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[发明专利]半导体元件的制造方法及其半导体元件-CN200710079401.0有效
发明人：王昭雄;黄健朝;胡正明;曾鸿辉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-03-05 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体元件的制造方法及其半导体元件。其提供一种填充内连线介层窗的铝基质导体，及藉由此铝基质导体所形成的半导体元件。半导体元件包括有第一介电层。其中介电层具有截面面积实质小于1μm²的开口形成于其中，以及填充于开口中的物理气相沉积铝基质导体。本发明的半导体元件的制造方法使半导体元件同时具有复数个铝基质介层窗插塞，以及晶粒尺寸与铝基质介层窗插塞相同的铝基质导电层，而能够构成可以改善半导体元件导体电阻劣化问题的堆叠金属垫。本发明的半导体元件，可同时具有复数个铝基质介层窗插塞以及晶粒尺寸与铝基质介层窗插塞相同的铝基质导电层，而可以改善半导体元件导体电阻劣化的问题。
半导体元件制造方法及其

[发明专利]纳米片、应用及其制备方法-CN202111196162.3在审
发明人：彭笑刚;陈栋栋 -专利权人：浙江大学;纳晶科技股份有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：纳米片包括多颗间隔分布的半导体纳米晶和分散多颗半导体纳米晶的基质，半导体纳米晶的材料为第一半导体化合物，基质的材料为第二半导体化合物，基质为连续的单晶材料。半导体纳米晶间隔分散在二维的基质中，外延形成的第二半导体化合物不仅连续完整，没有空洞，而且结晶质量好，为单晶的状态，这样的基质晶体一方面对半导体纳米晶的电子和空穴在空间分布进行了限域，同时也为半导体纳米晶之间发生量子耦合提供了基础
纳米应用及其制备方法

[发明专利]用半导体微粒的分散体制造半导体器件的方法-CN200510083398.0无效
发明人：托马斯·库格勒;克里斯托弗·约瑟姆;戴维·鲁塞尔;李顺普 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-07-18 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：一种用于形成例如薄膜的半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：在基底的表面上沉积第一半导体颗粒的悬浮液和第二半导体或其前体溶液，使得在其上产生包含悬浮在含有第二半导体或其前体的液相中的第一半导体颗粒的混合物；和使该混合物凝固，以形成第二半导体基质中包含第一半导体颗粒的半导体器件，其中该基质与相邻的第一半导体颗粒电连接，第一和第二半导体为相同导电型并由相同或不同材料制成。同时还提供一种半导体器件本身。该部件包括在半导体粘合剂的基质中的半导体颗粒，基质具有和半导体颗粒相同的导电型并是和形成颗粒相同或不同的材料，该半导体粘合剂和相邻的半导体颗粒电连接。
半导体微粒散体制造半导体器件方法

[发明专利]用于将多个晶种基质设置在载体元件上的方法和带有晶种基质的载体元件-CN201780068513.8有效
发明人： S·瑞伯;K·席林格 -专利权人：奈克斯沃夫有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将多个半导体晶种基质设置在载体元件上的方法，以便向晶种基质上施加半导体层，其中，所述晶种基质通过材料连接结构设置在载体元件上。本发明还涉及一种具有晶种基质的载体元件，所述晶种基质用于涂覆半导体层。
用于将多个晶种基质设置载体元件方法带有

[发明专利]量子点发光层-CN200680033449.1无效
发明人： K·B·卡亨 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种无机发光层以及制备所述发光层的方法，所述发光层包含：许多发光核，各核具有响应空穴和电子复合而发光的半导体材料，各所述发光核限定第一带隙；许多半导体壳，所述半导体壳分别形成于所述发光核周围以形成核/壳量子点，各所述半导体壳具有比所述第一带隙宽的第二带隙；和半导体基质，所述半导体基质与所述半导体壳相连以提供经由所述半导体基质并至各所述半导体壳及其相应发光核的导电路径以便允许空穴和电子复合。
量子发光

[发明专利]纳米复合热电转换材料及其制造方法-CN201280039006.9无效
发明人：村井盾哉;木太拓志 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L35/26 文献下载
摘要：一种纳米复合热电转换材料包括基质以及作为分散剂分散在所述基质中的半导体纳米线。所述半导体纳米线在所述半导体纳米线的长轴方向上单向排列。
纳米复合热电转换材料及其制造方法

[发明专利]具有嵌入基质中的半导体结构的复合材料-CN201280065133.6在审
发明人：朱厄妮塔·库尔京;科林·里斯;布赖恩·西奥博尔德;内森·麦克劳克林;马修·J·卡里洛;朴欧浩;杰奥尔杰塔·马松;史蒂文·M·休斯 -专利权人：太平洋光技术公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：描述了具有嵌入基质中的半导体结构的复合材料。在实例中，复合材料包括基质材料。多个半导体结构被嵌入基质材料中。每个半导体结构包括由第一半导体材料组成的并且具有在1.0至2.0之间但不包括1.0和2.0的宽高比的各向异性纳米晶体核。每个半导体结构还包括至少部分包围所述各向异性纳米晶体核的由不同的第二半导体材料组成的纳米晶体壳。绝缘体层封装每个纳米晶体壳和各向异性纳米晶体核配对。
具有嵌入基质中的半导体结构复合材料

[发明专利]使用填充四面体半导体的半导体器件-CN200710142429.4有效
发明人：清水达雄;山本和重 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-08-22 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：通过引入用于取代晶格点位置的组分原子的杂质原子S和将被插入到基质半导体的间隙位置的杂质原子I形成的一种配备有填充四面体半导体的半导体器件，其中在该基质半导体处组分原子被键合以形成四面体键结构。这种半导体器件被制造为呈现高迁移率级别和高电流驱动力并且使用如下的一种半导体物质作为沟道材料，该半导体物质中由于杂质原子S和杂质原子I之间发生的电荷转移使得杂质原子S具有与基质半导体的组分原子一致的电荷，并且该半导体物质中杂质原子I以一种呈现闭壳结构的电子排列的状态键合。
使用填充四面体半导体半导体器件

[发明专利]基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法-CN200910112318.8无效
发明人：康俊勇;林伟;李书平;陈航洋;刘达艺;陈珊珊;杨伟煌 -专利权人：厦门大学
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：所述基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构自底层至顶层依次为：同质基质材料层或异质基质材料层，n型GaN基半导体层，InN/GaN应变量子阱，p型GaN基半导体层，n型GaN基半导体层上设有负电极，p型GaN半导体层设有正电极。选择基质材料；在基质材料上外延生长n型GaN基半导体层；在n型GaN基半导体层上交替生长GaN垒层和InN阱层3～11个周期；在最上一层InN阱层上生长p型GaN基半导体层，退火，在p型和n型GaN层上制备正负电极
基于 inn gan 应变量子紫外 led 结构及其制备方法

[发明专利]微机电系统器件、微机电系统加速度计及其形成方法-CN202110423645.6在审
发明人：陈亭蓉;林诗玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：在半导体基质材料层中的凹陷表面上形成半导体氧化物板。在半导体基质材料层中形成多个梳结构。所述多个梳结构包括通过第一半导体部分而间隔开的一对内梳结构。使用各向同性刻蚀工艺相对于所述多个梳结构选择性地移除在侧向上环绕第一半导体部分的第二半导体部分。半导体氧化物板、所述一对内梳结构及覆盖所述多个梳结构的图案化刻蚀掩模层保护第一半导体部分免受各向同性刻蚀工艺的刻蚀剂影响。形成用于微机电系统器件的可移动结构，所述可移动结构包括半导体基质材料层的第一部分与所述一对内梳结构的组合。
微机系统器件加速度计及其形成方法

[发明专利]柔性液晶显示器及其背光源-CN201711368855.X在审
发明人：查宝 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：背光源包括多个发光二极管，每一个发光二极管包括基板、透明外罩及发光二极管芯片，发光二极管芯片设置于基板上，透明外罩用于对发光二极管芯片进行封装，发光二极管芯片包括衬底、依次叠层设于衬底上的第一电极、P型半导体层、N型半导体层、第二电极，P型半导体层包括基质及填充于基质中的半导体结构阵列，半导体结构阵列包括阵列排布的多个半导体结构。通过半导体结构阵列可以在弯曲过程中提升发光二极管芯片的发光均匀性，同时，通过在基质中填充半导体结构阵列，减少了在弯曲过程中半导体结构阵列受到的应力，从而避免半导体层发生断裂。
柔性液晶显示器及其背光源

[发明专利]光电子器件和包括光电子器件的图像传感器-CN202010804191.2在审
发明人：赵庆相;白瓒郁;金镐正 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：该光电子器件可以包括：第一半导体层，被掺杂为具有第一导电类型；第二半导体层，设置在第一半导体层的上表面上并且被掺杂为具有与第一导电类型在电学上相反的第二导电类型；透明基质层，设置在第二半导体层的上表面上；多个量子点，布置成与透明基质层接触；以及第一电极和第二电极，第一电极设置在透明基质层的第一侧，第二电极设置在透明基质层的与第一侧相对的第二侧，其中，第一电极和第二电极电连接到第二半导体层。
光电子器件包括图像传感器

[发明专利]Ⅲ－Ⅴ发光器件-CN200680035651.8有效
发明人： M·R·克拉梅斯;N·F·加德纳;J·E·埃普勒 -专利权人：飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
申请日： 2006-09-22 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括n型区、p型区和布置在n型区和p型区之间的III－氮化物发光层。所述III－氮化物发光层具有大于3.19ú的晶格常数。这种半导体结构可以在衬底上生长，所述衬底包括基质和与所述基质粘结的种子层。在某些实施例中，粘结层把基质粘结到种子层。种子层比用于松弛半导体结构中的应变的临界厚度更薄，如此使得半导体结构中的应变通过在种子层中形成的位错而减轻，或者通过在种子层和粘结层之间滑动两个层之间的界面来减轻。在某些实施例中，可以通过蚀刻掉粘结层来使所述基质与半导体结构和种子层分离。
发光器件

[发明专利]半导体材料和用于所述半导体材料的萘并呋喃基质化合物-CN201680010833.3有效
发明人：安妮特·斯托伊德尔;朱莉恩·弗雷 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含电子传输基质化合物的半导体材料，所述电子传输基质化合物包含至少一个电子传输结构部分和至少一个极性结构部分；基质化合物；和利用所述半导体材料的电子器件。
半导体材料用于呋喃基质化合物

[发明专利]半导体器件和制造方法-CN201210557719.6有效
发明人： J.赫格劳尔;K.C.李;李德森;R.奥特伦巴;Y.C.傅;X.施勒格尔;J.施雷德尔;S.L.C.陈 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和制造方法。在各个实施例中，一种半导体器件可以包括：载体；半导体芯片，设置在载体的第一侧上方；叠层，设置在载体与半导体芯片之间或者载体的与半导体芯片相对的第二侧上方或者二者，该叠层至少包括第一电绝缘层，该第一电绝缘层具有层压片，该层压片具有第一电绝缘基质材料以及嵌入到第一电绝缘基质材料中的第一机械稳定材料。
半导体器件制造方法

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