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[发明专利]碳化硅晶片的刻蚀方法-CN202110176708.2在审
发明人：谭晓宇;林源为 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种碳化硅晶片的刻蚀方法，其包括：传入步，将表面具有图形化掩膜的碳化硅晶片传入工艺腔室；刻蚀步，向所述工艺腔室中通入工艺气体，将所述工艺气体激发为等离子体，刻蚀所述碳化硅晶片，其中，所述工艺气体包括刻蚀气体和稀释气体，所述刻蚀气体用于刻蚀所述碳化硅晶片，所述稀释气体用于稀释激发所述工艺气体得到的等离子体的浓度。采用上述技术方案公开的刻蚀方法刻蚀碳化硅晶片，可以防止形成的刻蚀结构的侧壁和底面近乎垂直，会引起尖端放电现象，从而容易损坏器件的问题。
碳化硅晶片刻蚀方法

[发明专利]基于模型的离子束刻蚀速率控制方法及装置-CN201911127650.1有效
发明人：景晓军;黄海;杨威;张芳沛;吴胜;陈千千 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G05B19/408 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种离子束刻蚀的刻蚀速率控制方法、离子束刻蚀方法及装置，其中，速率控制方法包括：获取目标刻蚀速率；将目标刻蚀速率代入速率确定模型，得到工艺参数需满足的条件；其中，速率确定模型为：以工艺参数为自变量、以刻蚀速率为因变量的模型，速率确定模型是通过样本特征参数、样本刻蚀速率对待训练模型进行训练得到的模型；根据工艺参数需满足的条件，调节工艺参数的值，以使得按工艺参数的值进行刻蚀所得到的实际刻蚀速率与目标刻蚀速率相等采用本发明实施例的技术方案，可以控制离子束刻蚀过程中的刻蚀速率，提高了刻蚀速率的可控性，从而提高了离子束刻蚀过程的可控性和灵活性。
基于模型离子束刻蚀速率控制方法装置

[发明专利]湿法刻蚀方法-CN202010686651.6在审
发明人：张泉;杨谊;王春伟 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种湿法刻蚀方法，通过设定各所述工艺腔的作业顺序；然后按设定的所述作业顺序，将加热后的刻蚀液通入各所述工艺腔内；以及，按设定的所述作业顺序，对各所述工艺腔内的所述半导体衬底执行刻蚀工艺。即通过设定各所述工艺腔的作业顺序，可以避免多个所述工艺腔一起开始作业，并可以将加热后的刻蚀液按设定的所述作业顺序通入各所述工艺腔内，由此，可以避免大批量的刻蚀液集中，从而可以避免大批量的刻蚀液集中加热，进而可以有效的管控所述刻蚀液的温度，提高后续刻蚀工艺的均匀性。
湿法刻蚀方法

[发明专利]间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺-CN202111444829.7在审
发明人：刘胜;孙亚萌;王诗兆;东芳;薛良豪;李瑞 -专利权人：武汉大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺，其结构包括腔体晶圆、键合晶圆和芯片；该间接式等离子体大腔体刻蚀的结构制备工艺包括前处理工艺、等离子体深硅刻蚀工艺以及键合工艺。本发明完美解决了深硅刻蚀过程中单腔体刻蚀时间长，刻蚀形成的腔体底面粗糙度大的技术问题；提出的间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺易于实现自动化操作，工艺稳定，适合具有高深宽比的多腔体刻蚀，并且适于大规模批量生产的应用场景
间接等离子体大腔体刻蚀结构及其制备工艺

[发明专利]一种具有倾斜侧壁刻蚀孔的刻蚀方法-CN201210444565.X有效
发明人：石刚;刘翔宇;许颂临 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种具有倾斜侧壁的刻蚀孔刻蚀方法，所述刻蚀方法用于刻蚀的基片上依次形成有刻蚀停止层、刻蚀目标层和掩膜层，将待刻蚀基片放入等离子反应腔后以所述掩膜层为掩膜，以第一刻蚀工艺刻蚀目标材料层，形成刻蚀孔垂直于下方刻蚀停止层的刻蚀孔；以第二刻蚀工艺刻蚀去除所述掩膜层；以第三刻蚀工艺刻蚀所述去除掩膜层后的目标材料层，直到所述形成修正后的刻蚀孔，修正后的刻蚀孔侧壁与所述下方刻蚀停止层平面形成的夹角小于80度。
一种具有倾斜侧壁刻蚀方法

[发明专利]一种硅片的刻蚀方法-CN200910236244.9有效
发明人：朱哲渊 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2009-10-23 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片的刻蚀方法，涉及半导体芯片加工工艺领域，为降低因颗粒附着造成的刻蚀缺陷而发明。所述刻蚀方法在刻蚀工艺中产生副产物的刻蚀步骤后，增加在预定的上电极功率、下电极功率和压强的条件下，降低刻蚀气体的流量并增加惰性气体的过渡步骤；在过渡步骤之后，去除刻蚀气体，并使用惰性气体进行冲刷，将刻蚀工艺过程中产生的工艺副产物和刻蚀中腔室壁中颗粒被等离子体轰击后悬浮在等离子体中的颗粒带走本发明可用于半导体硅片的刻蚀工艺中。
一种硅片刻蚀方法

[发明专利]改善有源区点状腐蚀缺陷的方法-CN201611040507.5有效
发明人：聂钰节;唐在峰;吴智勇;任昱;吕煜坤 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善有源区点状腐蚀缺陷的方法，通过建立理论第一主刻蚀工艺中有源区顶部到浅沟槽隔离结构顶部的阶梯高度与理论第一主刻蚀工艺参数的参考关系图，根据参考关系图和实际阶梯高度从而更加方便和可控地调整实际的第一主刻蚀工艺的工艺参数，从而采用该第一主刻蚀工艺对多晶硅层进行刻蚀，且停止于栅氧层上方，使得位于栅氧层上方的多晶硅层顶部高于栅氧层顶部，避免传统第一主刻蚀工艺在第一主工艺刻蚀时容易刻蚀到栅氧层甚至有源区表面而造成的点状腐蚀缺陷，提高了对多晶硅栅极的刻蚀效果，并且本发明的方法简单，成本低廉。
改善有源区点状腐蚀缺陷方法

[发明专利]半导体器件的制备工艺-CN201510174038.5在审
发明人：张海洋;王冬江 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备工艺，通过采用化学下游刻蚀工艺在湿法刻蚀之前先对先前形成的沟槽进行表面进行平滑处理，从而使得在后续湿法刻蚀工艺中能够较好地控制沟槽的形貌，并且通过在湿法刻蚀之后对沟槽的参数进行测量，从而基于这些参进一步优化刻蚀工艺中的工艺条件，使得能够更为精确地控制刻蚀之后形成的源漏沟槽的形貌和尺寸。
半导体器件制备工艺

[发明专利]一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法-CN201210047386.2有效
发明人：杨渝书;李程;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法。本发明一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，通过对等离子体氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀工艺的改进，采用稀氢氟酸湿法刻蚀非等离子体的氧化硅刻蚀工艺，并将其整合到刻蚀后的聚合物清洗工艺中，即在湿法清洗酸槽中增加DHF槽，从而达到在不增加工艺机台和步骤的情况下，实现无等离子体损伤，及氧化硅对硅高刻蚀选择比的刻蚀工艺，从而减少硅衬底的刻蚀损失。
一种氧化栅极补偿隔离刻蚀方法

[发明专利]图形化衬底的制作方法、图形化衬底和发光二极管-CN201810988705.7有效
发明人：张君 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：包括依次进行的掩膜降低阶段、主刻蚀阶段和过刻蚀阶段，掩膜降低阶段：对表面形成有掩膜的衬底以预设的第一刻蚀工艺参数进行刻蚀，第一刻蚀工艺参数满足掩膜的刻蚀速率大于衬底的刻蚀速率，以降低掩膜的高度；主刻蚀阶段：对经过掩膜降低阶段的衬底以预设的第二刻蚀工艺参数进行刻蚀，以提高衬底的底宽和拐点夹角；过刻蚀阶段，对经过主刻蚀阶段的衬底的形貌以预设的第三刻蚀工艺参数进行修饰，以获得图形化衬底。本发明的图形化衬底的方法，可以有效缩短工艺时间，提高制作产能。
图形衬底制作方法发光二极管

[发明专利]一种等离子刻蚀工艺的预测与监控方法-CN200710062847.2有效
发明人：张善贵 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2007-01-18 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： G05B19/048 文献下载
摘要：本发明所述的一种等离子刻蚀工艺的预测与监控方法，将待检测的数据样本代入设定的主元回归方程得出等离子刻蚀工艺过程的当前的工艺性能指标；再根据当前的等离子刻蚀工艺过程的工艺性能指标确定是否结束种等离子刻蚀工艺过程能实现工艺进行中Wafer的刻蚀速率以及均匀性的在线监控。
一种等离子刻蚀工艺预测监控方法

[发明专利]一种检测ICP工艺微小尺寸刻蚀深度及均匀性的方法-CN202011534616.9有效
发明人：王永刚;刘智辉;张鹏;刘志远;王明伟;倪雷;陈冬卅 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十九研究所
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种检测ICP工艺微小尺寸刻蚀深度及均匀性的方法，涉及一种ICP工艺对微小尺寸刻蚀深度及均匀性的检测方法。解决了现有检测ICP工艺刻蚀微小尺寸硅微结构的深度及均匀性的方法存在测量误差大，不方便连续进行刻蚀，费时费力的问题。本发明确定对晶圆背面的腐蚀深度；根据确定的腐蚀深度，采用各向异性湿法将晶圆每个单元的背面腐蚀出54.74°的斜坡结构；通过双面光刻对准技术，将待刻蚀区域与斜坡结构进行对准；在晶圆待刻蚀区域，采用ICP工艺进行固定线宽结构刻蚀，没有新的刻透结构产生，利用最后出现的刻透结构对应的刻蚀深度计算ICP工艺在该刻蚀宽度时的最大深度，计算ICP工艺在该宽度时刻蚀的均匀性。本发明适用于检测ICP工艺微小尺寸刻蚀深度及均匀性。
一种检测 icp 工艺微小尺寸刻蚀深度均匀方法

[发明专利]控制刻蚀方法及刻蚀装置的控制装置-CN200810105303.4有效
发明人：杜珊珊;韩秋华;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种控制刻蚀方法，包括：获取同一批生长的薄膜的厚度的平均值；判断平均值是否超出预定范围；若平均值超出预定范围，进行附加刻蚀工艺和标准刻蚀工艺；若在预定范围内，进行标准刻蚀工艺。相应地，本发明还提供一种控制刻蚀装置。本发明通过对同一批生长的薄膜的厚度计算其平均值，对于平均值超出预定范围的该批薄膜在进行标准刻蚀工艺之前或者之后进行附加刻蚀的时候，均采用相同的附加刻蚀的参数，故避免了现有技术的在进行附加刻蚀前对每片半导体衬底上的薄膜进行测试、和调整附加刻蚀的参数步骤，节约了工艺过程，缩短了整个刻蚀过程的时间。
控制刻蚀方法装置

[发明专利]电阻式随机存储器的形成方法-CN201510131863.7有效
发明人：张海洋;刘盼盼 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电阻式随机存储器的形成方法，包括：以具有开口的硬掩膜层为掩膜，采用第一干法刻蚀工艺刻蚀上电极层，直至暴露出介电材料层表面，所述第一干法刻蚀工艺的刻蚀气体为CH₄；继续以具有开口的硬掩膜层为掩膜，采用第二干法刻蚀工艺刻蚀介电材料层，直至暴露出下电极层表面，所述第二干法刻蚀工艺的刻蚀气体为H₂。本发明避免刻蚀工艺对上电极层以及介电材料层造成刻蚀污染，使得刻蚀后的上电极层侧壁以及介电材料层侧壁清洁，进而提高形成的电阻式随机存储器的电学性能。
电阻随机存储器形成方法

[发明专利]一种半导体基板的刻蚀装置和方法-CN201410235904.2在审
发明人：仰庶;王晖;陈福平;张晓燕 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：半导体刻蚀工艺是一种通过物理化学反应来移除基板表面物质的工艺，通常分为干法刻蚀和湿法刻蚀两大类。由于刻蚀工艺对机台设备的要求相对较低，工艺也比较简单，所以在半导体加工行业中得到了广泛地应用。但是，如何控制湿法刻蚀中的刻蚀速率一直是行业内公认的技术难点。本发明提供的基板刻蚀装置具有厚度检测模块，通过测量基板的厚度来调节刻蚀速率，达到了很好的效果。
一种半导体刻蚀装置方法