“崔铜成”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202211265544.1在审
发明人：金注男;崔恩荣;金亨俊;李烔和;崔铜成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：在下结构上形成堆叠且交替的层间绝缘层和牺牲层的模制结构；形成穿过模制结构的孔；通过从牺牲层的侧表面去除牺牲层的通过孔暴露的部分来分别在模制结构的牺牲层中形成凹陷区域；在每个凹陷区域中顺序地形成初始阻挡图案和电荷存储图案；在孔中顺序地形成隧穿层和沟道层；形成穿透模制结构的沟槽，使得沟槽以线形状延伸；去除由沟槽暴露的牺牲层，使得初始阻挡图案被暴露；以及在去除牺牲层之后氧化初始阻挡图案，从而形成阻挡图案。
制造半导体装置方法

[发明专利]半导体器件、制造半导体器件的方法及包括半导体器件的电子系统-CN202211037446.2在审
发明人：姜相敏;金亨俊;李相受;张祐赈;崔铜成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。该方法可以包括：形成模制堆叠体，该模制堆叠体包括与多个牺牲层交替地布置的多个绝缘层；通过顺序地图案化模制堆叠体来形成初步焊盘部分；形成单元接触孔，该单元接触孔延伸穿过初步焊盘部分和牺牲层部分；通过横向扩展初步焊盘部分和牺牲层部分来形成第一延伸部分和多个第二延伸部分；在第一延伸部分中形成第一绝缘衬层和牺牲环图案；在第二延伸部分中形成氧化物衬层和绝缘环图案；在单元接触孔内形成牺牲插塞；以及用栅电极替换牺牲层，并且用焊盘部分替换初步焊盘部分、第一绝缘衬层和牺牲环图案。
半导体器件制造方法包括电子系统

[发明专利]可变电阻存储装置-CN202110400679.3在审
发明人：郑载琥;朴洸珉;金钟旭;崔铜成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种可变电阻存储装置包括：第一导电线，所述第一导电线在第一方向上延伸；第二导电线，所述第二导电线在第二方向上延伸并且在所述可变电阻存储装置的俯视图中与所述第一导电线交叉；以及单元结构，所述单元结构在所述俯视图中分别设置在所述第一导电线与所述第二导电线的交叉点处。每个所述单元结构包括开关图案、可变电阻图案以及设置在所述开关图案和所述第一导电线之间的第一电极，所述第一电极包含碳。每条所述第一导电线包括位于其上部的上图案，所述上图案包含金属氮化物。所述上图案与所述第一电极的底表面接触。
可变电阻存储装置

[发明专利]制造交叉点型半导体存储器件的方法-CN202010284475.3在审
发明人：郑载琥;高永珉;金钟旭;朴洸珉;崔铜成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开提供了制造交叉点型半导体存储器件的方法。一种制造交叉点型半导体存储器件的方法包括：形成字线和单元堆叠，间隙在单元堆叠之间；在该间隙中形成下间隙填充绝缘体；在下间隙填充绝缘体上形成上间隙填充绝缘体；固化下间隙填充绝缘体和上间隙填充绝缘体以形成间隙填充绝缘体；以及在单元堆叠和间隙填充绝缘体上形成位线。下间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第一源气体执行，上间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第二源气体执行，在第一源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以大于15：1，在第二源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以小于15：1。
制造交叉点半导体存储器件方法

[发明专利]用于制造包括低k介电材料层的半导体器件的方法-CN202010805333.7在审
发明人：高永珉;金钟旭;郑载琥;崔铜成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：提供用于制造包括低k介电材料层的半导体器件的方法，其包括在包括半导体衬底的下部结构上形成具有第一开口的第一图案结构。第一图案结构包括堆叠图案和覆盖堆叠图案的至少一个侧表面的第一间隔体层。包括SiOCH材料的第一能流动材料层形成在第一间隔体层上以填充第一开口并覆盖第一图案结构的上部部分。对第一能流动材料层进行包括将气态氨催化剂供应到第一能流动材料层中的第一固化工艺以形成包括水的第一固化材料层。对第一固化材料层进行第二固化工艺以形成第一低k介电材料层。将第一低k介电材料层平坦化以形成平坦化的第一低k介电材料层。
用于制造包括材料半导体器件方法

[发明专利]可变电阻存储器装置-CN201910917787.0在审
发明人：金钟旭;高永珉;金秉柱;郑载琥;崔铜成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：提供了一种可变电阻存储器装置，所述可变电阻存储器装置包括：设置在衬底上的可变电阻图案；第一氮化物层，其覆盖可变电阻图案的至少一部分；以及第二氮化物层，其形成在第一氮化物层上，其中，第一氮化物层中的氮含量小于第二氮化物层中的氮含量。
可变电阻存储器装置

[发明专利]可变电阻存储器装置及其制造方法-CN201910949959.2在审
发明人：金秉柱;高永珉;金钟旭;郑载琥;崔铜成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请提供了一种可变电阻存储器装置及其制造方法，所述方法包括：在衬底上形成存储器单元的阵列，其中，各个存储器单元包括可变电阻结构和开关元件；以及形成覆盖开关元件的侧壁的侧壁绝缘层。形成侧壁绝缘层的步骤包括：向开关元件的暴露的侧壁供应硅源的预备步骤；以及执行工艺循环多次的主步骤，工艺循环包括供应硅源和供应反应气体。在预备步骤中供应硅源的持续时间长于在主步骤中的工艺循环中供应硅源的持续时间。
可变电阻存储器装置及其制造方法

[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法-CN201910782346.4在审
发明人：金秉柱;高永珉;金钟旭;朴洸珉;朴正熙;崔铜成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种可变电阻存储器件可以包括：沿第一方向延伸的多条第一导线；沿第二方向延伸的多条第二导线；多个存储单元，相对于自上而下的视图，每个存储单元在第一导线中的相应一条与第二导线中的相应一条之间的各交叉点处，每个存储单元包括夹在顶部电极和底部电极之间的可变电阻结构和开关元件；和第一电介质层，填充存储单元的开关元件之间的空间。第一电介质层的顶表面设置在存储单元的顶部电极的底表面和顶表面之间。
可变电阻存储器件及其制造方法

1
共 8 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top