专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]非易失性逆变器-CN201610829023.2有效
  • 柳寅敬;金镐正;赵成豪 - 三星电子株式会社
  • 2016-09-18 - 2021-11-19 - H01L27/11568
  • 一种非易失性逆变器可以被配置为执行存储器功能。该非易失性逆变器可以包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管可以包括第一栅电极、第一电极以及第二电极。第二晶体管可以包括第二栅电极和第三电极,并且可以与第一晶体管共享第二电极。第一晶体管可以包括第一切换层和电荷俘获层。第一切换层可以被配置为在高电阻态与低电阻态之间进行切换。电荷复活层可以被配置为根据切换层的电阻状态来俘获或释放电荷。第一切换层可以包括P‑N二极管。第二晶体管可以包括第二栅切换层和电荷俘获层。
  • 非易失性逆变器
  • [发明专利]光电子器件和包括光电子器件的图像传感器-CN202010804191.2在审
  • 赵庆相;白瓒郁;金镐正 - 三星电子株式会社
  • 2020-08-11 - 2021-08-06 - H01L31/112
  • 提供了一种具有低暗噪声和高信噪比的光电子器件。该光电子器件可以包括:第一半导体层,被掺杂为具有第一导电类型;第二半导体层,设置在第一半导体层的上表面上并且被掺杂为具有与第一导电类型在电学上相反的第二导电类型;透明基质层,设置在第二半导体层的上表面上;多个量子点,布置成与透明基质层接触;以及第一电极和第二电极,第一电极设置在透明基质层的第一侧,第二电极设置在透明基质层的与第一侧相对的第二侧,其中,第一电极和第二电极电连接到第二半导体层。
  • 光电子器件包括图像传感器

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