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[发明专利]籍助于喷射传热气体的热处理-CN201280023001.7在审
发明人：格雷戈里·萨维丹德;丹尼尔·林科特 -专利权人：法国电力公司;国家科学研究中心
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及到与温度发生反应的前驱体的热处理，尤其包括以下步骤：将传热气体预热或冷却至控制温度，以及向前驱体喷射预热或冷却的气体。有利的是，除传热气体的温度(T0)外，还可以控制向前驱体喷射气体的流速(D)以及在前驱体与向前驱体喷射气体的出口(5)之间的距离(x)，以便最终控制接受喷射气体的前驱体的温度。
喷射传热气体热处理

[发明专利]原子层沉积方法及设备-CN202111623337.4在审
发明人：李思倩;周毅;潘杰;周鹏;毛格 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积方法和设备，其将微波和前驱体气体均导入同一喷头，再通过同一喷头导入沉积室，可通过微波增加喷头中的前驱体气体的动能，减少前驱体气体在喷头中的沉积，减轻沉积室中的前驱体气体残留问题，提高前驱体气体利用率，提高沉积效率。且通过喷头对微波的空间限制，可提高微波的集中度，提高微波能量利用率，提高对前驱体气体的加热效果，提高提供至沉积室的前驱体气体的动能，提高系统效能。
原子沉积方法设备

[发明专利]一种原子层沉积设备及方法-CN201810179329.7有效
发明人：纪红;史小平;李春雷;赵雷超;秦海丰;张文强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：该设备包括反应腔室和至少两路气体传输系统，所述气体传输系统向所述反应腔室通入气体，每路所述气体传输系统包括：前驱体源、前驱体携载管路、前驱体稀释管路、前驱体吹扫管路和前驱体供应管路；所述前驱体吹扫管路可通断性连接所述前驱体携载管路和所述前驱体稀释管路；所述前驱体携载管路与所述前驱体源可通断性连接。本发明通过增加前驱体吹扫管路而增大了管路吹扫时通入前驱体管路的吹扫气体流量，可以有效地减少附着在管路内拐角或是盲端位置的残留物，降低工艺颗粒污染。
一种原子沉积设备方法

[发明专利]原子层沉积设备及方法-CN201811313709.1在审
发明人：秦海丰;史小平;李春雷;纪红;赵雷超;张文强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：该设备包括反应腔室和气体传输系统；所述气体传输系统包括前驱体传输管路、前驱体吹扫管路、连接管路、与所述前驱体传输管路可通断性连接的前驱体源瓶，以及设置在与所述前驱体源瓶的出口连接的前驱体传输管路上的气体存储器；所述前驱体传输管路和所述前驱体吹扫管路共同汇入所述反应腔室；所述连接管路可通断性连接所述前驱体传输管路和所述前驱体吹扫管路。本发明通过在与前驱体源瓶出口连接的前驱体传输管路段内增加气体存储器，保证了对腔室反应的气体有效均匀的供给，并且降低了前驱体源瓶出口处的管路内的高压。
前驱体传输管路前驱体源吹扫管路气体传输系统气体存储器出口连接反应腔室连接管路通断原子层沉积设备传输管腔室保证

[发明专利]碳纤维前驱体稳定化装置-CN201911326338.5有效
发明人：张来相 -专利权人：株式会社SNT
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： D01D1/06 文献下载
摘要：公开了碳纤维前驱体稳定化装置。根据本发明的一实施例的碳纤维前驱体稳定化装置包括：稳定化气体供给单元，隔离配置于作为稳定化对象体的碳纤维前驱体，以预先决定的一定气压供给稳定化碳纤维前驱体的稳定化气体；以及稳定化气体分配单元，与稳定化气体供给单元相邻配置，将稳定化气体均匀分配至碳纤维前驱体的板面全领域，并且稳定化气体供给单元包括：稳定化气体引入部，连接于稳定化气体分配单元并将稳定化碳纤维前驱体的稳定化气体引入至稳定化气体分配单元。
碳纤维前驱稳定化装

[发明专利]制备BiGaO3-CN201710579260.2有效
发明人：宋长青;尹海宏;王志亮;陈晶晶 -专利权人：南通大学
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：一种用于制备BiGaO3薄膜材料的气体脉冲序列，由铋前驱体气体脉冲、镓前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成，所述气体脉冲序列通入真空反应腔中；化学吸附反应在真空反应腔中进行，铋前驱体气体脉冲、镓前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲按照一定的次序依次通入真空反应腔中。
制备 bigao base sub

[发明专利]生产具有层叠沉积层的基材的方法-CN201380029105.3在审
发明人：罗杰·马赛厄斯·威廉·格特泽恩;塞巴斯蒂安·安东尼厄斯·弗朗西斯库斯·戴尔利森;约瑟夫·阿德里亚努斯·玛丽亚·德斯瓦特;阿德里亚努斯·约翰尼斯·彼得鲁斯·玛丽亚·维梅尔 -专利权人：索雷特克有限公司
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及使用包括注入头装置的设备来生产层叠基材，并且包括以下步骤：提供包括气体承载压力器件的注入头装置，以及从气体承载压力器件朝向相对的基材表面注入承载气体，以在注入头装置中在输送平面内使基材无支撑地平衡重复进行以下步骤：分别使得来自第一前驱体源的第一前驱体气体和来自第二前驱体源的第二前驱体与基材相对表面接触；第一前驱体气体和第二前驱体气体供应到在设置成相对和朝向基材的相应侧面的第一和第二沉积空间内；在输送平面内建立在沉积空间和基材之间的相对运动，以将基材输送到设置在注入头装置内的相对和面向基材的相应侧面的反应空间中；以及在基材表面的至少一部分上沉积前驱体气体后，在任意一个或两个反应室内提供反应气体、等离子体、激光致辐射和/或紫外线辐射中的至少一种用以使第一前驱体气体和第二前驱体气体中的任一个反应在至少在一次重复中在基材的相对表面上同时供应第一前驱体气体和第二前驱体气体。
生产具有层叠沉积基材方法

[发明专利]燃料电池隔板的涂覆方法以及燃料电池隔板-CN201510884419.2在审
发明人：崔光勋;洪雄杓;徐知延;朴炫达;金甫炅;朴贞研;吕寅雄 -专利权人：现代自动车株式会社
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01M8/0228 文献下载
摘要：燃料电池隔板的涂覆方法包括以下步骤汽化前驱体以制备前驱体气体；将前驱体气体和反应气体引入至反应室；以及通过电压施加至反应室以把前驱体气体和该反应气体转变成等离子态从而在基材上形成涂覆层。
燃料电池隔板方法以及

[发明专利]气相外延系统-CN200980138852.4无效
发明人： J·曼古姆;W·E·奎恩;E·阿莫 -专利权人：维易科加工设备股份有限公司
申请日： 2009-10-01 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种气相外延系统，包括支撑用于气相外延的衬底的台板以及气体注入部件。气体注入器件将第一前驱体气体注入到第一区域中，将第二前驱体气体注入到第二区域中。至少一个电极位于第一区域中以使得第一前驱体气体分子流动到靠近电极。该至少一个电极定位为与第二前驱体气体的气流基本上隔离。电源电连接到该至少一个电极。电流产生加热该至少一个电极的电流，从而热激活流动到靠近该至少一个电极的第一前驱体气体分子中的至少一些，由此激活第一前驱体气体分子。
外延系统

[发明专利]原子层沉积设备的前驱体传输装置和前驱体传输方法-CN202010558991.0在审
发明人：张文强;赵雷超;史小平;兰云峰;秦海丰;纪红 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种原子层沉积设备的前驱体传输装置和前驱体传输方法，该装置包括第一进气组件、第二进气组件和设置有第一流量控制模块的气体补偿管路，气体补偿管路用于对反应腔室的总气体流量进行补偿；第一进气组件包括第一前驱体源、缓冲装置、第一前驱体管路和设置在第一前驱体管路上的第二流量控制模块，缓冲装置的两端分别与第一前驱体源的输出端和第一前驱体管路的输入端连接，用于缓存第一前驱体；第一前驱体管路的出气端与反应腔室连接，用于输送第一前驱体；第二流量控制模块，用于控制流经第二流量控制模块的气体流量等于流经第一流量控制模块的气体流量。本发明的实施例，可以实现第一前驱体源与ALD工艺所使用的流量相匹配。
原子沉积设备前驱传输装置方法

[发明专利]一种制备InGaN基多量子阱层的方法-CN200880130737.8有效
发明人：江风益;王立;莫春兰;方文卿 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2008-08-19 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：一种利用铟镓氮(InGaN)半导体材料制备量子阱的方法，该方法包括：通过向反应室内注入In前驱体气体和Ga前驱体气体，在叠层Ⅲ-Ⅴ族氮化物结构上于第一预设温度下制备势阱。该方法进一步包括制备所述势阱之后，停止供应Ga前驱体气体，保持供应In前驱体气体流，将反应室内温度升高至第二预设温度，同时将In前驱体气体流速从第一流速调整为第二流速。方法还包括在所述势阱上以第二预设温度制备势垒，同时恢复供应Ga前驱体气体。
一种制备 ingan 基多量子方法

[发明专利]用于气体输送系统的涂布的方法-CN201180020177.2有效
发明人：伊恩·肯沃西;杜安·奥特卡;郝方力;伦纳德·沙普利斯;杜义军 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：一种涂布用于等离子体工艺系统的气体输送系统的气体通道的内表面的方法，该等离子体处理系统诸如等离子体蚀刻系统，该方法包括（a）使耐腐蚀材料的流体前驱体流动通过气体通道，并沉积流体前驱体的层完全地覆盖该气体通道的内表面；（b）从内表面去除过量的流体前驱体；（c）固化该流体前驱体的沉积层，以形成耐腐蚀的材料涂层。
用于气体输送系统方法

[实用新型]一种前驱体供应装置-CN202221681491.7有效
发明人：郭耀亮;姚国华;沈云华;明帅强;冯嘉恒;李刚;王浙加;李明;高圣;夏洋 -专利权人：嘉兴科民电子设备技术有限公司;中国金币集团有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请提供一种前驱体供应装置，包括原子层沉积反应器、样品存放件、前驱体进气管道；原子层沉积反应器的容纳空间的内侧壁设有反射板；出气口与反射板相对布置；样品存放件处于出气口背向反射板的一侧；样品存放件用于存放纪念币样品；前驱体进气管道设置于原子层沉积反应器的外侧壁，并伸入至容纳空间；前驱体进气管道设有第一进气端和第一出气端，第一进气端用于供前驱体气体进入；第一出气端朝向容纳空间的内侧壁，并将前驱体气体输出至反射板，此时，前驱体气体在反射板的反射作用下经出气口沿同一方向经排出至样品存放件，并且前驱体气体在反射板的反射作用进行了均匀化，以便于前驱体气体相对于出气口的扩散较为均匀。
一种前驱供应装置

[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积金属薄膜的制备方法-CN201910620314.4有效
发明人：黄邦斗;刘泽慧;章程;邵涛 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了材料领域的一种等离子体增强化学气相沉积金属薄膜的制备方法。该制备方法包括，金属前驱体、等离子体的启动气体和非金属前驱体，先将所述等离子体的启动气体电离形成等离子体，然后向所述等离子体中通入金属前驱体和非金属前驱体，发生化学气相沉积反应；或，先将所述等离子体的启动气体和所述非金属前驱体电离，然后向电离后的气体中通入金属前驱体，发生化学气相沉积反应。本发明提供的等离子体增强化学气相沉积金属薄膜制备方法，其所通过金属前驱体不参与电离，避免金属对等离子体的抑制作用，从而可以长时间、稳定地反应生成金属氮化物。
一种等离子体增强化学沉积金属薄膜制备方法

[发明专利]制造交叉点型半导体存储器件的方法-CN202010284475.3在审
发明人：郑载琥;高永珉;金钟旭;朴洸珉;崔铜成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种制造交叉点型半导体存储器件的方法包括：形成字线和单元堆叠，间隙在单元堆叠之间；在该间隙中形成下间隙填充绝缘体；在下间隙填充绝缘体上形成上间隙填充绝缘体；固化下间隙填充绝缘体和上间隙填充绝缘体以形成间隙填充绝缘体；以及在单元堆叠和间隙填充绝缘体上形成位线。下间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第一源气体执行，上间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第二源气体执行，在第一源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以大于15：1，在第二源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以小于
制造交叉点半导体存储器件方法

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