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[发明专利]非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置-CN201410764284.1有效
发明人：高桥和也;古泽纯和;冈田充弘;米仓大雅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及非晶硅的结晶化方法、结晶化硅膜的成膜方法、半导体装置的制造方法和成膜装置。一种使非晶硅发生结晶化的非晶硅的结晶化方法，其中，在晶体生长慢的第一非晶硅膜上层叠晶体生长快于前述第一非晶硅膜的第二非晶硅膜，对所层叠的前述第一非晶硅膜、第二非晶硅膜实施结晶化处理，使至少前述第二非晶硅膜的非晶硅发生结晶化
非晶硅结晶方法化硅膜半导体装置制造

[发明专利]基于统计异常值的池化计算方法、电子设备、存储介质-CN201811031522.2在审
发明人：马瑞;丁志禄 -专利权人：浙江长兴笛卡尔科技有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：本发明提供基于统计异常值的池化计算方法，包括步骤：通过池化核的大小和移动步长对卷积层输出结果进行池化表达，得到池化表达结果；对池化表达结果中每一位置的池化表达结果进行异常值统计，得到总体异常值统计结果；判断总体异常值统计结果中每一异常值统计结果是否大于零，是则计算池化表达结果中与异常值统计结果对应的池化表达结果的最大值作为池化输出，否则计算池化表达结果中与异常值统计结果对应的池化表达结果的统计平均值作为池化输出本发明涉及电子设备与可读存储介质，用于执行上述方法；本发明对有异常值的卷积结果，采取最大池化方法，对于没有异常值的卷积结果，采用平均池化方法；更好地保留了卷积层提取的有效信息。
池化统计结果卷积电子设备计算池统计可读存储介质存储介质输出结果移动步长有效信息输出保留

[发明专利]微晶玻璃成型体的制造方法-CN202111153951.9有效
发明人：蒋焘;刘少威;王东俊;粟勇;聂小兵 -专利权人：成都光明光电股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C03B32/02 文献下载
摘要：本发明提供一种微晶玻璃成型体的制造方法。微晶玻璃成型体的制造方法，该方法包括以下步骤：1)将基础玻璃进行一次晶化热处理过程，包括升温、保温核化、升温、保温晶化、降温至室温，形成预晶化玻璃；2)将预晶化玻璃进行热加工成型得到微晶玻璃成型体。本发明通过对基础玻璃进行一次晶化热处理，有效降低微晶玻璃3D热加工难度，提升良率，提高生产效率，降低生产成本，特别是针对应用于3D前盖板的高透明微晶玻璃，解决了透明微晶玻璃热加工后透过率降低，雾度增加无法使用的问题，实现了热加工成品玻璃外观指标稳定可控，可获得与冷加工相同品质的透明微晶曲面玻璃。
玻璃成型制造方法

[发明专利]特征上下文感知的池化方法、装置、计算机设备和介质-CN202310260101.1在审
发明人：舒畅;陈又新 -专利权人：平安科技（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06N3/0464 文献下载
摘要：本发明公开了一种特征上下文感知的池化方法，应用于神经网络模型，包括：获得所述神经网络模型中的卷积层计算得出的特征向量矩阵；将所述特征向量矩阵进行第一池化计算得到第一池化值，同时对所述特征向量矩阵进行第二池化计算得到第二池化值；对所述第一池化值和所述第二池化值分别进行加权计算，得到第一加权池化值和第二加权池化值；将所述第一加权池化值和所述第二加权池化值进行拼接，得到池化后的特征向量矩阵。
特征上下文感知方法装置计算机设备介质

[发明专利]一种卷积神经网络池化单元设计方法-CN201810538876.X有效
发明人：聂林川;姜凯;王子彤 -专利权人：山东浪潮科学研究院有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G06N3/08 文献下载
摘要：本发明公开一种卷积神经网络池化单元设计方法，涉及神经网络技术实现领域；建立卷积神经网络池化单元设计系统，其中特征图和参数输入模块用于缓存待池化的特征图和需要配置的池化参数，参数解析和映射模块接收来自特征图和参数输入模块的池化参数，对池化参数进行解析，根据解析后的参数配置寄存器组，同时构造状态机组模块中的状态机组的跳转初始状态，状态机组模块根据状态机组的跳转状态，采用电路复用和池化参数融合的方法，调用池化计算模块实现不同池化参数的池化计算，将结果输出至池化结果输出模块；利用所述系统进行卷积神经网络池化单元的设计。
一种卷积神经网络单元设计方法

[实用新型]一种晶硅太阳能电池片的废水处理设备-CN201520522361.2有效
发明人：常飞;陈五军;陈刚 -专利权人：广东爱康太阳能科技有限公司
申请日： 2015-07-18 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶硅太阳能电池片的废水处理设备,包括中和反应池、混凝反应池、絮凝反应池和沉淀反应池，上述的反应池依次连通且为两级设置，其中，中和反应池连接生产设备的废水输出口，沉淀反应池连接清水池，所述中和反应池中连接有投放装置，投放装置包括储液器、水泵和控制器，水泵的前端连通于储液器，水泵的后端连通于中和反应池，控制器与水泵电连接，本实用新型使排放的水质稳定，达到国家排放标准。
一种太阳能电池废水处理设备

[发明专利]晶圆平坦化设备晶圆传送方法-CN201910555219.0在审
发明人：谭金辉;徐海强;夏俊东;康雷雷 -专利权人：吉姆西半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本发明是晶圆平坦化设备晶圆传送方法，包括以下步骤：1)晶圆由外设手臂传送到晶圆装载卸载平台上；2)晶圆平坦化设备拿取晶圆装载卸载平台上的晶圆进行研磨；3)研磨完成后的晶圆回到晶圆装载卸载平台上；4)晶圆装载卸载平台上研磨完成的晶圆由晶圆平坦化设备晶圆传送机构运送到晶圆传送中转平台，然后重复进行步骤1)～3)；5)晶圆传送中转平台上的晶圆由外设手臂取走。本发明的优点：增加了晶圆传送中转平台，改善了晶圆传送方法，提高了传送速度，有效提高了生产效率，可实现晶圆在晶圆装载卸载平台和晶圆传送中转平台之间的高效稳定传送，提高了晶圆加工质量稳定性,适合4寸、6寸晶元及3～5族类产品的平坦化加工。
晶圆传送卸载平台平坦化设备中转平台装载研磨外设手臂平坦化加工质量稳定性传送机构晶圆加工生产效率晶元拿取运送重复

[发明专利]金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化的方法-CN201210215016.5无效
发明人：朱开贵;陈芳芳 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属点阵诱导非晶硅薄膜晶化的方法。这种方法能够使得非晶硅薄膜的晶化微区形成点阵，可用于微器件的制造。该方法主要包括以下步骤：（1）金属点阵制备。首先在衬底材料上制备金属点阵。金属材料可以是Ni、Al、Au、Ag、Pd等可诱导非晶硅晶化的任意一种或几种金属。金属点阵的制备方法可以通过光刻的方法以光刻胶做掩模，然后镀金属薄膜，再将光刻胶去掉。（2）非晶硅薄膜制备。在制备了金属点阵的衬底上制备非晶硅薄膜。（3）通过退火的过程使得金属点阵区域的非晶硅晶化，得到非晶硅晶化点阵。
金属点阵诱导非晶硅薄膜方法

[发明专利]微晶玻璃核化晶化炉热工制度的优化方法-CN200810061155.0有效
发明人：杨辉;陈明形;郭兴忠;潘颐 -专利权人：浙江大学
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： C03B32/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种微晶玻璃核化晶化炉热工制度的优化方法，包括以下步骤：1)各项实际热处理炉工艺参数的采集；2)模型的设计及计算；3)经过上述步骤，通过设定实际热处理炉工艺参数，计算出微晶玻璃面板制品在炉内任何位置的温度，从而确定微晶玻璃制品在核化段、晶化段的停留时间。采用本发明的方法能获得核化晶化的最佳工艺条件，最终实现微晶玻璃面板生产的低成本与节能降耗。
玻璃核化晶化炉热工制度优化方法

[发明专利]一种构建网络服务器池的池化器-CN201210392450.0无效
发明人：张焰 -专利权人：无锡云捷科技有限公司
申请日： 2012-10-16 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：本发明提供一种将计算机网络服务器组成服务器池的池化器，其包括其中所述池化器包括：池化器的登记/注销功能模块、池化器的故障检测与管理功能模块、池化器的信息采集功能模块、池化器的服务器选择功能模块、池化器的池名解析功能模块、池化器信息同步功能模块。池化器可以快速有效地建立任意规模的逻辑上服务器池，并通过一系列机制保障了服务器池的正常运行，保障服务器池的资源达到最佳的使用状况，最大限度地提高服务器资源的使用率，并消除因为服务器故障而带来的不利影响。
一种构建网络服务器池化器

[发明专利]一种连续晶化制备4A沸石的方法-CN200910308538.8有效
发明人：李广战;孟令利;周峰;孟春玲;韩皓 -专利权人：中国铝业股份有限公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C01B39/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续晶化制备4A沸石的方法，它以偏铝酸钠溶液和水玻璃为原料制备4A沸石，并将串联的槽式设备分为两组、采用两个温度进行连续晶化，所述连续晶化分为预晶化和生长晶化两个过程，在预晶化段采用较低温度加入导向剂诱导晶核，使晶体初步生长，在生长晶化段提高温度，使4A晶体充分发育生长至结晶完善，最终完成连续晶化过程。采用本发明方法可有效的降低人工控制点，进行集中控制，降低劳动强度，提高生产效率，而且由于本发明采用温度逐段提高，可有效抑制杂晶的产生，保证产品质量稳定。
一种连续制备方法

[实用新型]矿碴微晶玻璃板材热处理装置-CN99229432.0无效
发明人：陆业荣 -专利权人：陆业荣
申请日： 1999-09-17 - 公布日： 2000-07-26 - 主分类号： C03B32/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于连续压延法生产的矿碴微晶玻璃板材生产线的热处理装置,由晶化窑和晶化窑前部装置及晶化窑尾部装置组成,其特征是晶化窑前部装置由托板和网带机构成;晶化窑最前面的温区和晶化温区后相邻的温区增设冷却装置;晶化窑尾部还设有划痕装置和冲击装置。本实用新型有效地克服了板带在热处理过程中产生微裂纹,析晶率低、强度低的问题,提高了板带的成品率;窑尾的截板方式提高了原板的成材率,适合于工业化生产。
矿碴微晶玻璃板材热处理装置

[实用新型]一种彩晶合成废水的预处理装置-CN201420868259.3有效
发明人：文传选;孟庆海;楚素珍;谷振华;姜鑫;林毅;马迁;王新;辛立平;崔剑;贺雄 -专利权人：北京北方节能环保有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种彩晶合成废水的预处理装置及方法，属于废水处理领域。本实用新型的预处理装置，包括两个调节池、两个混凝沉淀池、两个中间池、两个铁碳反应池；混凝沉淀池A、中间池A、铁碳反应池A、中间池B、铁碳反应池B、混凝沉淀池B之间的进出水口依次通过管路连接；调节池A和调节池B分别通过管路与混凝沉淀池A的进水口相连；混凝沉淀池A和混凝沉淀池B的排泥通道均通过排泥泵管路连接污泥浓缩池。
一种合成废水预处理装置

[发明专利]一种非晶硅薄膜的低温快速晶化方法-CN201310016881.1无效
发明人：杨雯;段良飞;张力元;杨培志;自兴发;冷天玖 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅薄膜低温快速晶化方法。以单晶硅Si（100晶相）为衬底，利用磁控溅射镀膜仪在单晶硅衬底上溅射一层非晶硅（α-Si）薄膜和Al膜，利用光热退火炉在N2气氛下150℃~200℃退火，得到多晶硅薄膜。利用Al诱导非晶硅薄膜晶化，可以在较低温度（150℃~200℃）下晶化，得到晶粒尺寸在20~100nm的多晶硅薄膜，降低了成本，退火时间短，降低了晶化过程中的能耗，晶化率达到40%~70%，能很好的与非晶硅微晶硅叠层太阳电池器件的要求相匹配
一种非晶硅薄膜低温快速方法

[发明专利]微晶玻璃弧形板的生产工艺-CN201310151317.0无效
发明人：秦小平;秦刚;姜小元;王刚琳;石章辉 -专利权人：四川一名微晶科技股份有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： C03B23/023 文献下载
摘要：本发明公开了一种微晶玻璃弧形板的生产工艺，包括配料、熔化、压延、退火后得微晶玻璃板材，将微晶玻璃板材先进行热弯处理，后对板材进行晶化，晶化后冷却、抛光。所述的热弯处理为将微晶玻璃板材置于热弯窑中升温至760～850℃，保温2～4h；所述的晶化为热弯完成后，迅速升温至880～950℃，对板材进行保温晶化。本发明对微晶玻璃弧形板采用先热弯，然后晶化的生产工艺，只需对板材进行一次升温处理，省去了高温对板材进行晶化后降温，在重新升温热弯处理的两步法，不但节约50%的能耗，同时缩短了微晶玻璃弧形板的生产时间，提高了工作效率；由于未晶化的板材热弯处理的温度较低，可减少板材在热弯处理发生炸裂或裂纹，提高产品的质量和成品率。
玻璃弧形生产工艺