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[发明专利]半导体装置及其制造方法、电路板和电子仪器-CN03178462.3无效
发明人：中山浩久 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2003-07-16 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，本发明的半导体装置包含：半导体芯片(40)、设置了半导体芯片(40)的薄板(30)、密封了半导体芯片(40)和薄板(30)的密封部(60)、在密封部(60)内通过导线电连接在半导体芯片
半导体装置及其制造方法电路板电子仪器

[发明专利]光半导体元件密封用片-CN202211664510.X在审
发明人：田中俊平;植野大树;长束尚辉;仲野武史;浅井量子;福富秀平 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B32B27/30 文献下载
摘要：提供在将光半导体元件密封的状态下外观性优异、且能够不易引起亮度不均的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片(1)为用于对配置在基板(5)上的1个以上的光半导体元件(6)进行密封的片。光半导体元件密封用片(1)具备：与光半导体元件(6)接触的第一密封层(21)、层叠于第一密封层(21)的第二密封层(22)、以及层叠于第二密封层(22)的具有粘合性和/或粘接性的第三密封层(23)。第二密封层(22)和/或第三密封层(23)包含着色剂。选自第一密封层(21)、第二密封层(22)和第三密封层(23)组成的组中的1个以上为扩散功能层。
半导体元件密封

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410007206.3有效
发明人：龟山工次郎;三田清志 -专利权人：三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
申请日： 2004-02-27 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，其为薄型及小型，且机械强度及耐湿性优异。半导体装置(10A)由密封树脂(13)密封具有受光部或发光部的光半导体元件(14)，形成包覆光半导体元件(14)的表面的包覆层(12)由密封树脂(13)的表面露出的结构。因此，和利用透明树脂密封整体的现有例比较，可以形成薄的密封树脂(13)，可以使装置整体的厚度变薄。而且使用混入了填料的密封树脂，构成半导体装置(10)。由此可以形成具有优异的机械强度和耐湿性的半导体装置。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]紧贴性评价试验用的试验片的制造方法及紧贴性评价方法-CN202180009105.1在审
发明人：岩井贵雅;藤野纯司;大森畅彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：紧贴性评价试验用的试验片的制造方法具备：准备半导体装置的工序(S100)；以及形成紧贴性评价试验用的试验片的工序(S200)。在准备半导体装置的工序(S100)中，半导体装置具备：基底构件；半导体元件，所述半导体元件搭载于基底构件；以及密封树脂，所述密封树脂将基底构件及半导体元件密封。在形成紧贴性评价试验用的试验片的工序(S200)中，由半导体装置的密封树脂在基底构件上形成紧贴性评价试验用的试验片。
紧贴评价试验制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210083484.5在审
发明人：卓鸿钧;廖思豪;胡毓祥;郭宏瑞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：在实施例中，器件包括：半导体管芯，包括半导体材料；通孔，邻近半导体管芯，通孔包括金属；密封剂，位于通孔和半导体管芯周围，密封剂包括聚合物树脂；以及粘合层，位于密封剂和通孔之间，粘合层包括具有芳香族化合物和氨基的粘合剂化合物，氨基结合至密封剂的聚合物树脂，芳香族化合物结合至通孔的金属，芳香族化合物对半导体管芯的半导体材料是化学惰性的。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体密封填充用环氧树脂组合物、半导体装置及其制造方法-CN201110051870.8无效
发明人：榎本哲也;宫泽笑;本田一尊;永井朗;大久保惠介 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明为半导体密封填充用环氧树脂组合物、半导体装置及其制造方法。本发明提供一种储存稳定性优异、且能够充分抑制在进行倒装片连接时产生孔隙、可以获得良好的连接可靠性的半导体密封填充用环氧树脂组合物、以及使用该组合物的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体密封填充用环氧树脂组合物以环氧树脂、酸酐、固化促进剂、助熔剂为必须成分，固化促进剂是季鏻盐。本发明还提供使用该半导体密封填充用环氧树脂组合物的半导体装置及其制造方法。
半导体密封填充环氧树脂组合装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202010977265.2在审
发明人：胁坂伸治 -专利权人：青井电子株式会社
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明实现安装有在背面侧具有电极的半导体元件的半导体装置的小型化、薄型化。半导体装置具备：第一半导体元件，其在主面侧具有第一电极，并在背面侧具有第二电极；基材，其设有与第一电极连接的连接导体；密封树脂，其设置在基材上，将第一半导体元件进行密封；以及第一过孔，其设于密封树脂，并与第一半导体元件的第二电极电连接
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体封装、电子装置及半导体封装的制造方法-CN202080049641.X在审
发明人：山口晃弘;今泉典久;上小牧隆磨;近藤宏司;宫野博宇;横地智宏;增田元太郎 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：具备半导体芯片(30)、搭载半导体芯片(30)的散热部件(20)和将半导体芯片(30)密封的密封部件(60)。并且，密封部件(60)由液晶聚合物构成。
半导体封装电子装置制造方法

[发明专利]半导体器件以及用于形成低廓形嵌入式晶圆级球栅阵列模塑激光封装的方法-CN201810430430.5有效
发明人：尹胜煜;J.A.卡帕拉斯;林耀剑;P.C.马里穆图 -专利权人：长电集成电路（绍兴）有限公司
申请日： 2013-03-01 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件以及用于形成低廓形嵌入式晶圆级球栅阵列模塑激光封装的方法。一种半导体器件，具有半导体管芯，其具有沉积在半导体管芯之上和周围的密封剂。在密封剂的第一表面之上形成互连结构。形成从密封剂的第二表面到密封剂的第一表面的开口以暴露互连结构的表面。凸块形成为在开口内凹进并被设置在互连结构的表面之上。提供一种半导体封装。半导体封装被设置在密封剂的第二表面之上并且被电连接到凸块。在半导体封装之上形成多个互连结构以将半导体封装电连接到凸块。半导体封装包括存储器件。半导体器件包括小于1毫米的高度。开口包括通过激光直接烧蚀形成的锥形侧壁。
半导体器件以及用于形成低廓形嵌入式晶圆级球栅阵列激光封装方法

[实用新型]一种新型防水LED显示屏-CN202120060717.0有效
发明人：赖梅 -专利权人：深圳市九晟光电通讯科技有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：本实用新型涉及显示设备技术领域，具体为一种新型防水LED显示屏，包括密封箱，嵌设于所述密封箱正面的显示器本体，所述密封箱背面为保温隔热板，所述保温隔热板的内侧设置有半导体制冷片，所述保温隔热板的外侧设置有半导体散热片，所述半导体制冷片和所述半导体散热片电性连接，所述半导体制冷片正对所述显示器本体设置；实际应用中，显示屏本体在使用过程中散热，通过半导体制冷片吸收密封箱内部显示屏本体散发的热量，通过半导体散热片将半导体制冷片吸收的热量散发到密封箱外部；通过保温隔热板为半导体制冷片和半导体散热片保温隔热；本实用新型无需预留散热孔散热，防水效果好，延长了LED显示屏的使用寿命。
一种新型防水 led 显示屏

[发明专利]覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置-CN201310272048.3在审
发明人：江部悠纪;片山博之;木村龙一;大西秀典;福家一浩 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置。该制造方法具有：准备工序，准备具有形成有在厚度方向上贯通的通孔的硬质的支承板和以覆盖通孔的方式层叠在支承板的厚度方向一侧的表面的粘合层的支承片；半导体元件配置工序，将半导体元件配置在粘合层的在厚度方向上与贯通孔相对的厚度方向一侧的表面；半导体元件覆盖工序，利用密封层覆盖半导体元件，从而获得覆有密封层的半导体元件；以及半导体元件剥离工序，通过使推压部件从厚度方向另一侧插入上述通孔，从而将覆有密封层的半导体元件从粘合层剥离下来。
密封半导体元件制造方法装置

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201310142037.3有效
发明人：沈一权;俊谟具;P.C.马里穆图;林耀剑;林诗轩 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：半导体器件及其制作方法。一种半导体器件，具有包括基底和从基底延伸的多个导电柱的衬底。该衬底可以是晶片形状、面板、或已单体化的形式。导电柱可以具有圆形、矩形、锥形、或中间变窄的形状。半导体管芯通过基底中的开孔被设置在导电柱之间。半导体管芯在导电柱上面延伸或者被设置在导电柱的下面。密封剂沉积在半导体管芯上并且围绕导电柱。基底和密封剂的一部分被去除以电隔离导电柱。在半导体管芯、密封剂、和导电柱上形成互连结构。在半导体管芯、密封剂、和导电柱上形成绝缘层。半导体封装设置在半导体管芯上并电连接到导电柱。
半导体器件及其制作方法

[实用新型]半导体装置-CN201821531176.X有效
发明人：下山浩哉;中村弘幸 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置。半导体装置是通过在密封部分中密封各自包括用于高侧开关的功率晶体管的第一、第二和第三半导体芯片，各自包括用于低侧开关的功率晶体管的第四、第五和第六半导体芯片，以及包括控制这些芯片的控制电路的半导体芯片而获得的半导体装置第四、第五和第六半导体芯片的源极焊盘经由金属板电耦合到多个引线LD9和多个引线LD10。在平面中看时，引线LD9与密封部分的边MRd4相交，并且引线LD10与密封部分的边MRd2相交。由此形成的半导体装置增强了半导体装置的性能。
半导体装置半导体芯片密封功率晶体管相交低侧开关高侧开关控制电路源极焊盘电耦合金属板中密封芯片

[发明专利]结合晶片级不同尺寸半导体管芯的方法和半导体器件-CN201110349177.9有效
发明人：具俊谟;P·C·马里穆图;S·W·尹;沈一权 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及结合晶片级不同尺寸半导体管芯的方法和半导体器件。半导体晶片具有第一和第二相对的表面。形成部分地穿过所述半导体晶片的第一表面的多个导电通孔。将所述半导体晶片单体化成多个第一半导体管芯。安装所述第一半导体管芯到载体。安装第二半导体管芯到所述第一半导体管芯。第二半导体管芯的占位面积比第一半导体管芯的占位面积大。在所述第一和第二半导体管芯以及载体上沉积密封剂。去除所述载体。在第一半导体管芯的与所述第二半导体管芯相对的表面上形成互连结构。可替换地，在第一半导体管芯和载体上沉积第一密封剂，并且在第二半导体管芯上沉积第二密封剂。
结合晶片不同尺寸半导体管芯方法半导体器件

[发明专利]功率半导体模块以及电力变换装置-CN201880094310.0在审
发明人：梶勇辅;泷久幸;平松星纪 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：功率半导体模块(1)具备绝缘基板(11)、第1导电电路图案(13)、第2导电电路图案(14)、第1半导体元件(20)、第2半导体元件(21)、密封部件(40)以及第1势垒层(50)。密封部件(40)密封第1半导体元件(20)、第2半导体元件(21)、第1导电电路图案(13)以及第2导电电路图案(14)。第1势垒层(50)以及密封部件(40)中的至少1个包括第1应力缓和部(53)。因此，功率半导体模块(1)具有提高的可靠性。
功率半导体模块以及电力变换装置