“半导体阱 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果412855个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有改进的电阻区域的集成电路-CN201710772702.5有效
发明人： B·弗罗门特;S·尼埃尔;A·雷尼耶;A·马扎基 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：集成电路包括具有电隔离的半导体阱的半导体衬底。上部沟槽隔离件从半导体阱的正面延伸到距离阱的底部一定距离的深度。两个附加隔离区域与半导体阱电绝缘，并且沿第一方向在半导体阱的内部延伸，并且从半导体阱的正面垂直延伸到半导体阱的底部。至少一个经包围的电阻区域由两个附加隔离区、上部沟槽隔离件和半导体阱的底部来界定。
具有改进电阻区域集成电路

[实用新型]半导体器件-CN201320825869.0有效
发明人：伊藤明 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件。一种半导体器件包括：第一阱、第二阱和分离结构。第一阱和第二阱被嵌入在半导体衬底中。分离结构也被嵌入在半导体衬底中并且将第一阱和第二阱分离，使得第一阱和第二阱彼此不接触。
半导体器件

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN201410080036.5无效
发明人：木村重哉;名古肇;布上真也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：根据一个实施方式，半导体发光元件包括n型的第一半导体层、p型的第二半导体层和发光单元。第一半导体层包括氮化物半导体。第二半导体层包括氮化物半导体。发光单元被设置在第一半导体层和第二半导体层之间。发光单元包括多个阱层和多个势垒层，所述多个阱层与所述多个势垒层交替堆叠。阱层包括最接近第二半导体层的第一p侧阱层、以及第二最接近第二半导体层的第二p侧阱层。第一p侧阱层的激子的定域能小于第二p侧阱层的激子的定域能。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201980050332.1在审
发明人：小幡智幸;吉田崇一 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体装置期望耐量高。提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；有源部，设置于半导体基板；第一阱区和第二阱区，设置于半导体基板，并配置为在俯视时夹着有源部；周边阱区，设置于半导体基板，并配置为在俯视时包围有源部；中间阱区，设置于半导体基板，并在俯视时配置在第一阱区和第二阱区之间；第一焊盘，配置在第一阱区的上方；第二焊盘，配置在第二阱区的上方；以及温度感测二极管，配置在中间阱区的上方。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及制造方法-CN201410010236.3在审
发明人：伊藤明 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及制造方法。该半导体器件包括注入在半导体基板中的第一阱和第二阱。所述半导体器件还包括在第一阱和第二阱之上介于凸起源极结构与凸起漏极结构之间的栅极结构。凸起源极结构位于第一阱上且与第一阱接触并且通过第一半导体鳍状结构与栅极结构连接。凸起漏极结构位于第二阱上且与第二阱接触并且与第二半导体鳍状结构连接。第二半导体鳍状结构至少包括间隙和轻掺杂部分。
半导体器件制造方法

[实用新型]半导体器件-CN201420013401.6有效
发明人：伊藤明 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件。该半导体器件包括注入在半导体基板中的第一阱和第二阱。所述半导体器件还包括在第一阱和第二阱之上介于凸起源极结构与凸起漏极结构之间的栅极结构。凸起源极结构位于第一阱上且与第一阱接触并且通过第一半导体鳍状结构与栅极结构连接。凸起漏极结构位于第二阱上且与第二阱接触并且与第二半导体鳍状结构连接。第二半导体鳍状结构至少包括间隙和轻掺杂部分。
半导体器件

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201610803018.4有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有鳍部；在所述半导体衬底上形成覆盖鳍部的隔离流体层；对所述隔离流体层进行第一退火，使隔离流体层形成隔离膜；进行第一退火后，在鳍部和半导体衬底中形成第一阱区和第二阱区，第二阱区位于第一阱区两侧且与第一阱区邻接，第一阱区中具有第一阱离子，第二阱区中具有第二阱离子，第二阱离子的导电类型与第一阱离子的导电类型相反。所述半导体器件的形成方法能够提高半导体器件的电学性能。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体元件-CN201911099455.2在审
发明人：陈孟扬 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件。半导体元件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及发光结构。发光结构位于第一半导体结构及第二半导体结构之间且包括多重量子阱结构。多重量子阱结构包含铝且具有阱层及阻障层，阱层及阻障层组成一对半导体叠层。阻障层的厚度小于阱层的厚度。
半导体元件

[发明专利]半导体器件及显示装置-CN201310061605.7在审
发明人：谢文献;林崑宗 -专利权人：天钰科技股份有限公司
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及显示装置。该半导体器件包括P型衬底、数字电路模块及模拟电路模块。该数字电路模块接收并处理数字信号，其包括深掺杂N阱、第一P型半导体元件、第一N型半导体元件及P阱，该深掺杂N阱设置于该P型衬底上，该第一P型半导体元件及P阱分别设置于该深掺杂N阱上，该第一N型半导体元件设置于该P阱上。该模拟电路模块接收该数字电路输出的数字信号并输出模拟信号，其包括第二P型半导体元件、第二N型半导体元件及N阱，该第二N型半导体元件及N阱分别设置于该P型衬底上，该第二P型半导体元件设置于该N阱上。该半导体器件及显示装置可靠度较高。
半导体器件显示装置

[实用新型]半导体器件及显示装置-CN201320089341.1有效
发明人：谢文献;林崑宗 -专利权人：天钰科技股份有限公司
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体器件及显示装置。该半导体器件包括P型衬底、数字电路模块及模拟电路模块。该数字电路模块接收并处理数字信号，其包括深掺杂N阱、第一P型半导体元件、第一N型半导体元件及P阱，该深掺杂N阱设置于该P型衬底上，该第一P型半导体元件及P阱分别设置于该深掺杂N阱上，该第一N型半导体元件设置于该P阱上。该模拟电路模块接收该数字电路输出的数字信号并输出模拟信号，其包括第二P型半导体元件、第二N型半导体元件及N阱，该第二N型半导体元件及N阱分别设置于该P型衬底上，该第二P型半导体元件设置于该N阱上。该半导体器件及显示装置可靠度较高。
半导体器件显示装置

[发明专利]击穿电压增加的金属氧化物半导体器件-CN201310687279.0在审
发明人：伊藤明 -专利权人：美国博通公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及击穿电压增加的金属氧化物半导体器件。一种半导体器件包括：第一阱、第二阱和分离结构。第一阱和第二阱被嵌入在半导体衬底中。分离结构也被嵌入在半导体衬底中并且将第一阱和第二阱分离，使得第一阱和第二阱彼此不接触。
击穿电压增加金属氧化物半导体器件

[发明专利]集成电容元件与对应的生产方法-CN202110277995.6在审
发明人： A·马扎基 -专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种集成电路，包括包含在半导体衬底中的第一半导体阱和包含在第一半导体阱中的第二半导体阱。一种用于集成电路的电容元件，包括第一电极和第二电极，其中第一电极包括至少一个竖直导电结构，填充竖直延伸到第一半导体阱中的沟槽。竖直导电结构通过覆盖基部和沟槽侧面的介电包封层与第一半导体阱电隔离。竖直导电结构至少在沟槽的一个纵向端部处穿透第二半导体阱。第二电极包括第一半导体阱和第二半导体阱。
集成电容元件对应生产方法

[发明专利]包括晶体管的电子器件-CN202211280672.3在审
发明人： R·杰尔马纳-卡尔皮内托;L·马索罗;L·因纳科罗 -专利权人：意法半导体股份有限公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子器件，包括半导体衬底和晶体管，其栅极包含在延伸到半导体衬底的沟槽中，每个晶体管包括第一导电型掺杂半导体阱，该阱埋置在半导体衬底中，并与所述沟槽中的两个相邻沟槽接触，第二导电类型的第一掺杂半导体区域，覆盖该阱，与该阱接触，并与两个相邻沟槽接触，第二导电型的第二掺杂半导体区域比第一半导体区域掺杂更重，在第一半导体区域中延伸，以及第一导电类型的第三掺杂半导体区域，掺杂比阱重，覆盖阱，与第一区域接触，并在与阱接触的半导体衬底中延伸
包括晶体管电子器件

[发明专利]互补金属氧化物半导体器件及其制作方法-CN200810105625.9有效
发明人：肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种互补金属氧化物半导体器件，包括，半导体衬底，位于半导体衬底内的N阱和P阱，半导体衬底内位于N阱和P阱之间的隔离结构，位于半导体衬底内的N阱上的栅极结构、N阱内位于栅极结构两侧的源极和漏极，所述N阱的深度大于N阱内位于栅极结构两侧的源极和漏极的耗尽层的深度并且小于隔离结构的深度。所述半导体器件的结构可以减小漏电流。本发明还提供了所述互补金属氧化物半导体器件的制作方法。
互补金属氧化物半导体器件及其制作方法

[发明专利]双结单光子雪崩二极管及其制作方法-CN201611245601.4在审
发明人：卫振奇;张钰;王伟 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明方法对p‑衬底层掺杂形成p阱电荷层；p阱电荷层外端掺杂反型深n阱；反型深n阱内端掺杂p掺杂控制区域；反型深n阱外端掺杂n阱电荷层；n阱电荷层外围掺杂p‑型半导体层；n阱电荷层外端掺杂p+型光吸收层；阳极电极置于p+型光吸收层外端；p‑型半导体层外围掺杂n阱层和n+型半导体层，n+型半导体层掺入n阱层内；n+型半导体层外端设置阴极电极；反型深n阱外端掺杂p阱层和p+型半导体层，p+型半导体层掺入p阱层内；p+型半导体层外端设置GND电极。
双结单光子雪崩二极管及其制作方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top