“半导体材料生长”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2717409个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种半导体衬底及选择性生长半导体材料的方法-CN201510456231.8在审
发明人：程志渊;陈韬;王安琦 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体衬底及选择性生长半导体材料的方法，所述半导体衬底包含一个用于半导体材料外延的晶体生长面，以及一个或多个用于限制半导体材料生长的介质层表面。所述半导体材料生长方法为半导体材料选择性生长，通常情况下，所述选择性生长过程中，半导体材料只能生长在所述晶体生长面上，无法直接生长在介质层表面上，所述介质层表面用于限制选择性生长过程中半导体材料在某个方向上的生长本发明的特殊结构衬底结合选择性生长，可以有效抑制半导体材料生长过程中的位错等缺陷的传播，从而显著提升半导体材料的质量。
一种半导体衬底选择性生长半导体材料方法

[发明专利]半导体衬底及选择性生长半导体的方法-CN201510454436.2在审
发明人：王安琦;程志渊;陈韬 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体衬底及选择性生长半导体的方法，所述半导体衬底包含一个用于半导体材料生长的孔和一个促使半导体材料横向生长的腔，孔的底面是晶体生长面，孔的侧壁和腔的内表面均是用于限制半导体材料生长的介质层通过上述衬底可实现半导体材料的选择性生长，最终形成大面积的半导体薄膜材料。本发明的特殊衬底结构结合选择性生长，可以有效抑制半导体材料生长过程中的位错等缺陷的传播，从而显著提升半导体材料质量。
半导体衬底选择性生长方法

[发明专利]超导体-半导体制造-CN201780092102.2在审
发明人： P·克罗格斯拉普·杰普森 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：一种按照阶段制造的混合半导体‑超导体平台。在掩模阶段中，在衬底上形成电介质掩模，以使得电介质掩模将衬底的一个或多个区暴露。在选择性区域生长阶段，在衬底上的一个或多个暴露区中选择性地生长半导体材料。在超导体生长阶段中，形成超导材料层，其至少一部分与选择性生长的半导体材料直接接触。混合半导体‑超导体平台包括选择性生长的半导体材料和与选择性生长的半导体材料直接接触的超导材料。
超导体半导体材料选择性生长衬底电介质掩模混合半导体生长半导体材料选择性区域生长超导材料层超导材料生长阶段暴露区掩模暴露制造

[发明专利]精确控制四元系半导体直接带隙材料组分的生长与表征方法-CN200910198255.2有效
发明人：顾溢;张永刚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种精确控制四元系半导体直接带隙材料组分的生长与表征方法，包括采用常规分子束外延方法在衬底上生长四元系半导体材料；分别测试四元系半导体材料的室温晶格常数和室温禁带宽度；根据半导体材料室温晶格常数和禁带宽度与材料组分的关系进行计算得出材料组分；通过调节生长条件，重复操作直到材料组分与目标组分相符，即完成四元系半导体直接带隙材料的生长。该方法无需预先生长相应的三元系半导体材料，可以直接在衬底上生长四元系半导体直接带隙材料，在节约成本的同时，对所需材料的组分进行了准确有效地指导生长。
精确控制四元系半导体直接材料组分生长表征方法

[发明专利]多腔室半导体薄膜外延装置-CN202011584692.0在审
发明人：郭亮;魏同波;冉军学;王军喜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：一种多腔室半导体薄膜外延装置，包括：多个生长腔室和一个机械臂；多个生长腔室至少包括一个石墨烯生长腔室、至少一个半导体材料生长腔室；其中，石墨烯生长腔室用于在衬底上生长石墨烯薄膜，包括等离子体处理模块，用于产生等离子气体；至少一个半导体材料生长腔室用于在石墨烯薄膜上范德华外延半导体薄膜，不同的半导体材料生长腔室用于生长不同的半导体薄膜；机械臂用于在生长腔室之间传递样品。该装置解决了在单腔室中石墨烯上外延半导体材料时石墨烯反应的残余气体对半导体材料的污染问题，同时还有利于简化生长腔室设计，提升材料生长效率和工艺可重复性；石墨烯采用了PECVD的方式制备，有利于提高石墨烯的生长速度
多腔室半导体薄膜外延装置

[发明专利]半导体晶体的生产方法-CN200610137998.5有效
发明人：山崎史郎;平田宏治;今井克宏;岩井真;佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;川村史朗;山田祐嗣 -专利权人：丰田合成株式会社;日本碍子株式会社;国立大学法人大阪大学
申请日： 2006-11-01 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种用于生产III族氮化物化合物半导体晶体的方法，该半导体晶体通过利用助熔剂的助熔剂法而生长。在其上将生长半导体晶体的至少部分衬底由助熔剂可溶材料制成。当半导体晶体在衬底表面上生长时，助熔剂可溶材料从与生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。作为替代方案，在半导体晶体已经在衬底表面上生长之后，助熔剂可溶材料从与已经生长半导体晶体的表面相对的衬底表面上溶于助熔剂中。助熔剂可溶材料由硅形成。作为替代方案，助熔剂可溶材料或衬底由III族氮化物化合物半导体形成，所述III族氮化物化合物半导体具有比所生长的半导体晶体更高的位错密度。
半导体晶体生产方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201911201611.1在审
发明人：丁姮彣;宋学昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种具有改善的源极/漏极区域轮廓的半导体装置以及其形成方法。在一实施例中，此方法包含蚀刻半导体鳍片以形成第一凹槽；以及形成源极/漏极区域，其包含在第一凹槽中外延生长第一半导体材料且第一半导体材料为硅；于第一半导体材料上外延生长第二半导体材料且第二半导体材料包含硅锗；以及于第二半导体材料上外延生长第三半导体材料且第三半导体材料具有60‑80原子％的锗浓度，第三半导体材料的锗浓度大于第二半导体材料的锗浓度。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]一种高质量低电阻率的半导体材料及其生长方法-CN202010996774.X在审
发明人：艾秋;刘可为;申德振 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种高质量低电阻率的半导体材料生长方法，包括：在衬底的上表面生长液态金属层；在所述液态金属层的上表面生长缓冲层；在所述缓冲层的上表面生长半导体层。可见，本申请中的半导体材料生长方法在衬底的上表面生长的金属层液态金属层，并在液态金属层上表面生长缓冲层以及在缓冲层的上表面生长半导体层，得到半导体材料，使得半导体材料的缺陷密度降低，表面平整度提升，受主激活能降低此外，本申请还提供一种具有上述优点的半导体材料。
一种质量电阻率半导体材料及其生长方法

[发明专利]一种基于飞秒激光辅助的半导体材料外延生长方法和装置-CN201610260299.3在审
发明人：刘胜;严晗;甘志银;陈斌;彭庆;郑怀 -专利权人：武汉大学;广东昭信半导体装备制造有限公司
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于飞秒激光辅助的半导体材料外延生长方法和装置，所述方法在半导体材料外延生长初期，通过飞秒激光在线制备图形化衬底；在半导体材料外延生长过程中，通过飞秒激光改变生长原子的动力学特性，提高生长原子的表面迁移距离，并通过飞秒激光在局部产生等离子体，可实现局部量子点定位生长；在半导体材料外延生长掺杂工艺过程中，通过飞秒激光与掺杂原子直接作用，提高掺杂原子的活性，可实现更高效率的掺杂；此外，根据飞秒激光在生长表面的吸收和反射光强和光谱，实现对半导体材料外延生长过程在线和实时检测。本发明将飞秒激光引入到半导体材料外延生长过程中，对于半导体材料外延生长质量和掺杂效率的提高具有重大意义。
一种基于激光辅助半导体材料外延生长方法装置

[发明专利]硅基砷化镓外延结构、激光器及制备方法-CN202211627136.6在审
发明人：田宇;陈龙 -专利权人：中芯越州集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种硅基砷化镓外延结构的制备方法、硅基砷化镓外延结构、激光器的制备方法以及激光器，其中，方法包括：提供硅衬底；在硅衬底上外延生长成核层，成核层的材料包括第一半导体材料；在成核层上外延生长第一过渡层，第一过渡层的材料包括第二半导体材料；第一半导体材料和第二半导体材料均为磷化镓基半导体材料，第一半导体材料的晶格常数介于硅和第二半导体材料之间，第二半导体材料的晶格常数介于第一半导体材料和砷化镓之间；在第一过渡层上外延生长第二过渡层，第二过渡层的材料包括第三半导体材料；在第二过渡层上外延生长砷化镓层；第三半导体材料的带隙介于第二半导体材料和砷化镓之间。
硅基砷化镓外延结构激光器制备方法

[发明专利]用于制造多个光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片-CN200480022107.0有效
发明人： V·海勒 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2004-07-22 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造多个光电子半导体芯片的方法，所述光电子半导体芯片分别包括多个分别具有至少一个半导体层的结构元件。在所述方法中，提供具有衬底和生长表面的芯片复合基底。未闭合的掩膜材料层在生长表面上这样生长，使得所述掩膜材料层包括多个统计分布的具有变化的形状和/或孔径面积的窗，其中这样选择掩膜材料，使得半导体层的要在稍后的方法步骤中生长的半导体材料在该掩膜材料上基本上不能够生长或者相较于生长表面能够明显更差地生长接着，半导体层基本上同时沉积在生长表面的位于窗内的区域上。另一方法步骤是将具有所沉积的材料的芯片复合基底分隔成半导体芯片。此外，本发明还涉及按照所述方法制造的光电子半导体器件。
用于制造光电子半导体芯片方法

[发明专利]AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件-CN200910111002.7无效
发明人：康俊勇;李书平;陈航洋;刘达艺;杨伟煌;林伟;李金钗 -专利权人：厦门大学
申请日： 2009-02-03 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件，涉及一种氮化物半导体材料。提供一种用于生长氮化物半导体材料的AlN生长面复合基底的制备方法及氮化物半导体器件。在衬底上生长AlN外延层，得AlN生长面复合基底。氮化物半导体器件设有AlN生长面复合基底、过渡层和氮化物半导体器件结构材料层。过渡层生长在AlN生长面复合基底上，过渡层由含Al的氮化物材料Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(0＜x≤1，0≤y≤1)组成，氮化物半导体器件结构材料层生长在过渡层上，氮化物半导体器件结构材料层包含n型层、发光或吸收等功能结构层和p型层，其成分含有Al_xIn_yGa_(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤
aln 生长复合基底制备方法以及氮化物半导体器件

[发明专利]半导体芯片的制造方法-CN200480017891.6有效
发明人：格奥尔格·布吕德勒;贝特霍尔德·哈恩;福尔克尔·黑勒 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
申请日： 2004-06-24 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种多个半导体芯片的制造方法，特别是产生辐射的半导体芯片的制造方法，其中每个半导体芯片各具有至少一个外延制造的功能半导体层堆叠，该方法包括下列工艺步骤：提供生长基底晶圆(1)，其基本上包括与那些作为功能半导体层堆叠的半导体层序列的基础的半导体材料系统具有相同或者相似晶格参数的半导体材料系统中的半导体材料；在生长基底晶圆(1)中形成平行于生长基底晶圆(1)的主面(100)的分离区(4)；将生长基底晶圆(1)与辅助载体晶圆(2)结合；沿着分离区(4)，将从所述分离区(4)看背离辅助载体晶圆(2)的生长基底晶圆(1)的部分(11)分离；在生长基底晶圆上的残留在辅助载体晶圆(2)上的部分(12)上形成生长面，用于后续的半导体层序列的外延生长；在生长面上外延生长半导体层序列(5)；在半导体层序列上安置芯片基底晶圆；分离辅助载体晶圆(2)，以及将半导体层序列和芯片基底晶圆(7)的结合体分离为相互分开的半导体芯片。
半导体芯片制造方法

[发明专利]可提高发光效率的外延PGaN层生长结构-CN201410016758.4在审
发明人：郭文平;钟玉煌;姜红苓 -专利权人：江苏新广联科技股份有限公司
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型的外延P型GaN层生长结构，尤其是一种可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，属于半导体外延结构的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述可提高发光效率的外延PGaN层生长结构，包括衬底及生长于所述衬底上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底上的缓冲层，所述缓冲层上生长有N型化合物半导体材料层，所述N型化合物半导体材料层上生长有有源层；所述有源层上生长有电子溢出阻挡层；所述电子溢出阻挡层上生长P型化合物半导体材料层，所述P型化合物半导体材料层内生长有P型InGaN-GaN超晶格层。
提高发光效率外延 pgan 生长结构

[发明专利]一种石墨盘的清理方法-CN202310897190.0有效
发明人：张雨;颜建;黄勇 -专利权人：苏州晶歌半导体有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨盘的清理方法，包括：在石墨盘的表面上位于衬底槽之外的区域生长第一半导体材料层；在石墨盘的衬底槽内放置晶圆基底，在晶圆基底以及第一半导体层上生长第二半导体材料层；取出晶圆基底并在石墨盘的表面上位于衬底槽之外的第二半导体材料层上生长第三半导体材料层，使得石墨盘表面的沉积物爆皮脱落；使用吸附设备清除在石墨盘表面爆皮脱落的沉积物；其中，第一半导体材料、第二半导体材料以及第三半导体材料的晶格常数依次增大，第三半导体材料与第一半导体材料的晶格失配度为5%本发明对石墨盘的清理全过程均是在MOCVD设备的反应室中进行，清理完成后可以快速继续上线使用进行下一轮的半导体材料生长。
一种石墨清理方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条