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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN200610121409.4有效
发明人：佐藤明弘;关口智;镰土清和;坪野谷诚;三田清志;锅田洋一 -专利权人：三洋电机株式会社;关东三洋半导体株式会社
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种具有半导体芯片、电连接到半导体芯片的第一线圈、和电连接到第一线圈的第一电极的半导体装置，包括第二电极，第二电极可电连接到第一电极并且可在半导体装置外部电连接到第二线圈，其特征在于：通过电连接第二电极到第一电极和第二线圈，获得由第一线圈和第二线圈组成的电感。
半导体装置

[发明专利]半导体装置和电路装置-CN200510121788.2有效
发明人：佐藤明弘;关口智;镰土清和;黑川和成;坪野谷诚;三田清志;锅田洋一;泽井彻郎;今冈俊一 -专利权人：三洋电机株式会社;关东三洋半导体株式会社
申请日： 2005-12-21 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括基板，固定地紧固到基板一侧上的半导体芯片，形成于基板的另一侧上并与半导体芯片电连接的螺旋状线圈，和为了稳定线圈的电感特性而形成于基板与半导体芯片面对的一侧表面上的导电图案。
半导体装置电路

[发明专利]切削方法、切削装置及半导体器件的制造方法-CN200410061698.4有效
发明人：龟山工次郎;三田清志 -专利权人：三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
申请日： 2004-06-30 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种切削方法及其切削装置，可有效地除去毛刺。该切削方法用于切削半导体器件组的边界部而分离成各个半导体器件，其中，半导体器件组由将具有延展性的第一层和第二层叠层在周边侧的半导体器件排列多个而构成，该方法包括：切削工序，将第一旋转体从所述半导体器件组的边界部向所述第一和所述第二层的叠层方向移动，并切削所述第一和所述第二层；以及毛刺除去工序，将与所述第一旋转体相比为软质并且宽度在其同等以上的第二旋转体从所述半导体器件组的已被切削的边界部向所述叠层方向移动，以除去所述第一层中的毛刺。
切削方法装置半导体器件制造

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410061938.0有效
发明人：龟山工次郎;三田清志 -专利权人：三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
申请日： 2004-06-29 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，可提高对熔接在外部端子上的接合材料的目视确认性。该半导体器件将半导体元件和与所述半导体元件电连接的电极通过具有绝缘性的密封材料进行密封，并使所述电极在介由接合材料与外部的安装基板接合的安装面的周围露出，所述电极在所述安装面通过所述接合材料接合于所述安装基板的状态下，从包围所述安装面的侧面一侧呈现可目视所述接合材料的形状。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]光半导体装置及其制造方法-CN200410031869.9有效
发明人：龟山工次郎;三田清志 -专利权人：三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
申请日： 2004-03-30 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种光半导体装置及其制造方法，其可提高耐湿性等。本发明的光半导体装置(10A)包括：光半导体元件(11)，包含受光元件或发光元件的电路部(21)形成于其表面；端子部(17)，其设于所述光半导体元件(11)的背面，而且和所述电路部(21)电连接；被覆层(12)，其被覆所述光半导体元件(11)的表面而且由透明材料构成；密封树脂(16)，其被覆被覆层(12)及光半导体元件(11)的侧面。电路部(21)和端子部(17)也可以由再配线(15)连接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200410031870.1有效
发明人： 三田清志 -专利权人：三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
申请日： 2004-03-30 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，其提供连接可靠性优良的半导体装置，其包括：通过蚀刻除构成端子12的位置以外的第一导电箔10，在第一导电箔10表面形成凸状地突起的端子部12的工序；使树脂片14重叠在第一导电箔10上，以埋入端子部12的工序；通过将树脂层15作为下面，使背面形成有树脂层15的第二导电箔16重叠在树脂片14上，构成层积片18的工序；通过蚀刻第二导电箔16形成导电图案17的工序；将导电图案17和端子部12电连接的工序；将端子部12相互间电分离的工序；在层积片18上固定半导体元件22，将半导体元件22和导电图案17电连接的工序；在层积片18表面形成密封树脂24，以覆盖半导体元件22的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410031999.2有效
发明人： 三田清志 -专利权人：三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
申请日： 2004-03-31 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，可提高安装衬底和密封树脂的可靠性。本发明的半导体装置10A包括如下结构：安装衬底11，其周边部具有台阶部15；第一导电图案12及第二导电图案16，在安装衬底11的表面及背面形成；半导体元件13，其被固定在安装衬底11上，和第一导电图案12电连接；密封树脂，覆盖安装衬底11表面及台阶部15，密封半导体元件13。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]安装衬底的制造方法及电路装置的制造方法-CN200410031998.8有效
发明人： 三田清志 -专利权人：三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
申请日： 2004-03-31 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种安装衬底的制造方法及电路装置的制造方法，在多个电极上施行电镀。本发明安装衬底11的制造方法包括如下工序：在安装衬底11上形成由镀线18电连接的多个电极的工序；通过介由镀线18向电极通电，利用电镀在电极上覆盖镀膜19的工序；通过分断镀线18，将各电极电分离的工序。本发明电路装置10的制造方法在所述衬底制造方法的基础上还具有如下工序：在安装衬底11上固定电路元件12，将电极和电路元件12电连接的工序；形成覆盖电路元件12的密封树脂17的工序。
安装衬底制造方法电路装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410007206.3有效
发明人：龟山工次郎;三田清志 -专利权人：三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
申请日： 2004-02-27 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，其为薄型及小型，且机械强度及耐湿性优异。半导体装置(10A)由密封树脂(13)密封具有受光部或发光部的光半导体元件(14)，形成包覆光半导体元件(14)的表面的包覆层(12)由密封树脂(13)的表面露出的结构。因此，和利用透明树脂密封整体的现有例比较，可以形成薄的密封树脂(13)，可以使装置整体的厚度变薄。而且使用混入了填料的密封树脂，构成半导体装置(10)。由此可以形成具有优异的机械强度和耐湿性的半导体装置。
半导体装置及其制造方法

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