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[发明专利]低温超导薄膜-CN202010838618.0有效
发明人：李浩;尤立星;王镇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低温超导薄膜，包括：n层电隔离层及n+1层超导材料层，所述超导材料层与所述电隔离层依次交替叠置；通过改变各超导材料层的厚度调整所述低温超导薄膜的超导转变温度，所述低温超导薄膜的总厚度在相干长度比拟范围内；其中，各超导材料层的材料相同，具有两层以上电隔离层时各电隔离层的材料相同，n为大于等于1的自然数。本发明的低温超导薄膜基于多层超薄的超导材料层及电隔离层调控低温超导薄膜的转变温度，通过调整单层超导材料层的厚度得到不同转变温度的超导材料，调控精度高、操作简单；本发明的低温超导薄膜的超导转变温度原则上与单层超导薄膜的转变温度一致，从而远小于体超导或较厚超导薄膜的转变温度。
低温超导薄膜

[发明专利]一种双通道超导连接及其制备方法-CN201510750190.3有效
发明人：应利良;熊伟;王会武;张国峰;王镇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明提供一种双通道超导连接及其制备方法，包括：于衬底上依次制备第一超导材料层、第一绝缘材料层、第二超导材料层；刻蚀第二超导材料层和第一绝缘材料层，露出第一超导材料层；刻蚀第一、第二超导材料层，形成双通道超导连接和约瑟夫森结；于第一绝缘材料层和衬底上形成第二绝缘材料层；形成旁路电阻；沉积第三超导材料层，并形成配线。双通道超导连接包括：并联的第一、第二通道，第一通道包括依次层叠的衬底、底电极、绝缘材料层及对电极；所述第二通道为衬底上的纯超导通道。本发明通过改进超导电路版图，在制备层间超导通道时，并联一个纯的超导连接通道，克服了以往的连接通道的约瑟夫森效应，提高了超导电路器件的性能及其稳定性。
超导材料层绝缘材料层超导连接双通道衬底制备超导电路超导通道并联刻蚀约瑟夫森结连接通道旁路电阻依次层叠底电极对电极层间配线沉积改进

[发明专利]一种圆形截面NbTi/YBCO复合超导线-CN201110046492.4有效
发明人：王银顺;皮伟;陈雷 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01B12/02 文献下载
摘要：本发明公布一种圆形截面NbTi/YBCO复合超导线，属于超导材料领域。圆形截面的低温超导线由稳定层包覆，高温超导基体层卷制包覆在稳定层上，Ag焊料在高温超导基体层卷制缝内将高温超导基体层焊接并形成Ag焊缝，高温超导体涂层涂覆在高温超导基体层外表面。低温超导线和稳定层为NbTi/Cu低温复合超导线，高温超导基体层和高温超导体涂层的材料分别为Ni-W合金基带和高温超导材料YBCO。本发明将YBCO高温超导涂层导体与NbTi/Cu复合低温超导线复合，利用YBCO高温超导材料n值比低温超导材料NbTi小很多的特点以及超导临界温度高的特性，可以抑制低温/高温超导复合超导线整体电压上升，降低复合超导线温升，使超导磁体比传统的低温和高温超导磁体运行更稳定，效率更高、更安全，应用于高场MRI磁体和MRI磁体等。
一种圆形截面 nbti ybco 复合导线

[发明专利]台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法-CN201610070503.5有效
发明人：熊伟;应利良;王会武;任洁;王镇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明提供一种台阶区域覆盖有超导覆盖层的超导电路结构及其制备方法，包括：1）提供衬底，在衬底表面依次形成第一超导材料层、第一绝缘材料层及第二超导材料层的三层薄膜结构；2）分别刻蚀第二超导材料层、第一绝缘材料层及第一超导材料层以形成下电极及约瑟夫森结；3）在步骤2）得到的结构表面形成第二绝缘材料层；4）沉积旁路电阻材料层，并刻蚀旁路电阻材料层以形成旁路电阻；5）沉积第三超导材料层，并刻蚀第三超导材料层形成配线层及超导覆盖层。本发明可以确保位于下电极表面的旁路电阻与位于第二绝缘材料层表面的旁路电阻的导通，避免出现断路故障，保证了旁路电阻连通的稳定性，提高了超导电路结构的工作性能。
台阶区域覆盖超导覆盖层电路结构及其制备方法

[发明专利]用于半导体-超导体混合结构的超导体异质结构-CN202080089201.7在审
发明人： G·C·加德纳;R·L·卡拉赫尔;S·V·格罗宁;M·J·曼弗拉 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：半导体‑超导体混合结构(10)(优选采用纳米线的形式)包括在半导体层(12)上的超导体异质结构(14)。超导体异质结构至少包括在半导体层上的第一超导体层(14A)和在第一超导体层上的第二超导体层(14B)，其中第一超导体层包括第一超导材料并且第二超导体层包括与第一超导材料不同的第二超导材料。通过提供多层不同的超导材料，诸如铝和铅，与传统的超导同质结构相比，可以改善超导体异质结构的超导和物理性质，由此提高半导体‑超导体混合结构的性能。
用于半导体超导体混合结构结构

[发明专利]量子器件的制备方法、超导电路及量子芯片-CN202211215563.3在审
发明人：高然;邓纯青 -专利权人：阿里巴巴达摩院（杭州）科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子器件的制备方法、超导电路及量子芯片。其中，该方法包括：依次在衬底的不同区域上得到多个超导材料层，其中，多个超导材料层分别包括沉积在衬底上的超导材料以及覆盖在对应超导材料上的硬掩膜，多个超导材料层中的超导材料包括具有动力学电感的超导材料；刻蚀掉多个超导材料层上的硬掩膜本发明解决了难以实现超导量子器件的制备的技术问题。
量子器件制备方法超导电路芯片

[发明专利]一种磁通超导探测器及制备方法以及探测方法-CN201710883862.7有效
发明人：陈垒;王镇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明提供一种磁通超导探测器及制备方法以及超导探测方法，制备方法包括：提供衬底，于衬底表面形成第一超导材料层；于第一超导材料层表面形成图形化的光刻胶层；刻蚀掉预设区域的第一超导材料层，保留剩余光刻胶层；于得到结构的正面及侧面覆盖一层绝缘材料层；于绝缘材料层表面形成第二超导材料层，且与第一超导材料层上表面相平齐；得到第一超导材料层和第二超导材料层中被植入至少一条绝缘夹层的结构；于上述结构表面形成超导纳米桥结通过上述方案，本发明的磁通超导探测器的有效探测尺寸做的更小，最小可测磁矩小，提高了磁矩灵敏度及空间分别率，减小器件对背景磁场的影响，可在第一个磁通偏置内，依据临界电流获得磁通变化信息。
一种超导探测器制备方法以及探测

[发明专利]约瑟夫森结的制备方法及约瑟夫森结-CN202110610839.7有效
发明人：高建峰;贺晓彬;李俊杰;王佳;刘卫兵;杨涛;李俊峰;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种约瑟夫森结的制备方法及约瑟夫森结，包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上形成牺牲层，在牺牲层上形成感光层，在牺牲层中形成第一沟道，在感光层中形成第二沟道；衬底在第一沟道、第二沟道处形成衬底暴露区；在衬底暴露区、感光层表面形成第一超导金属材料层；氧化第一超导金属材料层，形成第一绝缘材料层；去除牺牲层和感光层；去除第一超导金属材料层表面的第一绝缘材料层；氧化第一超导金属材料层，形成第二绝缘材料层；在第二绝缘材料层表面、衬底表面形成第二超导金属材料层；图形化第二超导金属材料层，刻蚀至第二绝缘材料层，第二超导金属材料层与带有第二绝缘材料层的第一超导金属材料层交叉形成约瑟夫森结。
约瑟夫制备方法

[发明专利]半导体-超导体混合器件及其制造-CN202080084194.1在审
发明人： G·C·加德纳;A·C·C·德拉克曼;C·M·马库斯;M·J·曼弗拉 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：一种制造半导体‑超导体混合器件的方法，包括：提供包括以下各项的工件：半导体组件、该半导体组件上的第一超导体材料的层、以及第一超导体材料上的第二超导体材料的层，第二超导体材料与第一超导体材料不同；蚀刻第二超导体材料的层以暴露第一超导体材料的部分；以及使第一超导体材料的该部分氧化以在半导体上形成钝化层。第一超导体在半导体与第二超导体之间提供能量耦合，并且钝化层保护半导体，同时允许电进入该半导体。还提供了一种混合器件以及一种蚀刻的方法。
半导体超导体混合器件及其制造

[发明专利]一种复合超导材料-CN201510949642.0在审
发明人：朱正良 -专利权人：常熟市东方特种金属材料厂
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合超导材料，包括超导基材和涂敷在超导基材表面的超导膜，所述超导膜的厚度为0.2-1.0微米，所述超导膜为YBCO复合膜，YBCO复合膜包括至少两层YBCO超导层，相邻的两层所述YBCO超导层之间有一层导电金属氧化物层。本发明复合超导材料，表面致密平整、超导性能优良。
一种复合超导材料

[发明专利]一种磁场屏蔽装置-CN201610160802.8在审
发明人：申屠锋营;楼伟民;沈常宇;王友清 -专利权人：中国计量学院
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：一种磁场屏蔽装置，其特征在于：由内超导体材料层(1)、磁性材料层(2)、外超导体材料层(3)组成；磁性材料层(2)置于内超导体材料层(1)外围，外超导体材料层(3)置于磁性材料层(2)外围，本发明用超导体材料与磁性材料制作屏蔽装置
一种磁场屏蔽装置

[发明专利]多超导材料层的制备方法及量子器件-CN202211215561.4在审
发明人：高然;邓纯青 -专利权人：阿里巴巴达摩院（杭州）科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种多超导材料层的制备方法及量子器件。其中，该方法包括：在衬底上沉积由第一目标区域范围的第一硬掩膜覆盖第一目标区域范围的第一超导材料的第一超导材料层；在沉积有第一超导材料层的衬底上沉积第二超导材料；将第二硬掩膜覆盖在第二超导材料上；对第二硬掩膜和第二超导材料进行刻蚀处理，得到由第二目标区域范围的第二硬掩膜覆盖第二目标区域范围的第二超导材料的第二超导材料层。本发明解决了难以在同一衬底上集成多种超导材料的技术问题。
超导材料制备方法量子器件

[发明专利]超导导线及其制造方法-CN201680091510.1在审
发明人：大木康太郎;本田元气 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：一种超导导线及其制造方法。该超导导线包括：金属衬底、在金属衬底上的中间层、在中间层上的超导材料层、以及在超导材料层上的覆盖层。覆盖层包括在超导材料层上的保护层。由中间层和超导材料层所形成的第一堆叠具有1.1V或更大的击穿电压。
超导材料层超导导线中间层覆盖层金属衬击穿电压保护层堆叠制造

[发明专利]一种有感阻性高温超导直流限流器-CN201811485906.1在审
发明人：孙建龙;杜渐;皮伟;李妍;诸晓骏;缪芸;莫思铭;蔡渊;陈慧娟;包颖;袁文 -专利权人：国网江苏省电力有限公司经济技术研究院;国网江苏电力设计咨询有限公司;江苏永鼎股份有限公司;东部超导科技（苏州）有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种有感阻性高温超导直流限流器，包括形成电流通路的超导材料；超导材料由法兰盘及拉杆进行轴向的拉紧固定；超导材料在单层平面内按照等距螺旋函数形成的螺旋状电流通路为一超导层；超导层和绝缘层依次交替堆叠设置；相邻的超导层通过相同端部的连接形成单一螺旋方向的单向通路；在两端头的超导层上还设置了电流引线。本发明采用ReBCO涂层材料制作螺旋形超导片，拓展了高温超导材料的应用范围；将螺旋形超导片按照一定规律堆叠、连接，再经固定装置固定，构成具有一定电感的阻性高温超导直流限流器，能有效地抑制故障电流峰值和上升率
一种有感高温超导直流限流

[发明专利]一种NbTi超导体多芯线接头及其制备方法-CN201110347318.3有效
发明人：程军胜;宋守森;刘建华;王秋良 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2011-11-06 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01R9/03 文献下载
摘要：一种NbTi超导体多芯线接头及其制备方法。所述接头的内部是由超导填充材料(4)和待连接NbTi超导体多芯线的NbTi超导丝簇(3)两者混合组成的超导连接核心，超导连接核心的外部包覆超导复合层(5)，超导复合层(5)外部包覆锡焊层(8)，锡焊层(8)外部包覆绝缘层(9)，超导连接核心、超导复合层(5)、锡焊层(8)和绝缘层(9)之间紧密结合，接头整体为锲形结构；超导复合层(5)分为内外两层，其外层为纯铜层(6)，内层为超导层(7)，超导层(7)成分为Nb或NbTi合金超导材料。
一种 nbti 超导体多芯线接头及其制备方法

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