“半导体工艺”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1778503个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体工艺-CN201510611091.7有效
发明人：谢维铭;蔡裕斌;曹育诚;王丞鸿;林俊杰;杨秀雄 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体工艺，其包含以下步骤：(a)提供半导体元件，且测试所述半导体元件；(b)将所述半导体元件经由粘着层贴附至载体上，使得所述粘着层夹设于所述半导体元件与所述载体之间；(c)切割所述半导体元件以形成多个半导体元件单体；(d)测试所述半导体元件单体；及(e)比对步骤(a)的测试结果与步骤(d)的测试结果。借此，所述半导体元件单体彼此间的间隙在切割后即固定，而便于测试所述半导体元件单体。
半导体工艺

[其他]半导体工艺-CN85104071无效
发明人：彼得·戴维·格林;丹尼尔·塞吉斯芒多·奥托·伦纳 -专利权人：标准电话电报公共有限公司
申请日： 1985-05-28 - 公布日： 1986-11-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：用于制造半导体器件特别是但不只是Inp/InGaAsP低阈值半导体激光器的质量传递工艺，包括生长材料盖片(18)靠近要生长材料的半导体晶片(15)的安排，它们与晶状卤化碱(20)一起在坩埚(16)内的布置和坩埚的加热生长是在与液相外延工艺相似的温度下进行的。
半导体工艺

[发明专利]半导体工艺-CN201110261301.6在审
发明人：廖晋毅;许嘉麟;李名言;吴心蕙;谢詠伦;陈健豪;李柏轩 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2011-09-06 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工艺，包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，形成至少一鳍状结构于基底上。接续，形成一氧化层于鳍状结构以外的基底上。之后，形成一栅极覆盖部分氧化层及部分鳍状结构。而后，进行一蚀刻工艺，蚀刻栅极侧边的部分鳍状结构，而于鳍状结构中形成至少一凹槽。然后，进行一外延工艺，以于凹槽中形成一外延层，其中外延层具有一六角形的剖面结构。
半导体工艺

[其他]半导体工艺-CN101985000004071在审
发明人：彼得·戴维·格林;丹尼尔·塞吉斯芒多·奥托·伦纳 -专利权人：标准电话电报公共有限公司
申请日： 1985-05-28 - 公布日： 1989-02-15 - 主分类号：文献下载
摘要：用于制造半导体器件特别是但不只是ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ低阈值半导体激光器的质量传递工艺，包括生长材料盖片（１８）靠近要生长材料的半导体晶片（１５）的安排，它们与晶状卤化碱（２０）一起在坩埚（１６）内的布置和坩埚的加热生长是在与液相外延工艺相似的温度下进行的。
半导体工艺

[发明专利]半导体工艺-CN201210183841.1有效
发明人：吕珈宏;支高雄;倪志荣 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工艺。首先，提供具有晶胞区与周边区的基底。然后，于晶胞区的基底上形成多个第一栅极结构以及于周边区的基底上形成至少一第二栅极结构。继之，对非晶硅层进行一再结晶工艺，以形成第一多晶硅层。
半导体工艺

[发明专利]半导体工艺-CN201010143184.9有效
发明人：吴文进;杨固峰;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-03-29 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体工艺，包括在以一保护层进行封胶的薄化晶片的边缘处形成一支撑结构。支撑结构可为围绕保护层的一粘着层、埋入于薄化晶片并围绕保护层的填有介电材料的沟槽、或是固定薄化晶片边缘的外罩。
半导体工艺

[发明专利]半导体工艺-CN200610171762.3有效
发明人：赖育聪;黄俊仁;姚志成;廖俊雄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-12-29 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体工艺，包括使用一含有氟自由基的等离子体于硬掩模及其下方的层中蚀刻出一特征图形；及使用一可与氟自由基反应的气体进行处理，使残留的氟自由基与气体反应，形成含氟化合物而移除。如此，可防止氟自由基与硬掩模的钛成分反应形成沉积于基材上的颗粒，造成工艺缺陷。
半导体工艺

[发明专利]半导体工艺-CN85104071.3无效
发明人：彼得·戴维·格林;丹尼尔·塞吉斯芒多·奥托·伦纳 -专利权人：标准电话电报公共有限公司
申请日： 1985-05-28 - 公布日： 1989-02-15 - 主分类号： H01S3/18 文献下载
摘要：用于制造半导体器件特别是但不只是InP/InGaAsP低阈值半导体激光器的质量传递工艺，包括生长材料盖片(18)靠近要生长材料的半导体晶片(15)的安排，它们与晶状卤化碱(20)一起在坩埚(16)内的布置和坩埚的加热生长是在与液相外延工艺相似的温度下进行的。
半导体工艺

[发明专利]半导体工艺件处理装置-CN200510028563.2有效
发明人：陈爱华;户高良二 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2005-08-05 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体工艺件处理装置，包括至少一个半导体工艺件处理腔室，处理腔室内设置有多个半导体工艺件处理平台，每一个半导体工艺件处理平台处理一片半导体工艺件，每一个半导体工艺件处理平台可以分别旋转，半导体工艺件处理装置还设有密封机构以在半导体工艺件处理平台运动时保持半导体工艺件处理腔室内部密封本发明的半导体工艺件处理装置在对多个半导体工艺件处理时，能具有独立的半导体工艺件处理环境，以保证每片半导体工艺件处理的均一性，并且能够灵活地对半导体工艺件进行处理。
半导体工艺处理装置

[发明专利]多晶硅栅极关键尺寸的先进控制方法-CN201610510996.X在审
发明人：聂钰节;唐在峰;吴智勇;任昱;吕煜坤 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅栅极关键尺寸的先进控制方法，用于在多晶硅栅极薄膜结构进行工艺时对半导体设备进行工艺控制，包括：提供测试半导体图形控片，所述测试半导体图形控片用于模拟测试半导体设备的工艺参数；在所述半导体设备中对所述测试半导体图形控片进行测试半导体工艺；基于所述测试半导体工艺获得所述半导体设备的当前工艺参数；将所述当前工艺参数更新至先进工艺过程控制系统；所述先进工艺过程控制系统基于所述当前工艺参数控制所述半导体设备对多晶硅栅极薄膜结构进行工艺。本发明能够在半导体设备的工艺参数发生漂移的情况下，控制半导体工艺的稳定性，解决了不同批次间以及设备腔体维护保养前后的半导体工艺的稳定性问题。
多晶栅极关键尺寸先进控制方法

[发明专利]半导体工艺件装卸装置及其装载和卸载方法-CN200510028667.3有效
发明人：户高良二 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2005-08-11 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工艺件装卸装置以及使用该装置装卸半导体工艺件的方法，采用了处理平台上升托起半导体工艺件的手段，在半导体工艺件装卸过程中，可以保持半导体工艺件停留在原位不动而不需要随顶针上下升降，从而保证半导体工艺件准确定位在处理平台上，避免了由顶针升降带来的半导体工艺件位置发生偏移的问题，实现了半导体工艺件的快速装卸。
半导体工艺装卸装置及其装载卸载方法

[发明专利]处理半导体晶片盒的半导体工厂自动化系统和方法-CN00124022.6无效
发明人：姜荣助;河圣海;朴京锡 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 2000-06-22 - 公布日： 2001-01-17 - 主分类号： G05B15/00 文献下载
摘要：一种在半导体工厂自动化系统中处理半导体晶片盒的方法,其中半导体晶片盒含有预定数量的半导体晶片,包括以下步骤a)接收操作员输入的工艺进程数据和工艺制法;b)存储工艺进程数据和工艺制法;c)在半导体晶片盒装载到半导体处理装置之前,将半导体晶片盒的工艺进程数据和工艺制法发送到处理设备;以及d)根据工艺制法和工艺进程数据处理半导体晶片盒。根据本发明的方法能够减少处理半导体晶片盒所需要的时间周期。
处理半导体晶片工厂自动化系统方法

[发明专利]半导体工艺及半导体设备-CN201810574628.0有效
发明人：陈俊志;钟嘉麒;杨文豪;黄镖浚;林宏铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：一种半导体工艺，适于使用半导体设备对半导体晶片进行显影工艺。半导体工艺至少包括下列步骤。在化学溶液经由半导体设备的喷嘴提供至半导体晶片上的期间，藉由半导体设备的摄影装置依序撷取喷嘴的第一图像及第二图像。计算第一图像及第二图像的分析区域中化学溶液所占的比例，以判断半导体设备是否异常。另提供一种适于对半导体晶片进行显影工艺的半导体设备。
半导体工艺半导体设备

[发明专利]监控退火设备出现小颗粒尺寸缺陷的方法-CN201410469249.7在审
发明人：何理;许向辉 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种监控退火设备出现小尺寸颗粒缺陷的方法，用于在半导体设备进行工艺监控，包括；提供监控用半导体衬底以及生产用半导体衬底，所述监控用半导体衬底没有图形；将所述监控用半导体衬底以及生产用半导体衬底按照相同的半导体工艺流程在所述半导体设备中进行半导体工艺；在半导体工艺之后，将所述监控用半导体衬底上形成氧化层；基于形成有氧化层的监控用半导体衬底进行缺陷扫描判断，获得所述半导体设备的小尺寸颗粒缺陷的情况。
监控退火设备出现颗粒尺寸缺陷方法

[发明专利]半导体加工工艺传感器及表征半导体加工工艺的方法-CN201410379803.2有效
发明人： J.H.李 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：半导体加工工艺传感器以及表征用来形成半导体加工工艺传感器的半导体加工工艺的方法。所述半导体加工工艺传感器包括恒定参考电压源，配置为产生恒定参考电压信号；加工工艺传感器元件，其耦接到所述恒定参考电压源，并被配置为接收所述恒定参考电压信号，感测表示用来形成所述半导体加工工艺传感器的半导体加工工艺的加工工艺参数，并基于该感测的加工工艺参数产生表征用来将半导体加工工艺传感器形成为额定、高于额定或低于额定中的一种的半导体加工工艺的加工工艺测量信号。
半导体加工工艺传感器表征方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条