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[发明专利]抗蚀剂剥离液组合物及利用该组合物的抗蚀剂剥离方法-CN201210299605.6有效
发明人：金圣植;李喻珍;高京俊;金正铉 -专利权人：东友FINE-CHEM股份有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗蚀剂剥离液组合物及利用该组合物的抗蚀剂剥离方法，更具体地涉及下述抗蚀剂剥离液组合物及利用该组合物的抗蚀剂剥离方法，所述抗蚀剂剥离液组合物通过包含(a)多面体倍半硅氧烷及(b)碱性化合物，抗蚀剂图案及干式及湿式蚀刻残渣去除力优异，对含有铝和/或铜的金属配线的配线防蚀性能及对剥离液的剥离性能优异，容易观察剥离液的色变，因此可以有效地适用于为了实现高分辨率而适用了微细图案的平板显示装置的制造工艺及使用了铜配线的平板显示装置的制造工艺中
抗蚀剂剥离组合利用方法

[发明专利]半导体图案化光致抗蚀剂层的重作工艺-CN03143604.8有效
发明人：颜裕林;张庆裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-07-25 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体图案化光致抗蚀剂层的重作工艺。首先，提供一衬底，衬底上依序形成有第一抗反射介质涂层、第一光致抗蚀剂助黏层及第一图案化光致抗蚀剂层。接着，去除第一抗反射介质涂层上的第一图案化光致抗蚀剂层及第一光致抗蚀剂助黏层，例如以湿式剥离法完成。然后，形成第二抗反射介质涂层于第一抗反射介质涂层上。然后，形成第二光致抗蚀剂助黏层于第二抗反射介质涂层上。接着，形成第二图案化光致抗蚀剂层于第二光致抗蚀剂助黏层上。
半导体图案化光致抗蚀剂层工艺

[发明专利]钻井液用组合物、钻井液稠塞及其制备方法和应用-CN201910212539.6在审
发明人：金军斌;董晓强;王伟吉;张国;高伟 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油工程技术研究院
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C09K8/03 文献下载
摘要：本发明提供的钻井液稠塞在高温条件下具有稳定性高、高粘度、高切力和动塑比，满足对蚀变凝灰岩清洗效果的要求，将钻屑及较高密度的蚀变凝灰岩掉块及时携出地面。
钻井组合液稠塞及其制备方法应用

[发明专利]一种热液铀矿床流体活动中心的识别方法-CN202111079018.1在审
发明人：郭建;李子颖;聂江涛;张玉燕;司志发;田明明 -专利权人：核工业北京地质研究院
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明属于铀矿地质与资源评价技术领域，具体公开了一种热液铀矿床流体活动中心的识别方法，包括：步骤1、野外地质考察，布设采样剖面和采样点；步骤2、野外蚀变样品采集；步骤3、样品前处理，分选锆石单矿物；步骤4、利用傅里叶变换红外光谱技术获得锆石谱学特征；步骤5、计算锆石变生系数，获得锆石变生强度；步骤6、圈定热液活动中心区。本发明方法通过开展矿区范围内蚀变围岩中副矿物锆石的红外光谱分析，根据613cm‑1特征峰形态确定锆石变生程度，准确识别热液流体活动中心，为铀成矿中心预测提供依据
一种热液铀矿流体活动中心识别方法

[发明专利]用于减少抗蚀剂模型预测误差的系统和方法-CN202310013351.5在审
发明人： M·库伊曼;D·M·里约;S·F·乌伊斯特尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本文描述了一种用于校准抗蚀剂模型的方法。该方法包括以下步骤：基于抗蚀剂结构的模拟空间图像和抗蚀剂模型的参数来产生抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；以及基于由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息，根据模型化抗蚀剂轮廓来预测抗蚀剂结构的量测轮廓。该方法包括：基于所预测的量测轮廓与由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来调整抗蚀剂模型的参数。
用于减少抗蚀剂模型预测误差系统方法

[发明专利]用于减少抗蚀剂模型预测误差的系统和方法-CN201880082618.3有效
发明人： M·库伊曼;D·M·里约;S·F·乌伊斯特尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本文描述了一种用于校准抗蚀剂模型的方法。该方法包括以下步骤：基于抗蚀剂结构的模拟空间图像和抗蚀剂模型的参数来产生抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；以及基于由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息，根据模型化抗蚀剂轮廓来预测抗蚀剂结构的量测轮廓。该方法包括：基于所预测的量测轮廓与由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来调整抗蚀剂模型的参数。
用于减少抗蚀剂模型预测误差系统方法

[发明专利]清洗衬底的方法、制造光掩模的方法及清洗光掩模的方法-CN201910973167.9有效
发明人：许有心;张浩铭;魏绍琦;许盛昌;林政旻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：所述方法包含：接收具有放置于其上方的硬掩模的衬底；在所述硬掩模上方形成图案化光致抗蚀剂；使用所述图案化光致抗蚀剂作为掩模来图案化所述硬掩模；及去除所述图案化光致抗蚀剂。所述去除所述图案化光致抗蚀剂包含：使所述衬底上方的有机材料氧化；将碱性溶液涂覆到所述图案化光致抗蚀剂上；及通过机械冲击来去除所述图案化光致抗蚀剂。本发明还提供一种用于清洗衬底及光掩模的方法。
清洗衬底方法制造光掩模

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201811182653.0有效
发明人：张峰溢;李甫哲;童宇诚 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：首先，形成一第一图案化光致抗蚀剂层于一基底上。接着，在形成第一图案化光致抗蚀剂层于基底上之后，形成一第二图案化光致抗蚀剂层于基底上，其中第一图案化光致抗蚀剂层与第二图案化光致抗蚀剂层交错排列。接续，形成一衬垫层覆盖第一图案化光致抗蚀剂层以及第二图案化光致抗蚀剂层的侧壁。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]形成半导体器件的精细图案的方法-CN201110036452.1无效
发明人：张钟光;吴怜默;南瑞祐;全祐撤;李周范;李命柱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-02-10 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成半导体器件的精细图案的方法，所述方法包括以下步骤：提供可图案化层；在可图案化层上形成多个第一光致抗蚀剂层图案；在可图案化层和多个第一光致抗蚀层图案上形成界面层；在界面层上形成平坦化层；在平坦化层上形成多个第二光致抗蚀剂层图案；利用多个第二光致抗蚀剂层图案形成多个平坦化层图案；利用多个平坦化层图案和多个第一光致抗蚀剂层图案形成多个层图案。
形成半导体器件精细图案方法

[发明专利]一种从构造角砾蚀变岩中提取铜的方法-CN201510545271.X在审
发明人：张杰;毛瑞勇;徐旭;丁文 -专利权人：贵州大学
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C22B3/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种从构造角砾蚀变岩中提取铜的方法，它包括如下步骤：步将构造角砾蚀变岩原矿破碎、磨矿至粒度达到-6mm0.1mm～1mm；将矿石运至堆场，并向矿石中喷淋稀硫酸，使稀硫酸与矿石均匀混合并进行堆浸利用该方法开展从角砾蚀变岩型铜矿石中提取铜元素，具有一定的潜在的经济价值。
一种构造角砾蚀变岩中提取方法

[发明专利]花岗岩蚀变带爆破开挖钢拱架结构-CN202211138479.6在审
发明人：王竹波;陈岚;于刚;陈凡;夏志鹏;陈一铭;李春森;周华;赵梦迪;张宏伟 -专利权人：河南新华五岳抽水蓄能发电有限公司;中国水利水电第十一工程局有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： E21D11/18 文献下载
摘要：本发明公开了花岗岩蚀变带爆破开挖钢拱架结构，包括两组承托钢架，两组承托钢架前后平行分布，且两组承托钢架底部两端均纵向连接有安装组件，两组承托钢架之间均布有多组纵梁，且相邻两组纵梁之间均连接有钢索，多组纵梁共同组成可聚拢伸展的折叠架有益效果在于：本发明通过设置用以支护于尾水洞内爆破区域花岗岩蚀变带位置的钢拱架，在两组承托钢架之间设置多组可展开或折叠的纵梁，利用相邻纵梁之间的钢索将纵梁进行连接，并在相邻纵梁内侧设置可折叠的爆破护罩，在多组纵梁展开时拉开爆破护罩以对相邻承托钢架之间进行封闭覆盖防护，避免尾水洞顶爆破过程中蚀变岩坍塌到钢拱架内侧造成事故，防护封闭效果更好，且支护速度更快。
花岗岩蚀变带爆破开挖钢拱架结构

[发明专利]一种阻蚀密封膏-CN201010243670.8有效
发明人：易春龙;白书亚;倪雅;晁兵 -专利权人：江苏中矿大正表面工程技术有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： C08L71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻蚀密封膏，属密封材料。本发明的密封膏由硅烷改性聚醚树脂、增塑剂、补强填料、触变剂、片状阻蚀颜料、钛白粉、炭黑、脱水剂、附着力促进剂及二月桂酸二丁基锡制得。有益效果是：通过引入片状阻蚀颜料，进一步增加密封膏的阻蚀性能，制得的密封膏具有一定的流动性，适宜缆索缠丝前涂装施工和建筑填缝密封，其综合力学性能优异、耐化学溶剂、不用底涂、阻蚀密封效果好、施工方便。
一种密封

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201780091245.1有效
发明人：上野贵宽;玉田尚久;北川宽士 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：为了抑制缺陷等的发生等并缩小电极图案的尺寸，半导体装置的制造方法具有以下工序，即：在衬底(10)的上表面(11)涂敷抗蚀层；在抗蚀层形成开口部(13)；收缩剂涂敷工序，在抗蚀层(12)之上涂敷热收缩的收缩剂，将开口部(13)填埋；收缩工序，通过加热收缩剂使其热收缩，从而将开口部(13)的宽度变窄；去除工序，在收缩工序之后去除收缩剂；金属层形成工序，在去除工序后，在抗蚀层(12)之上和开口部(13)形成金属层(18)；以及去除金属层(18)中的位于抗蚀层(12)之上的部分和抗蚀层(12)，在收缩工序中，使得形成开口部(13)的抗蚀层(12)的侧面形成在抗蚀层(12)的厚度方向的中央部朝向开口部(13)的中心部而凸出的曲面
半导体装置制造方法

[发明专利]一种基于多模态回归分析的水电机组空蚀信号特征提取方法-CN201610860570.7在审
发明人：付文龙;李玥桦 -专利权人：三峡大学
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：一种基于多模态回归分析的水电机组空蚀信号特征提取方法，包括1)从监测系统获取空蚀信号测量数据；2)设定变分模态分解(VMD)参数，将空蚀信号分解为一系列模态分量；3)对所有分量进行多元自回归建模，并采用贝叶斯准则确定模型阶数；4)由QR分解方法辨识得到的模型参数构成空蚀信号的初始特征量；5)采用主元分析提取主元，得到最终的信号特征。本发明技术方案实现了空蚀信号本征模态的自适应分离，经由多模态回归分析得到的特征向量凝聚了系统状态的重要信息，实现了空蚀信号的充分表征。
一种基于多模态回归分析水电机组信号特征提取方法

[发明专利]抗蚀剂的干式显影-CN201980085227.1在审
发明人：鲍里斯·沃洛斯基;蒂莫西·威廉·威德曼;萨曼莎·西亚姆华·坦;吴呈昊;凯文·顾 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：抗蚀剂的干式显影可使用于例如在高分辨率图案化中形成图案化掩模。干式显影可有利地通过半导体衬底的处理方法来实现，该方法包括：在处理室中将已光图案化的抗蚀剂提供至半导体衬底上的衬底层上；以及通过以下方式对所述已光图案化的抗蚀剂进行干式显影：通过包括暴露于化学化合物以形成抗蚀剂掩模的干式显影处理来去除所述抗蚀剂的已暴露部分或未暴露部分所述抗蚀剂可以是EUV敏感的含有机金属氧化物或有机金属的薄膜EUV抗蚀剂。
抗蚀剂显影

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