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- [发明专利]套刻对准标记及其制作方法-CN200810113664.3有效
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张峻豪
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中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
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2008-05-29
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2009-12-02
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H01L23/544
- 一种套刻对准标记的制作方法,包括:提供形成有第一导电层的半导体衬底,所述半导体衬底包括第一子套刻对准标记区域和第二子套刻对准标记区域;去除第二子套刻对准标记区域的第一导电层,在第一子套刻对准标记区域相应形成的第一子套刻对准标记包括第一导电层;在半导体衬底上第二子套刻对准标记区域形成第二子套刻对准标记。相应地,本发明还提供一种套刻对准标记。本发明通过先去除第二子套刻对准标记区域内的第一导电层,刻蚀阻挡层的气体不会接触到第一导电层,从而避免现有技术的由于刻蚀阻挡层的气体与第一导电层相接触生成挥发性物质而污染刻蚀设备的腔室、且在第一导电层中产生大量的空洞的缺陷
- 对准标记及其制作方法
- [发明专利]成形并标记目标物的装置-CN01803531.0无效
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M·延迪克
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雷克塞姆股份有限公司
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2001-01-12
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2003-01-29
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B44B7/00
- 一种成形与标记目标物(S)的装置,包括一处理装置(4),用于机械地成形目标物(S);标记单元用以在邻近处理装置(4)的标记区域非机械地提供标记的标记单元;以及支承标记单元的支承单元(3)。支承单元(3)在第一位置(A)与第二位置之间是可滑动的,在该第一位置(A),标记单元对准标记区域,以便进行高精度的标记操作,而在该第二位置(B)标记与支承单元(3)则与标记区域和处理装置(4)隔开,以便可以立即和完全接触标记单元和处理装置
- 成形标记目标装置
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