专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法以及电子设备-CN201810156029.7有效
  • 盛一也;田中俊介;长谷川琢真 - 普里露尼库斯新加坡私人有限公司
  • 2018-02-23 - 2022-10-18 - H01L27/146
  • 提供一种固体摄像装置、固体摄像装置的制造方法以及电子设备。嵌入型光电二极管具有:基板,具有被照射光的第1基板面侧和与第1基板面侧对置的一侧的第2基板面侧(前面侧);光电变换部,包括嵌入于基板而形成的第1导电型半导体层,且具有对所接收的光的光电变换功能及电荷蓄积功能;第2导电型分离层,形成在光电变换部的第1导电型半导体层的侧部;和一个电荷传输栅极部,能传输蓄积在光电变换部中的电荷,光电变换部在第1导电型半导体层的至少一部分包括:至少一个第2导电型半导体层,其在与基板的法线正交的方向上形成至少一个子区域,且与第1导电型半导体层具有结电容成分。由此,能增加蓄积电容,且能实现噪声降低、高灵敏度化。
  • 固体摄像装置制造方法以及电子设备
  • [发明专利]半导体装置的制造方法和热板-CN202111010417.2在审
  • 桥本孝一;田中俊介;高桥裕也 - 富士电机株式会社
  • 2021-08-31 - 2022-05-13 - H01L21/02
  • 本发明涉及半导体装置的制造方法和热板。提高保护薄膜对半导体晶圆的密合性,并且提高生产率。半导体装置(1)的制造方法包括:对半导体晶圆(1)的背面中央进行磨削而在半导体晶圆的外周缘形成厚度比中央厚的环状的肋部(11)的肋部形成工序;在半导体晶圆的背面粘贴第1保护薄膜(14)的背面薄膜粘贴工序;以覆盖第1保护薄膜的外周缘和肋部的外周的方式粘贴第2保护薄膜(15)的外周薄膜粘贴工序;使半导体晶圆的背面与热板的加热面相对配置而利用热板(2)直接加热第1保护薄膜和第2保护薄膜的加热工序;以及对半导体晶圆的表面施加镀敷处理的镀敷工序。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN202110563739.3在审
  • 高桥裕也;田中俊介;桥本孝一 - 富士电机株式会社
  • 2021-05-24 - 2022-01-14 - H01L21/288
  • 本发明提供能够提高生产率的半导体装置的制造方法。在半导体晶片的背面粘贴第一带(背面带),利用第二带覆盖半导体晶片的背面电极。在半导体晶片的外周部粘贴第二带(外周带),利用第二带覆盖半导体晶片的端部。第一带和第二带是UV带。在40℃以上的温度对处于粘贴有第一带和第二带的状态的半导体晶片进行加热,半导体晶片与第一带和第二带之间的粘接力变大。在粘贴有第一带和第二带的状态下对半导体晶片进行镀覆处理,在半导体晶片的正面电极上形成镀层。依次剥离第二带、第一带。因为通过UV照射使粘接剂层硬化后剥离第一带和第二带,所以粘接剂层不会残留在半导体晶片表面。
  • 半导体装置制造方法

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