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[发明专利]一种单晶高温合金铸件定向凝固用籽晶及其制备和应用-CN202210212175.3在审
发明人：任玉艳;姜卫国;董琳;李国胜;张珊珊;李强;王瑞春;赵德彪;王晓林;李延昭 -专利权人：潍坊科技学院
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C30B21/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种单晶高温合金铸件定向凝固用籽晶及其制备和应用，所述籽晶为底部带锥形台结构的籽晶件，其底部为锥形台结构，顶部为圆柱体结构，锥形台结构上底面形状、尺寸与圆柱体结构截面相同。制备工艺流程为：设计籽晶尺寸，制备籽晶串蜡模，制备籽晶串模壳，采用定向凝固工艺制备由多个籽晶组成的籽晶串，标定籽晶串晶体取向，并将籽晶串切割为籽晶单体，获得用于制备单晶高温合金铸件的定向凝固用籽晶。该籽晶制备方法简单，可批量生产，其晶体取向精确，安装简单且空间位置固定准确，可满足批量制备高精度晶体取向单晶铸件的要求。
一种高温合金铸件定向凝固籽晶及其制备应用

[发明专利]一种制备8英寸籽晶的方法-CN202010960344.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备8英寸籽晶的方法，属于碳化硅籽晶制备技术领域。为解决外延法和拼接法制备的8英寸籽晶有缺陷、易脱落的问题，本发明提供了一种制备8英寸籽晶的方法，由6英寸晶体切割籽晶薄片；由籽晶薄片上切取4片半径为4英寸的直角扇形籽晶薄片并将其以直径曲面晶格结构一致的顺序拼接成一个8英寸籽晶原料，通过碳化硅粉将8英寸籽晶原料粘接在石墨坩埚盖上，得到籽晶与石墨坩埚盖的复合体，将其退火、外延生长，在其表面覆盖一层碳化硅薄膜层后制得无缺陷的8英寸籽晶。本发明将8英寸籽晶直接粘接在坩埚盖上，解决了8英寸籽晶易脱落的问题，可直接用于碳化硅单晶的制备，减少了籽晶的晶格错位缺陷，操作简单，易于实施。
一种制备英寸籽晶方法

[发明专利]铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶、铸造单晶硅-CN202011205548.1有效
发明人：雷琦;何新根;李小平;李建敏;何亮;邹贵付;甘胜泉;程小娟 -专利权人：新余赛维铸晶技术有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸造单晶硅用籽晶的制备方法、铸造单晶硅用籽晶和铸造单晶硅。铸造单晶硅用籽晶的制备方法的步骤为：利用定向凝固方法制备铸造单晶硅锭；将所述铸造单晶硅锭切割成原始籽晶；对所述原始籽晶进行热处理，得到所述籽晶，所述热处理的温度不高于1200℃。通过对铸造单晶硅锭切割的原始籽晶进行热处理，可有效降低原始籽晶的晶体微缺陷，从而得到铸造单晶硅用籽晶，而采用该籽晶得到的铸造单晶硅锭的与采用单晶晶棒切割作为籽晶的铸造单晶硅锭制备成的电池片的效率相当。
铸造单晶硅籽晶制备方法

[发明专利]一种便于籽晶移植的籽晶生长装置-CN202011567957.6有效
发明人：罗亚南;郭关柱 -专利权人：云南农业大学
申请日： 2020-12-26 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明属于涉及一种便于籽晶移植的籽晶生长装置，晶体材料制备技术领域，包括圆筒、下端盖、上端盖、下隔板、上隔板、下腔保温隔热层、下腔热电耦、上腔保温隔热层、上腔热电偶、籽晶生长控温管、底座、顶座、安瓿固定架、籽晶生长安瓿；本发明实现将制备籽晶便于移植和固定在晶体材料生长制备籽晶生长安瓿内，同时通过籽晶生长控温管来实现温度的而控制，有利于制备出高性能碲锌镉晶体材料，生长出品质较好的籽晶。
一种便于籽晶移植生长装置

[发明专利]一种添加内部籽晶的多籽晶熔融织构法制备钇钡铜氧超导块材的方法-CN202211599634.4在审
发明人：杨万民;叶之屏 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种添加内部籽晶的多籽晶熔融织构法制备钇钡铜氧超导块材的方法，包括如下步骤：首先制备籽晶、添加内部籽晶的先驱块、支撑块；然后装配坯体，装配完成后，采用熔融织构法，通过添加内部籽晶的多籽晶诱导生长钇钡铜氧织构块材；最后对多籽晶诱导生长织构钇钡铜氧块材渗氧处理，渗氧处理后得到多籽晶诱导生长的织构钇钡铜氧超导块材。采用本发明的添加内部籽晶的多籽晶熔融织构法制备钇钡铜氧超导块材，相对于常规多籽晶制备法，缩短了样品的生长时间，提高了样品的制备效率；提高了超导块材的机械性能，如断裂强度；提高了超导块材的超导性能，如磁悬浮力和捕获磁场能力
一种添加内部籽晶熔融法制备钇钡铜氧超导方法

[发明专利]一种用于制备单晶硅的籽晶-CN201010618259.4无效
发明人：闫永兵;孟涛 -专利权人：镇江荣德新能源科技有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备单晶硅的籽晶，所述籽晶为长条状结构，从所述籽晶侧面上向其本体内开设有一上部为斜面的开槽，所述开槽用于卡制定位销从而将所述籽晶通过定位销连在籽晶夹上，在将所述籽晶通过定位销连在所述籽晶夹上时所述定位销抵于所述斜面上，所述斜面与所述籽晶的轴向的夹角θ为12°～45°。本发明的籽晶通过增大所述斜面与所述籽晶的轴向的夹角θ，使得所述定位销对所述斜面施加的力变小，从而使所述籽晶在制备单晶硅的过程中不易发生断裂，避免了单晶硅制备过程的失败。
一种用于制备单晶硅籽晶

[发明专利]直拉法生长单晶硅用籽晶的制备方法、籽晶和生长方法-CN202310962205.7有效
发明人：李林东;陈伟;许堃;李安君;陈志军 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明属于单晶硅生产技术领域，具体涉及直拉法生长单晶硅用籽晶的制备方法、籽晶和生长方法。籽晶的制备方法包括使籽晶母棒进行画线处理，得到画线的籽晶母棒，所述籽晶母棒为等径断线的单晶棒，所述籽晶母棒的等径断线端具有位错，在所述位错的边界位置进行所述画线处理，使所述画线的籽晶母棒进行截断处理和掏磨处理，得到直拉法生长单晶硅用的籽晶，所述掏磨处理包括：在所述画线的位置掏磨标记；所述籽晶的一端具有位错部，所述位错部具有所述位错，基于所述籽晶的长度，所述位错部的长度占比为5%~10%。用本发明的制备方法制备籽晶，能够增加生长单晶硅时的产率，同时由于采用等径断线的单晶棒作为籽晶母棒，能够节约用料成本。
直拉法生长单晶硅籽晶制备方法

[发明专利]一种PVT法单晶批量制备装置及方法-CN202110448564.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种PVT法单晶批量制备装置及方法，属于晶体生长领域。解决单晶制备效率低，制备成本较高的问题。包括加热器、石墨盖、石墨托、籽晶支撑结构、籽晶、坩埚中段、石墨筒、感应线圈、石墨盘、支撑环、坩埚体和籽晶托，坩埚体与坩埚中段连接，在坩埚体连接石墨盘，石墨盘上加工圆形通孔，圆形通孔对应位置安装石墨筒，坩埚中段连接石墨盖，坩埚中段与石墨盖连接处安装支撑环，支撑环上设置石墨托，石墨托与石墨盘圆形通孔对应位置加工圆孔，石墨托连接籽晶支撑结构，籽晶支撑结构与籽晶托连接，籽晶托连接籽晶，感应线圈安装坩埚中段和坩埚体的外侧，加热器位于装置上下两侧实现多颗籽晶同时生长，材料制备速率提升，大幅降低制备成本。
一种 pvt 法单晶批量制备装置方法

[发明专利]一种顶部籽晶与内部籽晶结合制备GdBCO超导块材的熔融织构生长的方法-CN202211610660.2在审
发明人：杨万民;刘坤 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种顶部籽晶与内部籽晶结合制备GdBCO超导块材的熔融织构生长的方法，该方法在顶部籽晶熔融织构生长法的基础上，通过在先驱块内部设置钕钡铜氧籽晶的多籽晶方法制备高质量大尺寸的织构超导块。包括如下步骤：首先制备籽晶、传输层、固相先驱块、液相先驱块、支撑块，其中先驱块内部设有籽晶；然后装配坯体，装配完成后，采用熔融织构生长法，通过顶部籽晶和内部籽晶同时诱导生长GdBCO织构块材。本发明提供的这种制备方法进一步缩短了大尺寸织构GdBCO超导块材的制备时间，提高了大尺寸样品的机械强度、超导性能及其均匀性。
一种顶部籽晶内部结合制备 gdbco 超导熔融生长方法

[发明专利]多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片-CN201210096188.5有效
发明人：胡动力;陈红荣;张涛;万跃鹏 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供了多晶硅锭的制备方法，该制备方法包括在坩埚底部随机铺设籽晶，形成籽晶层，籽晶的晶向不限；在籽晶层上方设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点，使得籽晶层不被完全熔化；控制坩埚内的温度沿垂直与坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔融状态的硅料在籽晶上继承籽晶的晶向结构进行生长，制得高质量的多晶硅锭。该制备方法能够有效抑制位错的增殖，并且所使用的籽晶来源广泛，成本低，适于大规模生产。本发明同时提供了通过该制备方法获得的高质量的多晶硅锭，以及利用所述多晶硅锭制备获得的多晶硅片。
多晶及其制备方法硅片

[发明专利]用于制备镍基单晶叶片的籽晶合金-CN202010047421.5有效
发明人：宋扬;王远斌;肖锡铭;张凡;王勇 -专利权人：成都航宇超合金技术有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C22C19/05 文献下载
摘要：本发明公开了涉及单晶叶片制备技术领域，尤其是一种用用于制备镍基单晶叶片的籽晶合金，以质量百分比计，它是由下述原料制备而成：Co：5‑25％，Mo：2‑10％，Ta：5‑20％，W：1‑10％，Ni≥50％，其余为不可避免的杂质；该籽晶合金不包括Al、Ti、Cr等易氧化元素，能够有效地防止在制备镍基单晶叶片时籽晶表面的氧化，降低因籽晶表面氧化而导致镍基单晶叶片复制籽晶取向失败的可能性；根据制备的镍基单晶叶片的母合金成分，通过Ta、Co、Mo元素对籽晶合金的熔点进行相应的调整，可获得适用于不同母合金成分的镍基单晶叶片制备的籽晶合金，显著提高籽晶合金的适用范围。
用于制备镍基单晶叶片籽晶合金

[发明专利]一种制备颗粒硅籽晶的系统及方法-CN201710858647.1有效
发明人：鲍守珍;任长春;李凤琴;赵玉英;蔡延国;宗冰;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明涉及晶体硅制备技术领域，旨在提供一种制备颗粒硅籽晶的系统及方法，其能够制备出纯度高、球度高的颗粒硅籽晶。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的系统，包括挡板、熔融装置以及喷射装置，挡板与喷射装置的喷射部间隔设置。经熔融装置将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；将熔融多晶硅经喷射装置分散为多晶硅液滴，并经过挡板分散为更小的多晶硅液滴；多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的系统能够制备出纯度高、球度高的颗粒硅籽晶，具有较小的物料损失量并且不易产生粉尘。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的方法，由于采用上述的制备颗粒硅籽晶的系统，因此也具有上述的有益。
颗粒硅籽晶制备多晶硅挡板喷射装置液滴熔融装置球度熔融制备技术领域多晶硅料间隔设置冷却凝固熔融状态物料损失晶体硅喷射部加热粉尘

[发明专利]单晶碳化硅制备装置-CN202111447889.4有效
发明人：李远田;陈俊宏 -专利权人：江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶碳化硅制备装置，所述单晶碳化硅制备装置包括：第一加热炉、第一加热器、籽晶夹持器、第二加热炉和第二加热器，第一加热炉具有生长腔，第一加热器用于加热生长腔，第一加热炉的底部形成有与生长腔连通的第一气体通道；籽晶夹持器设于生长腔内，籽晶夹持器包括：安装件和设于安装件上的至少两个籽晶夹具，籽晶夹具用于安装籽晶，且籽晶夹持器构造成使籽晶在生长腔内旋转；第二加热炉设于第一加热炉的下方且具有物料腔，根据本发明的单晶碳化硅制备装置，通过设置至少具有两个籽晶夹具的籽晶夹持器，每个籽晶夹具上的籽晶均可以用于生长单晶碳化硅，即多个单晶碳化硅可以在多个籽晶上同时生长，进而提高单晶碳化硅的制备效率。
碳化硅制备装置

[发明专利]一种单晶硅生产用籽晶制备装置及方法-CN202310355849.X在审
发明人：许堃;闫洪嘉;李安君 -专利权人：云南宇泽半导体有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅生产用籽晶制备装置及方法，涉及单晶硅生产技术领域。该单晶硅生产用籽晶制备装置及方法，包括籽晶制备装置，所述籽晶制备装置的外壁固定连接有控制装置，所述籽晶制备装置的右端固定连接有原料清理装置，籽晶制备装置为市面上现有的装置，对原材料进行融化然后制成籽晶。该单晶硅生产用籽晶制备装置及方法，通过锥形块在下降过程中还会对圆形仓中气流的挤压，进而还会产生气流的流动，气流朝着暂存箱中吹去，然后气流从气流口中吹出，气流在经过暂存箱中时，会进一步带走暂存箱中原材料上的灰尘
一种单晶硅生产籽晶制备装置方法

[发明专利]金刚石的制备装置及制备方法-CN201910114769.9在审
发明人：卢泽 -专利权人：北京沃尔德金刚石工具股份有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种金刚石的制备装置及制备方法。该制备装置包括：石墨乳涂抹单元和金刚石制备单元。石墨乳涂抹单元用于在籽晶托表面涂抹石墨乳，石墨乳涂抹单元设置有籽晶托入口；及金刚石制备单元用于对放置在涂抹有石墨乳的籽晶托上的金刚石籽晶进行等离子体刻蚀，并金刚石籽晶生长，以制备金刚石。采用上述方法制备金刚石一方面能够有效控制单晶金刚石籽晶的温度，使金刚石籽晶温度稳定在一定范围内；另一方面还能够降低金刚石籽晶表面出现石墨亮点的几率，使生长过程中等离子体浓度分布均匀，进而提高制得的金刚石的品质此外采用上述方法制备金刚石还有利于使籽晶托上生长的多晶金刚石快速脱落，降低残留量。
金刚石制备石墨乳金刚石籽晶籽晶托涂抹制备装置等离子体刻蚀单晶金刚石中等离子体表面涂抹单元设置浓度分布生长过程温度稳定有效控制残留量生长石墨多晶籽晶

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