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[发明专利]III族氮化物衬底和其制造方法-CN201580065648.X有效
发明人：桥本忠朗 -专利权人：希波特公司;首尔半导体股份有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供III族氮化物衬底，其具有非极性或半极性平面的第一侧和具有一个以上埋藏的金属条带的第二侧，其中所述条带垂直于III族氮化物的c轴。在金属条带上存在大于90％的堆叠缺陷。第二侧可暴露非极性或半极性平面。本发明还揭示具有非极性或半极性平面的第一侧和具有暴露的非极性或半极性平面的第二侧的III族氮化物衬底。所述衬底含有间距大于1mm的堆叠缺陷束。
半极性平面非极性衬底堆叠缺陷金属条带暴露条带埋藏垂直制造

[发明专利]半极性平面III-氮化物半导体基发光二极管和激光二极管的氮化铝镓阻挡层和分离限制异质结构(SCH)层-CN201180017281.6无效
发明人： Y-D·林;H·太田;S·纳卡姆拉;S·P·德恩巴拉斯;J·S·斯派克 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2011-04-05 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：半极性平面III-氮化物半导体基激光二极管或发光二极管，其包含用于发射光的半极性含铟多量子阱，具有含铝量子阱阻挡层，其中所述含铟多个量子阱和含铝阻挡层在半极性平面上以半极性取向生成。
极性平面 iii 氮化物半导体发光二极管激光二极管氮化阻挡分离限制结构 sch

[发明专利]获得平坦的半极性氮化镓表面的方法-CN201580019931.9有效
发明人：韩重;本亚明·梁 -专利权人：耶鲁大学
申请日： 2015-04-15 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：描述了用于在图案化蓝宝石衬底上形成平面的、连续的、平坦的半极性III族氮化物材料的外延层的方法和结构。半极性GaN可从图案化蓝宝石衬底上的倾斜c‑面小面生长，并且合并以在蓝宝石衬底上形成半极性III族氮化物半导体的连续层。使所述层平坦化，接着使用氮载气使晶体再生长以跨越衬底产生平面的、微加工等级的半极化III族氮化物半导体的加工表面。可在再生长的半极性材料中制造优质的多量子阱。
获得平坦极性氮化表面方法

[发明专利]来自微像素显示器的偏振光发射及其制造方法-CN201780074598.0有效
发明人： H.S.厄尔-格鲁瑞;N.德米勒 -专利权人：奥斯坦多科技公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种用于通过利用用于电子发射显示设备内的发光结构半导体材料的非极性、半极性或应变c平面晶面来实现堆叠多色发射显示设备中发射的可见光或其他光的选择性偏振态的方法和装置。
来自像素显示器偏振光发射及其制造方法

[发明专利]半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法-CN201410147977.6有效
发明人：项若飞;汪连山;赵桂娟;金东东;王建霞;李辉杰;张恒;冯玉霞;焦春美;魏鸿源;杨少延;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半极性面氮化镓层与衬底表面的凸起图形之间具有空隙区，可阻隔位错缺陷向上延伸；一半极性面氮化镓N型层，其制作在未掺杂半极性面氮化镓层上；一半极性面N型铟镓氮插入层，其制作在半极性面氮化镓N型层上；一半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层，其制作在半极性面N型铟镓氮插入层上；一半极性面P型铝镓氮电子阻挡层，其制作在半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层上；一半极性面P型氮化镓层，其制作在半极性面
极性氮化发光二极管及其制备方法

[发明专利]在C-方向错切小于+/-15度的m-平面基底上的半极性III-氮化物光电子装置-CN201710215977.9有效
发明人： P·S·徐;K·M·科尔奈;R·M·法雷尔;D·A·海格尔;H·太田;A·泰亚吉;S·纳卡姆拉;S·P·德恩巴阿斯;J·S·斯派克 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：在GaN的错切上生成的光电子装置，其中所述错切包括在GaN的c‑方向且与GaN的m‑平面错切x度的(GaN的)半极性GaN晶体平面，其中‑15<x<‑1和1<x<15度。
方向小于 15 平面基底极性 iii 氮化物光电子装置

[发明专利]在C‑方向错切小于+/‑15度的m‑平面基底上的半极性III‑氮化物光电子装置-CN201180012048.9有效
发明人： P·S·徐;K·M·科尔奈;R·M·法雷尔;D·A·海格尔;H·太田;A·泰亚吉;S·纳卡姆拉;S·P·德恩巴阿斯;J·S·斯派克 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：在GaN的错切上生成的光电子装置，其中所述错切包括在GaN的c‑方向且与GaN的m‑平面错切x度的（GaN的）半极性GaN晶体平面，其中‑15<x<‑1和1<x<15度。
方向小于 15 平面基底极性 iii 氮化物光电子装置

[发明专利]一种基于斜向ZnO纳米线/GaN pn结的LED及制备方法-CN201710481596.5有效
发明人：高志远;赵立欢;张洁;薛晓玮;邹德恕 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明通过在半极性GaN外延层上生长斜向ZnO纳米线阵列，提高LED的光取出率和发光面积，实现在蓝紫光波段的高效发光。其中，半极性面(11‑22)的GaN层包括生长在m面Al₂O₃衬底上未掺杂的GaN层和其上掺Mg的p型GaN层；ZnO纳米线阵列直接由水热法生长在半极性GaN面上，为n型掺杂，斜向生长，与生长平面的夹角为30～35度；将斜向ZnO纳米线阵列用聚合物填充后，再在其上一层制作导电薄膜，作为负极，而正极位于GaN层上。
一种基于 zno 纳米 ganpn led 制备方法

[实用新型]具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层-CN201822021967.4有效
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本公开涉及一种具有(20‑2‑1)面的半极性氮化镓的外延层，包括：第一半极性氮化镓外延层以及第二半极性氮化镓外延层，其中第一半极性氮化镓外延层生长于图案化蓝宝石衬底上，而第二半极性氮化镓外延层采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长在第一半极性氮化镓外延层的背向图案化蓝宝石衬底的表面上，第一半极性氮化镓外延层以及第二半极性氮化镓外延层背向图案化蓝宝石衬底的一面都具有(20‑21)取向；以及第一半极性氮化镓外延层的面向图案化蓝宝石衬底的通过化学
氮化镓外延层半极性蓝宝石图案化衬底氮化镓外延层取向氢化物气相外延平坦化处理机械抛光生长

[发明专利]一种橡胶电缆用可剥离半导电屏蔽橡皮及其制备方法-CN202110146944.X有效
发明人：罗安帮;殷小波;王庆 -专利权人：上海利物通化工科技有限公司;上海利物盛石墨烯科技有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C08K13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种橡胶电缆用可剥离半导电屏蔽橡皮及其制备方法，本发明采用极性的乙烯醋酸乙烯橡胶作为基础橡胶，并用非极性的三元乙丙橡胶形成不连续相界面，在同一方向剪切力的作用下片层的石墨烯与球状炭黑在不连续相界面以剪切方向平面富集形成稳定的“球‑面”导电通路，从而使制得的半导电屏蔽橡皮导电性能稳定高效，并且具有易加工、易剥离的特点。
一种橡胶电缆剥离导电屏蔽橡皮及其制备方法

[发明专利]具有(20-2-1)面的半极性氮化镓的外延层及其制造方法-CN201811472366.3在审
发明人：陈辰;宋杰;崔周源 -专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于在衬底上形成具有(2021)取向的半极性氮化镓的外延层的方法，包括：在PSS的晶体生长表面生长平行于所述衬底的加工表面的具有(2021)取向的第一半极性氮化镓外延层；在第一半极性氮化镓外延层的表面采用氢化物气相外延(HVPE)方法生长具有(2021)取向的厚度不小于0.1mm的第二半极性氮化镓外延层；整体剥离所述第一半极性氮化镓外延层和第二半极性氮化镓外延层；以及通过化学‑机械抛光法(CMP)对所剥离下来的所述第一半极性氮化镓外延层的面向图案化蓝宝石衬底的表面进行平坦化处理，从而获得具有(2021)取向表面的半极性氮化镓外延层。
半极性氮化镓外延层衬底取向氮化镓外延层剥离氢化物气相外延晶体生长表面平坦化处理机械抛光加工表面取向表面蓝宝石图案化生长平行制造

[发明专利]双极性电池及其封装方法-CN201310170046.3有效
发明人：何广利;王国文 -专利权人：神华集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究所
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极性电池及其封装方法，双极性电池包括两个半壳体和设置在两个半壳体之间的双极性极板，该方法包括：在注液部以外的区域，利用第一密封胶封装所述双极性极板和相邻的半壳体，至少在所述注液部，使所述双极性极板的边线位于所述半壳体的边线的内侧，将所述双极性极板的边缘与第一密封胶密封粘结，将所述两个半壳体的边缘与所述第一密封胶密封粘结，以将所述双极性极板的边缘嵌入所述第一密封胶。热压直接作用在半壳体和第一密封胶上，简化了封装。再者，热压时的热量没有直接作用在双极性极板上，而是经过第一密封胶传导到双极性极板上，降低了热压对双极性电池的影响。
极性电池及其封装方法

[发明专利]非极性/半极性氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法-CN201910038242.2有效
发明人：刘宗亮;徐科;任国强;王建峰 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C30B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种助熔剂法生长非极性/半极性氮化镓单晶的方法，包括：沿选定的解理面对氮化镓晶片进行解理，并将所获氮化镓晶片排列成阵列，获得解理面氮化镓单晶阵列；以所述解理面氮化镓单晶阵列作为籽晶，利用助熔剂法液相外延合并生长获得沿解理面的非极性/半极性氮化镓单晶。较之现有技术，本发明在助熔剂法液相外延生长氮化镓过程中，利用质量均匀的作为籽晶的非极性/半极性氮化镓单晶阵列，通过液相外延合并生长，获得较高质量的非极性/半极性氮化镓单晶，进一步采用该氮化镓单晶进行液相外延，可获得非极性/半极性的氮化镓体单晶。
极性氮化镓单晶及其熔剂生长方法

[发明专利]一种半极性、非极性GaN自支撑衬底的制备方法-CN201110108021.1无效
发明人：张佰君;向鹏 -专利权人：中山大学
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半极性、非极性GaN自支撑衬底的制备方法。首先在不以（111）晶面为表面的Si衬底上用掩膜覆盖与湿法刻蚀的方法形成沟槽，暴露出Si(111)晶面中的一个或数个；然后用金属有机化学气象沉积法在Si衬底上生长一薄层半极性或非极性GaN，形成籽晶层；再用氢化物气相外延法继续生长GaN层，形成表面平整，高晶体质量的半极性、非极性GaN厚膜；最后将Si衬底剥离，形成半极性、非极性GaN自支撑衬底。该方法极大增加了半极性、非极性GaN自支撑衬底的尺寸，减少愈合处的位错，提高晶体质量，并且不需对GaN进行切割，简化了制备工艺。
一种极性 gan 支撑衬底制备方法

[发明专利]通过表面粗糙化的高光提取效率的基于氮化物的发光二极管-CN200880117788.7无效
发明人：钟弘;阿努拉格·蒂雅吉;肯尼思·J·万波拉;詹姆斯·S·斯佩克;史蒂文·P·登巴尔斯;中村秀治 -专利权人：加利福尼亚大学董事会
申请日： 2008-12-01 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种III-氮化物发光二极管(LED)及其制造方法，其中纹理化所述LED的III-氮化物层的半极性或非极性平面的至少一个表面，借此形成经纹理化表面以增加光提取。
通过表面粗糙提取效率基于氮化物发光二极管

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