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[实用新型]一种大尺寸晶圆片减薄系统-CN202120028345.3有效
发明人：刘姣龙;刘建伟;刘园;武卫;由佰玲;裴坤羽;孙晨光;王彦君;祝斌;常雪岩;杨春雪;谢艳;袁祥龙;张宏杰;刘秒;吕莹;徐荣清 -专利权人：天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：一种大尺寸晶圆片减薄系统，包括用于对晶圆片进行定位并使其上V型槽朝预设位置设置的定位装置；用于对定位后的晶圆片单面进行厚度减薄的减薄装置；以及用于对减薄后的晶圆片的非减薄面进行清洁的清洁装置；其中，减薄装置还可分别对放置晶圆片的减薄台和减薄后的晶圆片的减薄面进行清洗，且清洗减薄台和清洗晶圆片的减薄面非同步进行；减薄时，减薄晶圆片厚度的砂轮磨盘与晶圆片交叉叠放设置；定位装置与清洁装置设于减薄装置的同侧，且定位装置、清洁装置以及减薄装置均相互独立设置。本实用新型结构设计合理且配合精度高，减薄几何参数合格且一致性好，减薄表面质量好且效率高。
一种尺寸晶圆片减薄系统

[发明专利]一种垂直型硅基氮化镓功率器件减薄方法-CN202010162049.2在审
发明人：范捷;万立宏;王绍荣 -专利权人：江苏丽隽功率半导体有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直型硅基氮化镓功率器件减薄方法，涉及半导体技术领域，该方法在减薄过程中依次经过第一次研磨减薄、第一次背面腐蚀、第二次研磨减薄、快速热退火、第三次研磨减薄荷第二次背面腐蚀，该方法将传统的背面机械研磨分为三次完成，三次研磨减薄采用不同粗糙度的研磨轮以及不同减薄厚度的组合，既能保证减薄速率，又降低了应力，使垂直型硅基氮化镓功率器件不会在减薄过程中碎片，三次研磨减薄过程之间创新的通过背面腐蚀和快速退火降低应力，极大地提升了垂直型硅基氮化镓功率器件的成品率
一种垂直型硅基氮化功率器件方法

[实用新型]一种具有薄型端板的壳管式换热器-CN202122084512.9有效
发明人：胡匡昱;胡仿冰 -专利权人：昆山方佳机械制造有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： F28D7/16 文献下载
摘要：一种具有薄型端板的壳管式换热器，包括一长筒状换热腔室和换热管束，所述换热管束设置在所述换热腔室内；所述换热腔室包括一长筒状壳体及至少一端的端板；所述端板的中部为减薄部、周部为厚段部，所述减薄部由所述端板的至少一个表面凹陷形成，且所述减薄部设有多个管束孔，供所述换热管束穿设。解决现有壳管式换热器的平板式端板壁厚度高、难钻孔，导致制备效率低、成本高、胀接成功率低的技术问题。壳管式换热器端板的中部作减薄设计，设置为减薄部，厚度变薄，便于开设管束孔，可以通过冲压制作，提高开孔效率，省时省力，降低生产成本，从而提高壳管式换热器的制备效率。
一种具有薄型端板壳管式换热器

[发明专利]散热底板的制造方法-CN201310573750.3在审
发明人：郭昭正;萧复元;尹伊彰;李铭维 -专利权人：升业科技股份有限公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种散热底板的制造方法，其中，一金属底板包含至少一热管减薄区或特定减薄区，利用冲压形成多数个逃料槽于热管减薄区或特定减薄区预定区，再施以另一冲压锻制，将热管减薄区或特定减薄区的实料区块予以冲压锻制，以填补逃料槽达到不同薄化目标值，最后，将热管放置于热管减薄区，以另一冲压型挤技术来铆合固定热管，完成散热底板的组合。在另一方案中，利用冲压锻制技术形成至少一热管减薄区或特定减薄区的透空区于金属底板中，再以预定厚度、尺寸略小的对应薄金属片，利用具有凸肋圈的下模为模具施以冲压锻制而使两者接合，达到不同薄化目标值，再将热管放置于热管减薄区，以另一冲压型挤技术来铆合固定热管，完成散热底板的组合。
散热底板制造方法

[发明专利]一种碳化硅晶圆减薄用陶瓷结合剂金刚石砂轮及制备方法-CN202210881499.6在审
发明人：李伟超;王清涛 -专利权人：江苏赛扬精工科技有限责任公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B24D3/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶圆减薄用陶瓷结合剂金刚石砂轮，由以下原料组成：金刚石磨料、陶瓷结合剂、造孔剂、酚醛树脂粉的质量比为（50～70）∶（10～30）∶（10～25）∶（10～15），陶瓷结合剂为低强度高流动性陶瓷结合剂，砂轮层为整环开槽切割分段型结构，并保留1～1.5mm厚度的非切割层。本发明的碳化硅晶圆减薄用陶瓷结合剂金刚石砂轮，可以实现对碳化硅晶圆高效率、高表面质量的减薄加工。
一种碳化硅晶圆减薄用陶瓷结合金刚石砂轮制备方法

[发明专利]一种低功耗超快恢复整流二极管的制造方法-CN202110731939.5在审
发明人：吴王进;古进;龚昌明;杨波;陈海;何燕杰;唐志甫 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供的一种低功耗超快恢复整流二极管的制造方法，采用高电导P型单晶硅片和N型单晶硅片经过硼扩散后高温键合，再将形成PN结的硅片进行减薄，可间接减薄二极管芯片厚度，有效地降低二极管器件的正向压降，达到器件低功耗高频率的目的
一种功耗恢复整流二极管制造方法

[发明专利]快速减薄透射电镜样品的轰击反应方法-CN200510011289.8无效
发明人：韩勇;魏然;李池 -专利权人：中国地质大学（北京）
申请日： 2005-01-31 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明属于高能离子束加工领域，特别涉及采用轰击反应法快速减薄透射电镜样品技术。本发明的方法采用高能离子束喷溅减薄样品表面，高能离子与样品表面原子发生碰撞与反应，使样品减薄均匀，速度快、薄区大(几十～几百微米范围)，利于进行透射电子显微镜直接观察其内部结构信息。本发明具有工艺简单、重复性好，大面积薄区，易于操作控制和推广应用。本发明特点是兼备轰击减薄与反应减薄的双重作用，减薄样品无应力无机械损伤，减薄样品时速度快、效率高，制备出的减薄样品质量高。
快速透射样品轰击反应方法

[实用新型]一种型线轴瓦-CN202321000010.6有效
发明人：张志峰;田骏 -专利权人：米巴精密零部件（中国）有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： F16C33/04 文献下载
摘要：本实用新型属于轴瓦设计与制造技术领域，具体涉及一种型线轴瓦。轴瓦内壁在周向上分为承载区和非承载区；承载区在周向上占有轴瓦内壁的夹角为40.0°~90.0°，承载区包括沿轴瓦两侧边缘设置的过渡面和位于两侧的过渡面之间的主承载面，过渡面的宽度为6.0‑10.0 mm；轴瓦在过渡面上做减薄处理，最小减薄为0，最大减薄为30.0~50.0μm。本实用新型提供的型线轴瓦加工难度低，易于制得高尺寸精度的产品；本实用新型的型线轴瓦能够有效延缓使用过程的磨损，延长使用寿命。
一种线轴

[发明专利]结合有实心或减薄区段的轻合金制成的锻件的制造方法-CN201180017871.9有效
发明人：爱弥尔·托马斯·迪塞里奥;韦罗尼克·布维耶;罗曼·埃帕勒 -专利权人：圣让工业公司
申请日： 2011-04-05 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： B21J5/00 文献下载
摘要：本方法包括：a）限定最终空心零件，锻造之后在所述最终空心零件的内部具有实心或减薄区段的变形；b）对实心和减薄区段造型；c）通过设在需要带有减薄区段的区的部位的可重复使用的单材料型芯而形成减薄区段，且对型芯造型；d）在造型之后，限定半成品（2）及限定型芯的初始形状，该型芯的初始形状不同于锻造后的型芯的构造；e）围绕处于前述初始形状的型芯浇铸金属后，对带有型芯的半成品的敲击操作，零件与其型芯将产生变形，使其从初始形状变为其最终形状；f）对毛边修整；g）移除型芯。
结合实心区段合金制成锻件制造方法

[发明专利]减薄砂轮及其组件、减薄碳化硅衬底及减薄方法与应用-CN202011548722.2有效
发明人：汪良;张洁;王旻峰 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： B24D7/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种减薄砂轮及其组件、减薄碳化硅衬底及减薄方法与应用，涉及碳化硅加工技术领域。该减薄砂轮包括砂轮底座由多个减薄齿沿砂轮底座的周向依次首尾连接而成的减薄基底，减薄基底不含金刚石固体。该减薄砂轮能够避免在减薄碳化硅过程中造成深浅不一的划痕，能降低碳化硅衬底的损耗和加工成本。含上述减薄砂轮的碳化硅减薄组件能有效地对碳化硅进行减薄。采用上述组件进行减薄操作，可降低减薄后碳化硅衬底表面的划伤深度，甚至降低碳化硅衬底表面的损伤层，提高减薄后衬底表面的光洁度，此外，还能减少减薄过程中的衬底破损率，提高衬底加工的合格率。所得的减薄碳化硅衬底表面光洁，合格率高，其可进一步用于加工半导体器件。
砂轮及其组件碳化硅衬底方法应用

[发明专利]一种深筒件高减薄率拉深工艺-CN201911031829.7有效
发明人：宋孟;李妍妍;白凤梅;黄贞益;刘相华 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： B21D22/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种深筒件高减薄率拉深工艺，属于塑性材料加工技术领域。它包括初步成形、预减薄和阶梯成形三个步骤，在预减薄和阶梯成形中采用一种高减薄率拉深模具进行拉深，能够降低工件出现质量缺陷的可能性，且其在最后阶段的阶梯成形中对工件采用分段拉深减薄的方式，有效地避免了拉深深度过大造成的质量缺陷，从而可以拉深出减薄率大的薄壁深筒件。
一种深筒件高减薄率拉深工艺

[发明专利]高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺-CN02116446.0无效
发明人：郑一阳;韩海;景士平;梁平 -专利权人：北京华源科半光电子科技有限责任公司
申请日： 2002-04-05 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：一种高线性度的离子注入型砷化镓霍尔器件的制备工艺法，使用阳极氧化工艺减薄有源区的外表面，根据器件符合线性的程度调节减薄的深度，直到器件具有良好的线性特性。
线性度砷化镓霍尔器件制备工艺

[发明专利]一种薄型器件平面减应力金属互连结构及制备方法-CN201811358526.1有效
发明人：范襄;沈静曼;雷刚;于振海;付坤;赵佳铭;杨洪东;于洁;周品昕 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：一种薄型器件平面减应力金属互连结构，属于薄型器件电子封装。平面减应力互连结构特征在于其减应力通过七个“Ω”结构和两个半“工”字形镂空结构来实现，调节“Ω”结构和“工”字形结构的几何尺寸，可适应不同互连间隙下薄型器件的平面减应力互连。本发明的金属互连结构具有良好的应力缓冲或释放能力，可适应大梯度宽温域高低温环境下薄型器件的电子互连，尤其是整体胶接封装器件的平面减应力互连，且具有一定的机械强度、合适的几何尺寸，易于取、放及自动化制程。
一种器件平面应力金属互连结构制备方法

[发明专利]碲锌镉与金属界面的透射电子显微镜样品制备方法-CN201210034447.1无效
发明人：傅莉;孙颉;聂中明 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2012-02-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉与金属界面的透射电子显微镜样品制备方法，用于解决现有的在制备CdZnTe与金属界面TEM样品时极易发生样品碎裂而导致废品率高的技术问题。技术方案是对CdZnTe单晶体进行线切割、清洗、抛光后，进行化学腐蚀；在电阻蒸发镀膜机中制备金属电极；将样品对粘后，在加热台上烘烤；然后沿粘接缝隙的法线方向进行磨抛减薄后进行双面抛光，在其中一面粘接铜载网后，用手动研磨器减薄样品，最后采用Gatan 691型离子减薄仪进行减薄直至样品击穿。由于采用多片粘接和手动研磨器以高标号的砂纸进行研磨抛光，经过减薄和抛光，从而在最大程度上降低在减薄过程中对界面区域造成的损伤，提高了样品制备的成功率。
碲锌镉金属界面透射电子显微镜样品制备方法

[发明专利]臂上开缝且中心区减薄型十字形试件-CN200810104081.4无效
发明人：韩非;万敏;吴向东;王海波 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G01N3/00 文献下载
摘要：本发明一种臂上开缝且中心区减薄型十字形试件，采用基本的十字形试件作为基础，试件长宽相等，在十字臂的臂与臂之间，有圆弧过渡；十字臂上有间隔均匀的开缝；中心减薄区为两面对称减薄；其特征在于：中心减薄区与十字臂等宽度；减薄区形状为方形减薄或组合式减薄；所述的方形减薄在中心区有一圆角过渡，R＝12～20mm，且该过渡不能与开缝的端点相切；组合式减薄的过渡为三段相切的1/4圆弧，半径相等，r＝6～12mm。本发明的减薄区宽度与臂宽度相等使计算应力方便准确；减薄区的圆角过渡则减小了应力集中。该试件用于复杂加载路径下双向拉伸实验，提高变形量，达到大变形。
臂上开缝中心区减薄型十字形

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