁固定，环形保温盖的环口与提拉开口正对；导流筒，导流筒的第一端搭接于环形保温盖的内沿，第二端延伸至坩埚内，导流筒的第二端的口径大于单晶硅棒的直径；筒形加热器，筒形加热器竖向设置于环形保温盖的环口与提拉开口之间根据本发明实施例的拉晶炉，可以对单晶硅棒的一定区域进行加热，并且不影响通入的惰性气体对其他区域的冷却作用，有效提高了单晶硅棒的生长质量。
一种拉晶炉单晶硅制备方法

[发明专利]生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统及其控制方法-CN202010953790.0有效
发明人：解永强;张红梅;柳森娟;徐海涛;王宏杰;杨晓东 -专利权人：西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统及其控制方法，解决了如何完成碲化汞晶体生长的问题。包括单晶炉支架（33）、真空泵（36）、充氩气装置、循环水冷装置（37）、电控柜（34）和驱动轴升降驱动装置（38），在单晶炉支架（33）上，分别设置有下炉体（1）和上炉体（3），在下炉体（1）的炉底板中央处，设置有驱动轴伸出孔（24），在驱动轴伸出孔中设置有驱动轴（23），在伸入到炉体内腔中的驱动轴（23）的顶端设置有石英坩埚（16），在石英坩埚中放置有装有碲化汞粉末状材料的密闭石英管（17），设置在炉体外的驱动轴的下端与驱动轴升降驱动装置
生长碲化汞晶体真空高压单晶炉系统及其控制方法

[实用新型]生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统-CN202021984651.6有效
发明人：解永强;张红梅;柳森娟;徐海涛;王宏杰 -专利权人：西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长碲化汞晶体的真空高压单晶炉系统，解决了如何完成碲化汞晶体生长的问题。包括单晶炉支架（33）、真空泵（36）、充氩气装置、循环水冷装置（37）、电控柜（34）和驱动轴升降驱动装置（38），在单晶炉支架（33）上，分别设置有下炉体（1）和上炉体（3），在下炉体（1）的炉底板中央处，设置有驱动轴伸出孔（24），在驱动轴伸出孔中设置有驱动轴（23），在伸入到炉体内腔中的驱动轴（23）的顶端设置有石英坩埚（16），在石英坩埚中放置有装有碲化汞粉末状材料的密闭石英管（17），设置在炉体外的驱动轴的下端与驱动轴升降驱动装置
生长碲化汞晶体真空高压单晶炉系统

[实用新型]类单晶生长铸锭炉-CN202021130507.6有效
发明人：王全志 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种类单晶生长铸锭炉，包括炉体、支撑台、加热装置和均温件。支撑台用于支撑炉体，加热装置用于对支撑台加热，热量通过支撑台传递至炉体，均温件与支撑台和炉体中的至少一个连接，以用于将温度均匀传递到炉体的温度。根据本实用新型的类单晶生长铸锭炉，通过在支撑台和炉体中的至少一个上设置均温件，由此可以使温度在多个方向传递，使炉体底部的温场更加均匀，从而可以避免因炉体底部的局部区域温度过高而导致单晶生长过程中出现位错
类单晶生长铸锭

[实用新型]一种单晶炉坩埚轴对中装置-CN202221105487.6有效
发明人：汪沛渊;许堃;吴超慧 -专利权人：宇泽半导体（云南）有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉坩埚轴对中装置，包括炉体，炉体的内部中间设置有对中杆，对中杆外套设有对中圆盘，炉体的底部中间开设有中轴孔，中轴孔的底部设置有坩埚轴，对中圆盘包括主体环，主体环的底部一体成型安装有凸环该单晶炉坩埚轴对中装置中，通过将对中杆插入坩埚轴中，继而将对中圆盘插入对中杆中，下降对中圆盘，直到中轴孔中，快速进行单晶炉坩埚轴的对中，减少对中时间，提高单晶炉设备稼动率。
一种单晶炉坩埚装置

[实用新型]一种光伏单晶炉的安全保护装置-CN202222516940.9有效
发明人：李方;李小峰;曹玉宝;李军;孔德东;王建波 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本实用新型属于光伏单晶技术领域，提供了一种光伏单晶炉的安全保护装置，包括单晶炉炉体，单晶炉炉体下方设有水冷屏，水冷屏的下沿连接导电金属件，导电金属件下端穿过并突出于导流筒底面。当出现异常，高温硅液接触到导电金属件的时候，水冷屏和单晶炉之间的电压信号，会有变化，利用这个原理，将这个变化信号转成24V电压信号，然后输出给PLC模块，PLC模块接到这个信号，使硅液停止继续上升并下降
一种光伏单晶炉安全保护装置