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[发明专利]圆筒形掩模板的刻蚀系统和圆筒形掩模板的刻蚀方法-CN201310675696.3在审
发明人：刘洋;张士健;伍强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种圆筒形掩模板的刻蚀系统和圆筒形掩模板的刻蚀方法。所述圆筒形掩模板的刻蚀系统包括滚筒，所述滚筒表面设置的掩模板包覆区域用于包覆待刻蚀掩模板，使得待刻蚀掩模板呈圆筒形。使用时，在所述待刻蚀掩模板的表面覆盖光刻胶图案后，绕所述滚筒轴向转动待刻蚀掩模板，由刻蚀气体喷射装置的喷射开口向所述待刻蚀的掩模板的表面喷射刻蚀气体，以光刻胶图案为掩模刻蚀所述待刻蚀掩模板，从而在待刻蚀掩模板上形成精确的刻蚀图案
圆筒模板刻蚀系统方法

[发明专利]一种角度可控的SiC衬底缓坡刻蚀方法-CN201711220783.4有效
发明人：朱继红;蔺增金;赵小瑞;张志文 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种角度可控的SiC衬底缓坡刻蚀方法，其特征在于，步骤包括：在SiC衬底上形成抗刻蚀掩模层；在抗刻蚀掩模层上形成形貌控制掩模层；腐蚀形貌控制掩模层，包括：在形貌控制掩模层上涂覆第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行光刻，形成形貌控制掩模层的腐蚀窗口，利用腐蚀窗口对形貌控制掩模层进行腐蚀，以及在形貌控制掩模层上涂覆第二光刻胶层，对第二光刻胶层进行光刻，在形貌控制掩模层上形成刻蚀窗口，利用刻蚀窗口对形貌控制掩模层进行侧蚀，在光刻胶层与抗刻蚀掩模层之间形成刻蚀间隙；腐蚀抗刻蚀掩模层，在抗刻蚀掩模层上形成缓坡角度；以及刻蚀衬底，形成具有缓坡角度的衬底。
一种角度可控 sic 衬底缓坡刻蚀方法

[发明专利]用于孔图案化的掩模图案和制造半导体器件的方法-CN201210482777.7有效
发明人：宣俊劦;李圣权;李相晤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤在包括第一区和第二区的衬底之上形成刻蚀目标层；在刻蚀目标层之上形成硬掩模层；在硬掩模层之上形成第一刻蚀掩模，其中，所述第一刻蚀掩模包括多个线图案和形成在所述多个线图案之上的牺牲间隔件层；在第一刻蚀掩模之上形成第二刻蚀掩模，其中，所述第二刻蚀掩模包括网型图案和覆盖第二区的阻挡图案；去除牺牲间隔件层；通过利用第二刻蚀掩模和第一刻蚀掩模刻蚀硬掩模层，来形成具有多个孔的硬掩模层图案；以及通过利用硬掩模层图案刻蚀所述刻蚀目标层
用于图案制造半导体器件方法

[发明专利]刻蚀掩模膜的测评-CN201210543905.4有效
发明人：五十岚慎一;吉川博树;稻月判臣;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及刻蚀掩模膜的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述刻蚀掩模膜：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在施加于刻蚀掩模膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，以及计算第一刻蚀完成时间与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。
刻蚀掩模膜测评

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201310038661.9有效
发明人：朴昌基 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括在具有刻蚀目标层的半导体衬底上形成刻蚀掩模层；将所述刻蚀掩模图案化以形成多个刻蚀掩模图案；以及形成围绕具有均匀临界尺寸和间隙的刻蚀掩模图案的辅助层，以形成包括辅助图案和刻蚀掩模图案的硬掩模图案
制造半导体器件方法

[发明专利]刻蚀方法-CN201410301926.4有效
发明人：张海洋;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀方法，包括：提供衬底；在衬底上形成刻蚀材料层；在刻蚀材料层上形成硬掩模，硬掩模包括依次形成于刻蚀材料层上的第二硬掩模以及第一硬掩模；图形化第一硬掩模，在第一硬掩模中形成图案，并露出部分第二硬掩模；以第一硬掩模为掩模刻蚀第二硬掩模，将图案转移到第二硬掩模中；以具有图案的第二硬掩模为掩模，刻蚀材料层。本发明的有益效果在于：相对于现有技术完全以第一光刻胶来刻蚀硬掩模的方式，减少第一光刻胶的者减少被刻蚀程度，从而尽量地避免了因第一光刻胶过薄而导致在硬掩模中形成的图案不够精确的问题。
硬掩模刻蚀刻蚀材料光刻胶图案衬底掩模图案转移图形化

[发明专利]一种接触孔的刻蚀方法及DRAM的制造方法-CN202010942523.3在审
发明人：姜东勋;李俊杰;周娜;王佳;李琳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种接触孔的刻蚀方法及DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有HARC刻蚀配方只有时间刻蚀步骤而没有EPD刻蚀步骤，和在刻蚀接触孔时，放射出的波长信号太小而导致EPD刻蚀不起作用的问题刻蚀方法包括：提供半导体衬底，其中，半导体衬底中形成有导电部件；在半导体衬底上方由下至上顺序形成刻蚀停止层、待刻蚀层、第一掩模层和第二掩模层；对第二掩模层进行光刻工艺以形成第二掩模层图案；将第二掩模层图案转移到第一掩模层中以形成第一掩模层图案；以及以第一掩模层图案为掩模，刻蚀待刻蚀层和刻蚀停止层以形成接触孔并露出导电部件，其中，待刻蚀层的刻蚀中采用端点检测EPD。实现HARC刻蚀菜单包括改进EPD刻蚀，克服了技术偏见。
一种接触刻蚀方法 dram 制造

[发明专利]用于形成图案的方法-CN201911251894.0有效
发明人：李汉澈;崔原赫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种用于形成图案的方法，包括：形成刻蚀阻挡叠层，其中第一牺牲材料、第一掩模线、第二牺牲材料以及与第一掩模线交叉的第二掩模线顺序地设置在刻蚀目标材料上；使用第二掩模线和第一掩模线作为刻蚀掩模来刻蚀第二牺牲材料和第一牺牲材料，以在第一牺牲材料中形成彼此隔离的岛状牺牲开口；形成岛状牺牲柱以填充岛状牺牲开口；刻蚀第一掩模线，以在第一掩模线与第二掩模线之间的交叉处形成岛状掩模；以及使用岛状掩模和岛状牺牲柱作为刻蚀掩模来刻蚀第一牺牲材料，以形成包括岛状开口的牺牲阻挡层，所述岛状开口彼此隔离以暴露刻蚀目标材料。
用于形成图案方法

[发明专利]一种制备磁性随机存储器导电硬掩模的方法-CN201810090034.2有效
发明人：张云森;肖荣福;郭一民;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备磁性随机存储器导电硬掩模的方法，包括如下步骤：(1)提供表面抛光的带金属通孔的CMOS基底，并在基底上沉积底电极和磁性隧道结多层膜、导电硬模层的刻蚀阻挡层、导电硬掩模、导电硬掩模的掩模层；(2)图形化导电硬掩模图案，并且使图案转移到导电硬掩模的掩模层顶部；(3)部分刻蚀导电硬掩模，并去掉残留物；(4)继续刻蚀剩余导电硬掩模，使刻蚀停止在刻蚀阻挡层之上，并维持部分过刻蚀。由于在刻蚀过程中，采用了两个步骤对导电硬掩模进行刻蚀和后处理，这样既解决了在刻蚀过程中刻蚀选择比过低的问题，又解决了因为Cl的引入而对磁性隧道结潜在性能的影响，有利于磁性随机存储器磁性、电学和良率的提升
一种制备磁性随机存储器导电硬掩模方法

[发明专利]刻蚀方案的确定方法、测试掩模板以及刻蚀系统-CN202111509340.3在审
发明人：程雷;朱蕾 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请提供一种刻蚀方案的确定方法、测试掩模板以及刻蚀系统。该刻蚀方案的确定方法包括：提供一测试掩模板，其中，测试掩模板包括多个不同穿透率的掩模区域，每个掩模区域分别设置有对应预设刻蚀图案的不同穿透率的掩模图案；对不同穿透率的每个掩模区域分别进行刻蚀测试，以得到匹配的刻蚀方案该方法不仅能够保证刻蚀图案的关键尺寸和形貌与预设刻蚀图案的关键尺寸和形貌一致，且有效节省了人力和物力。
刻蚀方案确定方法测试模板以及系统

[发明专利]刻蚀远紫外光(EDV)光掩模的方法-CN200710140139.6有效
发明人：吴半秋;马德哈唯·R·钱德拉乔德;阿杰伊·库玛 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-08-06 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明提供了刻蚀EUV光掩模的方法的实施方式。在一个实施方式中，刻蚀远紫外光掩模的方法包括提供光掩模，所述光掩模依次包括衬底、多材料层、覆盖层和多层吸收层，所述多层吸收层包括在体吸收层上沉积的自掩模层，其中所述自掩模层包括钽和氧而所述体吸收层包括钽且基本不含氧；使用第一刻蚀工艺刻蚀自掩模层；以及使用不同于第一刻蚀工艺的第二刻蚀工艺刻蚀所述体吸收层，其中在第二刻蚀工艺期间所述体吸收层的刻蚀速率大于所述自掩模层的刻蚀速率。
刻蚀紫外光 edv 光掩模方法

[发明专利]双层、三层掩模CD控制-CN200910211371.3有效
发明人：格拉尔多·A·德尔加迪奥;罗伯特·C·赫夫蒂 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种用于控制刻蚀层中的刻蚀特征的CD的方法，该刻蚀层位于功能化的有机掩模层下，该功能化的有机掩模层位于中间掩模层下，该中间掩模层位于图案化的光刻胶掩模下，从而形成堆栈。通过相对于所述图案化的光刻胶掩模选择性地刻蚀该中间掩模层，打开该中间掩模层。打开该功能化的有机掩模层。打开该功能化的有机掩模层包含使含COS的打开气体流入、形成等离子体以及停止该打开气体的流入。刻蚀该刻蚀层。
双层三层 cd 控制

[发明专利]一种制作超小型磁性随机存储器阵列的方法-CN201910079448.X有效
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供一种制作超小型磁性随机存储器阵列的方法：在基底上沉积底电极、磁性隧道结(MTJ)、硬掩模和牺牲掩模各膜层；图形化定义MTJ图案，选择性横向缩微硬掩模和牺牲掩模；刻蚀MTJ直到底电极之上并维持少量过刻蚀；沉积绝缘层，并使底电极刻蚀前端和牺牲掩模顶部绝缘层厚度大于MTJ和硬掩模侧壁绝缘层厚度；对MTJ侧壁进行修剪；沉积底电极刻蚀用自对准掩模；刻蚀底电极；覆盖绝缘覆盖层，填充电介质并磨平。本发明在刻蚀MTJ和底电极时采用两次刻蚀，有效降低了阴影效应，另外在硬掩模刻蚀后，增加横向修剪工艺，使得后续底电极刻蚀前端和牺牲掩模顶端沉积绝缘层厚度大于MTJ和硬掩模侧壁绝缘层厚度，大大提升修剪效率。
一种制作超小型磁性随机存储器阵列方法

[发明专利]一种制作超小型磁性随机存储器阵列的方法-CN201910079795.2在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种制作超小型磁性随机存储器阵列的方法：在基底上沉积底电极和磁性隧道结膜(MTJ)、硬掩模膜层；图形化定义MTJ图案，硬掩模刻蚀并使其侧壁倾角大于90度；刻蚀MTJ直到底电极之上并维持少量过刻蚀；沉积绝缘层并使底电极刻蚀前端和硬掩模顶部绝缘层厚度大于MTJ和硬掩模侧壁绝缘层厚度；对MTJ侧壁进行修剪；沉积底电极刻蚀用自对准掩模；刻蚀底电极；覆盖绝缘覆盖层，电介质填充并磨平。本发明在刻蚀MTJ和底电极时采用两次刻蚀，有效降低了阴影效应，另外在硬掩模刻蚀后，硬掩模侧壁倾角大于90度，使得后续底电极刻蚀前端和硬掩模顶端沉积绝缘层厚度大于MTJ和硬掩模侧壁绝缘层厚度，大大提升修剪效率
一种制作超小型磁性随机存储器阵列方法

[发明专利]多晶硅刻蚀方法-CN202310340066.4在审
发明人：缪振怡;温世源;张俊学 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅刻蚀方法，包括步骤：提供衬底，在衬底上依次形成多晶硅层和硬掩模层，硬掩模层表面形成有凹陷结构；在硬掩模层上形成抗反射涂层；以硬掩模层为刻蚀停止层对抗反射涂层进行刻蚀，且刻蚀完成后，凹陷结构中残留有抗反射涂层；以凹陷结构中的抗反射涂层作为掩模，对硬掩模层进行第一次刻蚀，以去除凹陷结构外的设定厚度的硬掩模层；对硬掩模层进行第二次刻蚀形成图案化硬掩模层，并以图案化硬掩模层为掩模对多晶硅层进行刻蚀本发明提供的方法，可对硬掩模层上的凹陷结构进行平坦化，从而提高了硬掩模层的平整度，有效避免了多晶硅残留和有源区损伤，并提高了多晶硅刻蚀工艺窗口。
多晶刻蚀方法

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