“单晶太阳电池”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1498980个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发电、LED照明双用聚光太阳电池组件-CN200810045063.3在审
发明人：黄忠;李向阳 -专利权人：成都钟顺科技发展有限公司
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发电、LED照明双用聚光太阳电池组件，它包括LED，单晶硅太阳电池片，用于固定单晶硅太阳电池片的铝基板，菲涅尔透镜，以及用于保护单晶硅太阳电池片的铝合金边框。每个单晶硅太阳电池片均连接有旁路二极管，按一定规律阵列式地排布，并用硅胶粘贴在铝基板上。单晶硅太阳电池片与连接条焊接，通过连接条与其它的单晶硅太阳电池片形成一定串、并联关系。铝基板、单晶硅太阳电池片、EVA、TPT复合膜和玻璃层压后形成层压件，在层压件上方安放有菲涅尔透镜阵列，与单晶硅太阳电池片一一对应。层压件与菲涅尔透镜之间布置有若干个LED。本发明是一种特别适用于道路照明、城市灯光美化的太阳电池组件。
发电 led 照明聚光太阳电池组件

[发明专利]基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法-CN201910774690.9有效
发明人：张延清;齐春华;刘超铭;王天琦;马国亮;陈肇宇;王新胜;霍明学 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，属于太阳电池微电子技术领域。本发明针对现有太阳电池由于空间带电粒子的辐照会产生辐照缺陷，进而造成太阳电池I‑V特性退化的问题。它根据原单晶Si太阳电池的结构参数，确定离子的欲注入位置，并根据欲注入位置模拟确定离子的能量和射程；然后模拟离子注入过程中的目标I‑V变化曲线，当目标I‑V变化曲线的变化量小于原单晶Si太阳电池I‑V变化曲线的10％时，记录离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原单晶Si太阳电池进行离子注入并进行退火处理，实现对原单晶Si太阳电池的抗位移辐照加固。本发明用于单晶Si太阳电池的加固。
基于衬底深层离子注入 si 太阳电池位移辐照方法

[发明专利]MXene互联层的钙钛矿/Si两端机械叠层太阳电池及其制备方法-CN202210621968.0在审
发明人：朱卫东;巴延双;张春福;陈大正;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L31/043 文献下载
摘要：本发明公开了一种MXene互联层的钙钛矿/Si两端机械叠层太阳电池及其制备方法，包括：钙钛矿太阳电池、单晶硅太阳电池和MXene互联层；钙钛矿太阳电池包括自下而上分布的ITO衬底、SnOx传输缓冲层、IZO导电层和Ag电极，ITO衬底的第一表面包括阴极；互联层位于Ag电极远离ITO衬底的一侧，单晶硅太阳电池位于互联层远离ITO衬底的一侧，且单晶硅太阳电池包括阳极。本发明以机械堆叠的方式实现钙钛矿顶电池与Si底电池大的电学互联与光学耦合，减少了单晶硅太阳电池的效率损伤，有利于提高叠层电池的效率。此外，采用MXene材料作为互联层，使得单晶硅太阳电池与钙钛矿太阳电池键合更紧密，降低了叠层电池的光学、电学寄生损失。
mxene 互联层钙钛矿 si 两端机械太阳电池及其制备方法

[实用新型]单晶硅太阳电池微电机风扇凉帽-CN93200611.6无效
发明人：蒋金木 -专利权人：北京市太阳能研究所
申请日： 1993-01-18 - 公布日： 1993-09-15 - 主分类号： A42B1/24 文献下载
摘要：一种单晶硅太阳电池微电机风扇凉帽，它是在普通凉帽的顶部装有单晶硅太阳电池板，在帽檐上开有窗口，窗口上装有微电机风扇，微电机与太阳电池联接。在阳光照射下太阳电池产生电流，驱动电风扇转动，产生轻风吹到脸部。
单晶硅太阳电池微电机风扇凉帽

[发明专利]带有电荷埋层的太阳电池的制备方法-CN201010213229.5有效
发明人：丁建宁;袁宁一 -专利权人：常州大学
申请日： 2010-06-29 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶硅太阳电池及其制备方法，特指利用在钝化介质层中引入电荷埋层的单晶硅太阳电池，属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明是基于通常单晶硅太阳电池的制备方案，太阳电池的结构是采用局部背接触结构，其特征在于：在太阳电池背面利用热氧化或原子层沉积技术生长一层SiO2层，再利用PECVD生长一层SiNx薄膜，利用激光刻槽技术本发明能有效提高太阳电池效率。
带有电荷太阳电池制备方法

[发明专利]单晶硅衬底多结太阳电池-CN200910009001.1无效
发明人：索拉安吉 -专利权人：北京索拉安吉清洁能源科技有限公司
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种基于单晶硅衬底的多结太阳电池，用于太阳能发电，特别适用于高效聚光太阳能发电系统。其特征在于，采用硅单晶片为衬底，利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)方法生长多结太阳电池材料。首先在硅单晶片上生长锗硅合金过渡层，再依次外延生长锗电池结构、铟镓砷电池结构和铟镓磷电池结构。该发明以硅单晶片替代锗单晶片和砷化镓单晶片，可以大大降低多结太阳电池的成本，提高硅基太阳电池的转换效率，加快太阳能发电的应用和发展。
单晶硅衬底太阳电池

[实用新型]高效低成本单晶硅太阳电池-CN201120543340.0有效
发明人：叶挺宁 -专利权人：江西金泰新能源有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：高效低成本单晶硅太阳电池，涉及太阳能电池。包括单晶硅太阳电池(1)和封装框架(2)；所述封装框架(2)是正六边形结构，单晶硅太阳电池(1)安装于封装框架(2)内；封装框架(2)的三个间隔边的外侧有凸榫(3)，封装框架(2)的另外三个侧边外侧有与凸榫(3)形状相吻合的凹槽(4)，在凸榫(3)外侧和凹槽(4)底部有金属电极片(5)，金属电极片(5)与单晶硅太阳电池(1)的电极电连接。本实用新型解决了现有的单晶硅太阳电池不能根据需要随意的组装成某一尺寸的电池板，限制了单晶硅太阳电池的适用范围的问题。本实用新型还解决了当用户需要非固定规格的电池板时，则需要去厂家定制，成本较高，而且生产效率低的问题。
高效低成本单晶硅太阳电池

[发明专利]单晶硅太阳电池的边沿钝化方法、单晶硅太阳电池及其制备方法和光伏组件-CN201110233299.1有效
发明人：高艳杰;霍桢潮;雷浩 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2011-08-15 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅太阳电池的边沿钝化方法、单晶硅太阳电池及其制备方法和光伏组件。上述边沿钝化方法包括：在刻蚀后的单晶硅太阳能电池的边沿表面涂覆钝化微粉组合物，所述钝化微粉组合物包括：2wt％～30wt％的PbO、5wt％～40wt％的B2O3和40wt％～70wt％的SiO2；将涂覆过钝化微粉组合物的单晶硅太阳电池进行高温烧结按照上述方法处理后的单晶硅太阳电池表面会覆有一层由钝化微粉形成的钝化膜，钝化膜致密的网状结构能够将PN结与外界环境相隔离，避免Na、Fe、Cu等金属离子扩散到硅片内破坏PN结，降低太阳电池输出功率虽时间的衰减率，延长太阳电池的使用寿命。
单晶硅太阳电池边沿钝化方法及其制备组件

[发明专利]基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法-CN201010116107.4无效
发明人：张亚非;王艳芳;魏浩 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种太阳能电池技术领域的基于碳纳米管增效的太阳电池制备方法，在制作好太阳电池PN结后，将碳纳米管分散吸附到太阳电池表面。本发明将碳纳米管分散吸附到太阳电池表面，用以提高太阳电池的光电转换效率，此方法适用各种太阳电池。与未分散吸附碳纳米管的太阳电池相比，分散吸附了碳纳米管的单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池光电转换效率提高0.5～4.5％，非晶硅薄膜太阳电池和CIGS薄膜太阳电池光电转换效率提高0.5～3.5％。
基于纳米增效太阳电池制备方法

[发明专利]单晶硅薄膜太阳电池-CN200910001026.7无效
发明人：陈吉堃 -专利权人：陈吉堃
申请日： 2009-01-20 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种廉价单晶硅薄膜太阳电池制造方法，用于将太阳能转换为电能。其特征在于，以廉价的物理方法提纯的单晶硅片为衬底，采用化学气相沉积方法生长单晶硅薄膜，制造单晶硅薄膜太阳电池。利用本发明制造的单晶硅薄膜太阳电池，具有转换效率高、成本低、性能稳定和使用寿命长等优势。
单晶硅薄膜太阳电池

[实用新型]N型基体单晶硅太阳电池-CN200520043749.0无效
发明人：胡宏勋;郑君 -专利权人：胡宏勋;郑君
申请日： 2005-07-25 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种N型基体单晶硅太阳电池采用N型硅单晶片为基体，制造太阳电池，其生产出的太阳电池效率和应用完全和用P型基体制成的太阳电池一样；本实用新型的太阳电池结构，从上面向下面各层依次是：上电极/氮化硅减反射膜/P⁺扩散层/N型单晶硅片/N⁺/背电极；其中：氮化硅减反射膜厚度约为0.75μm，P⁺扩散层的厚度约为0.2－0.25μm，薄层电阻约20Ω－cm，N⁺层厚度约为5－10μm，N型单晶硅片电阻率＞0.5Ω－cm。
基体单晶硅太阳电池

[发明专利]一种清洗器和提高异质结太阳电池转换效率的方法-CN202110943399.7有效
发明人：孙林;杜俊霖;陈功兵;张林;杨秀清;刘香飞;闫涛;潘登 -专利权人：通威太阳能（金堂）有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：一种清洗器和提高异质结太阳电池转换效率的方法，属于太阳电池领域。提高异质结太阳电池转换效率的方法包括于制作异质结太阳电池时，在对异质结太阳电池的单晶硅片制绒之后、以及制作非晶硅层之前，实施以下去有机物操作：使用紫外线照射，用以对制绒后的单晶硅片进行清洗的清洗液和/或清洗槽该方案可以提高异质结太阳电池的转换效率。
一种清洗提高异质结太阳电池转换效率方法

[发明专利]太阳电池及其制备方法-CN202211668915.0在审
发明人：项文翔;龙巍 -专利权人：通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本申请涉及一种太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域。该太阳电池包括单晶硅片、位于单晶硅片两个表面的介质层，位于两个介质层表面的本征非晶硅层，位于两个本征非晶硅层表面的掺杂非晶硅层；其中，介质层为除硅以外的异质元素与硅键接的层结构；异质元素为VA族、VIA该太阳电池从原理上改善了单晶硅表面的外延生长，减少单晶硅/本征非晶硅界面处缺陷密度，改善本征非晶硅层的钝化效果，提高HJT太阳电池的开路电压和转换效率。
太阳电池及其制备方法

[实用新型]单晶硅太阳电池组件-CN201120541792.5有效
发明人：叶挺宁 -专利权人：江西金泰新能源有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：单晶硅太阳电池组件，涉及太阳能电池。包括单晶硅太阳电池单体(1)和封装方框(2)；所述封装方框(2)是正方形结构，单晶硅太阳电池单体(1)安装于封装方框(2)内；封装方框(2)的相对两个边的外侧有凸榫(3)，封装方框(2)的另外相对的两个边外侧有与凸榫(3)形状相吻合的凹槽(4)，在凸榫(3)外侧和凹槽(4)底部有金属电极片(5)，金属电极片(5)与单晶硅太阳电池单体(1)的电极电连接。本实用新型的单晶硅太阳电池组件，多个电池可以通过凸榫和凹槽相互插接而组合拼装成长方形或者正方形的电池板。连接过程中，两个电池的电极通过金属电极片串联或并联连接，从而实现电池的随意组合。
单晶硅太阳电池组件

[发明专利]单晶硅太阳电池及其的腐蚀液、制绒方法和制备方法和光伏组件-CN201110233162.6无效
发明人：高艳杰;霍桢潮;雷浩 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2011-08-15 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： C23F1/40 文献下载
摘要：本发明提供一种用于<111>晶向单晶硅太阳电池的腐蚀液包括：3wt％～8wt％的氢氧化钾、0.0005wt％～0.01wt％的异丙醇、2wt％～6wt％的硅酸钠和余量的纯水。本发明还提供一种单晶硅太阳电池的制绒方法，其是使用上述腐蚀液在50℃～70℃对<111>晶向单晶硅片进行腐蚀。本发明还提供一种应用了上述腐蚀液和制绒方法的单晶硅电池片的制备方法，以及基体材料为<111>晶向的单晶硅太阳电池，和由上述单晶硅电池制成的光伏组件。该<111>晶向的单晶硅太阳电池强度较高，碎片率低。
单晶硅太阳电池及其腐蚀方法制备组件

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条