专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]高倍聚光太阳电池组件-CN200820178188.9有效
  • 索拉安吉 - 北京索拉安吉清洁能源科技有限公司
  • 2008-11-24 - 2009-12-30 - H01L31/052
  • 高倍聚光太阳电池组件是用于将太阳的光能转换为电能的实用新型,属于光伏技术领域。其特征在于,该组件由太阳电池、聚光镜、底板、框架、玻璃盖板和散热片等部件构成。菲涅尔透镜粘接在玻璃盖板上,排成阵列;太阳电池按照菲涅尔透镜阵列的排列方式固定在底板的上表面,并根据需要将太阳电池串联或并联;散热片则安装在底板的另一侧,并用螺钉或导热胶将散热片和太阳电池连接在一起;用螺钉把框架安装在底板上,然后将玻璃盖板粘接到框架的顶部。该高倍聚光太阳发电组件的特点是制造工艺简单、成本低廉、安装便捷。本实用新型提供的高倍聚光太阳电池组件有利于聚光太阳能发电的应用和推广。
  • 高倍聚光太阳电池组件
  • [发明专利]单晶硅衬底多结太阳电池-CN200910009001.1无效
  • 索拉安吉 - 北京索拉安吉清洁能源科技有限公司
  • 2009-02-12 - 2009-07-15 - H01L31/042
  • 一种基于单晶硅衬底的多结太阳电池,用于太阳能发电,特别适用于高效聚光太阳能发电系统。其特征在于,采用硅单晶片为衬底,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)方法生长多结太阳电池材料。首先在硅单晶片上生长锗硅合金过渡层,再依次外延生长锗电池结构、铟镓砷电池结构和铟镓磷电池结构。该发明以硅单晶片替代锗单晶片和砷化镓单晶片,可以大大降低多结太阳电池的成本,提高硅基太阳电池的转换效率,加快太阳能发电的应用和发展。
  • 单晶硅衬底太阳电池

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