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[发明专利]半导体存储器装置-CN201910227598.0在审
发明人：尹敬和;郭判硕;金灿镐;李中和 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，具有单元阵列区域和接触区域；堆叠结构，包括位于基底的单元阵列区域和接触区域上的多个栅电极；多个单元垂直沟道结构，穿过堆叠结构在单元阵列区域上延伸；以及接触结构，在基底的顶表面上设置在堆叠结构旁边，并且沿着从单元阵列区域朝向接触区域延伸的线设置。接触结构的位于单元阵列区域上的高度与接触结构的位于接触区域上的高度不同。
单元阵列区域接触区域半导体存储器装置堆叠结构接触结构基底垂直沟道结构顶表面栅电极延伸穿过

[发明专利]集成芯片及其制备方法-CN202111026981.3在审
发明人：任奇伟;左丰国;刘琦 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：该集成芯片包括可编程门阵列单元，集成有第一键合区域和与第一键合区域连接的可编程门阵列；第一动态存储阵列单元集成有第二键合区域和与第二键合区域连接的第一动态存储阵列；可编程门阵列单元和第一动态存储阵列单元通过第一键合区域和第二键合区域层叠键合，可编程门阵列通过第一键合区域和第二键合区域连接第一动态存储阵列单元；测试模块集成于可编程门阵列单元或第一动态存储阵列单元，并连接可编程门阵列或第一动态存储阵列，用于对第一动态存储阵列进行测试、修复。
集成芯片及其制备方法

[发明专利]半导体存储装置-CN201710969117.4有效
发明人：金明珍 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-10-18 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：半导体存储装置可以包括存储单元阵列区域、外围区域和接口区域。存储单元阵列区域可以包括至少一个存储平面。外围区域可以被形成为与存储单元阵列区域的一侧相邻。接口区域可以被形成为与外围区域的一侧相邻，并且可以包括多个数据输入/输出焊盘。接口区域可以包括配置为将通过所述数据输入/输出焊盘输入的数据发送至所述存储单元阵列区域或者通过所述数据输入/输出焊盘输出从存储单元阵列接收的数据的至少一个SerDes区域。
半导体存储装置

[发明专利]排布优化方法、排布优化装置、电子设备及可读存储介质-CN202110386230.6有效
发明人：戚宇轩;李伟;刘素平;马骁宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：包括：获取初始阵列排布模型，初始阵列排布模型包括边缘阵列区域和内部阵列区域，边缘阵列区域包围内部阵列区域，边缘阵列区域呈目标形状，位于内部阵列区域内的VCSEL单元的位置可移动；调整初始阵列排布模型中的位于内部阵列区域内的VCSEL单元的位置，直至温度势能排斥模型达到稳定状态，温度势能排斥模型达到稳态状态为调整后的初始阵列排布模型中的各个VCSEL单元之间的温度斥力达到平衡的状态；在确定调整后的初始阵列排布模型中的边缘阵列区域与初始阵列排布模型中的边缘阵列区域一致的情况下，将调整后的初始阵列排布模型确定为目标阵列排布模型。
排布优化方法装置电子设备可读存储介质

[发明专利]非易失性存储装置和使用其的存储系统-CN202010118529.9在审
发明人：尹正赫;李仁秀 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：非易失性存储装置包括多个单元阵列，每个单元阵列包括近区域和远区域。在近区域中包括多个存储单元，并且在远区域中包括多个存储单元。当多个单元阵列之中的至少一个单元阵列的近区域中所包括的多个存储单元中的存储单元基于地址信号而被选中时，非易失性存储装置基于所述地址信号来选择在其余的单元阵列的远区域中所包括的存储单元。非易失性存储装置对所述至少一个单元阵列中的被选中的存储单元执行第一读取操作，并且对所述其余的单元阵列中的被选中的存储单元执行第二读取操作。
非易失性存储装置使用存储系统

[发明专利]超声波换能器及超声波检查装置-CN201680038034.7有效
发明人：町田俊太郎;峰利之;藤崎耕司;竹崎泰一;龙崎大介 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：在静电电容检测型的超声波换能器中，由于超声波换能器的单元阵列的各单元的膜状物的膜厚偏差，导致单元阵列内的单元的器件特性变得不均匀。超声波换能器具备CMUT芯片(301)，CMUT芯片(301)包括：形成有多个单元的单元阵列区域CAR；以及与单元阵列区域CAR相邻接的周边区域PER，在单元阵列区域CAR配置梁结构体(201)，并且在周边区域由此，将单元阵列区域CAR的单位表面积和周边区域PER的单位表面积的差减小。其结果，能够提高覆盖梁结构体(201)和图案结构体(311)的绝缘膜的膜厚的均匀性。
超声波换能器检查装置

[发明专利]阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法-CN201310451991.0有效
发明人：蔡振飞;崔晓鹏;刘晓伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板，包括阵列区域和贴合区域，阵列区域包括栅线和数据线以及由栅线和所述数据线交叉限定的阵列单元；贴合区域包括位于数据线的端部且与数据线电连接的第一贴合单元，其特征在于，至少一对相邻的第一贴合单元之间设置有与栅线电连接的第二贴合单元通过在至少一对相邻的第一贴合单元之间设置有与栅线电连接的第二贴合单元，减少贴合区域中贴合单元与非贴合单元区域的高度差，提高产品的合格率。该阵列基板还能在不减小贴合区域贴合面积的前提下，减小贴合单元的长度，符合窄边框设计的需求。本发明还提供了基于上述阵列基板的显示装置以及这种阵列基板的制作方法。
阵列显示装置制作方法

[发明专利]投射型影像显示装置-CN200910009446.X有效
发明人：木村展之 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2009-02-24 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： G03B21/14 文献下载
摘要：该投射型影像显示装置具备第一透镜阵列，具有使来自光源的射出光分割为多个光束的多个透镜单元区域；第二透镜阵列，具有来自第一透镜阵列的射出光束透过的多个透镜单元区域；聚光透镜，对来自第二透镜阵列的射出光束进行聚光；显示元件；投射透镜；和遮光单元，遮蔽从第一透镜阵列射向第二透镜阵列的光束，该遮光单元遮蔽第二透镜阵列的多个矩形透镜单元区域中除去与光轴连接的透镜单元区域后的所有透镜单元区域的至少一部分，与光轴连接的透镜单元区域的遮光面积比除去与光轴连接的透镜单元区域后的任一个透镜单元区域的遮光面积都小
投射影像显示装置

[发明专利]投射型影像显示装置-CN201110320138.6有效
发明人：木村展之 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2009-02-24 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G03B21/14 文献下载
摘要：该投射型影像显示装置具备第一透镜阵列，具有使来自光源的射出光分割为多个光束的多个透镜单元区域；第二透镜阵列，具有来自第一透镜阵列的射出光束透过的多个透镜单元区域；聚光透镜，对来自第二透镜阵列的射出光束进行聚光；显示元件；投射透镜；和遮光单元，遮蔽从第一透镜阵列射向第二透镜阵列的光束，该遮光单元遮蔽第二透镜阵列的多个矩形透镜单元区域中除去与光轴连接的透镜单元区域后的所有透镜单元区域的至少一部分，与光轴连接的透镜单元区域的遮光面积比除去与光轴连接的透镜单元区域后的任一个透镜单元区域的遮光面积都小
投射影像显示装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN202210138247.4在审
发明人：蔡昇完;金映奇;李钟一;曹恩雨 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、行解码器、多个页缓冲器和电压切换电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元。行解码器通过字线连接到存储器单元阵列。多个页缓冲器通过位线连接到存储器单元阵列。多个页缓冲器形成在第一单元下方区域和第二单元下方区域中的第一单元下方区域中，第一单元下方区域和第二单元下方区域在存储器单元阵列下方在第一方向上彼此相邻。电压切换电路的至少一部分形成在沿第二方向与第一单元下方区域和第二单元下方区域相邻的减薄区域下方区域中。
半导体存储器装置

[实用新型]一种用于提高ETC车载单元交易成功率的系统-CN201621099292.X有效
发明人：王军峰;马春香;赵强;杨洋;高鹏 -专利权人：北京万集科技股份有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G07B15/06 文献下载
摘要：本实用新型为一种用于提高ETC车载单元交易成功率的系统，该系统由发射天线阵列单元、接收天线阵列单元两个天线阵列单元及射频调制模块三部分构成。发射天线阵列单元用于发射射频信号，其信号覆盖区域大于接收天线阵列单元的信号覆盖区域；接收天线阵列单元用于接收车载单元回复的射频信号，其信号覆盖区域小于发射天线阵列单元的信号覆盖区域，提高了射频信号的集中度和稳定性；射频调制模块用于调节天线阵列单元的信号强度。本系统有助于提高ETC车载单元的交易成功率，达到ETC车辆快速通行的目的。
一种用于提高 etc 车载单元交易成功率系统

[发明专利]显示装置与反应装置-CN200910138104.8有效
发明人：张木财;康兆锋;黄中人 -专利权人：华硕电脑股份有限公司
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：其中，反应装置包括一反馈单元阵列及一控制单元。反馈单元阵列具有多个反馈单元，以阵列方式排列在显示面板上，而使得显示区域被分为多个子显示区域，且每一子显示区域分别对应此些反馈单元其中之一。当此些子显示区域其中之一被触碰时，控制单元输出一控制信号至反馈单元阵列，使得被触碰的子显示区域所对应反馈单元产生一微电流。
显示装置反应装置

[发明专利]半导体存储器装置-CN201811515326.2有效
发明人：吴星来 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C11/4097 文献下载
摘要：多条选通线层叠在基板的设置在与第一方向交叉的第二方向上的第一单元阵列区域和第二单元阵列区域上方，并且被沟道结构穿过。多条布线层叠在基板的设置在第一单元阵列区域和第二单元阵列区域之间的间隔区域上方以及基板的在第一方向上设置在第一单元阵列区域和第二单元阵列区域以及间隔区域的两侧的第一联接区域上方。各条布线包括在第一方向上横穿间隔区域的线部分以及设置在第一联接区域上方的延伸部分。延伸部分的宽度大于线部分的宽度。
半导体存储器装置

[发明专利]垂直存储器件-CN201810794960.8有效
发明人：李光镐;金光浩;曹升铉;柳志桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：一种垂直存储器件包括：衬底，其具有单元阵列区域和与单元阵列区域相邻的连接区域；多个栅电极层，所述多个栅电极层堆叠在衬底的单元阵列区域和连接区域上，并在连接区域中形成台阶结构；第一金属线，其划分所述多个栅电极层并连接到衬底的单元阵列区域和连接区域；以及第二金属线，其划分所述多个栅电极层的一部分并连接到衬底的连接区域。基于衬底的上表面，第二金属线的下端部分的深度可以大于单元阵列区域中的第一金属线的下端部分的深度。
垂直存储器件

[发明专利]非规则天线阵列矢量增益方向图的快速精准预测方法-CN202210710497.0在审
发明人：刘颜回;肖凡;李明;游鹏飞;陈礼阳;杨仕文;胡俊;聂在平 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种非规则天线阵列矢量增益方向图的快速精准预测方法，包括如下：根据非规则天线阵列平台的相似程度将其分为不同区域，在各区域内，划分边缘单元子区域和中心单元子区域并选取代表性单元；分别在各子区域中，将代表性单元依据强弱互耦区域条件组成小阵列进行全波仿真，得到其在局部阵列互耦环境下的矢量有源单元方向图及增益；分别在各子区域中，利用代表性单元和坐标系的旋转、二维插值和平移以及坐标系单位向量的旋转、投影得到该区域其他单元的矢量有源单元方向图的标量值和单位方向向量；将所有区域的有源单元方向图矢量叠加，得到非规则天线阵列的矢量增益方向图。该发明能够快速精准预测非规则天线阵列的矢量增益方向图。
规则天线阵列矢量增益方向快速精准预测方法

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