“光电二极管”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11369457个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]包括图像传感器的电子设备及其操作方法-CN202080090049.4在审
发明人：金东秀;姜和映;金荣恩;朴敏英;尹泳权;赵显哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该图像传感器相机模块的操作设置和外部环境条件，并且在识别出操作设置是预览模式并且外部环境条件是高照度环境时，该图像传感器识别与第一光电二极管和第二光电二极管的信号相对应的第一区域信号，第一光电二极管和第二光电二极管彼此串接并且包括在第一单元像素中，并且识别与第五光电二极管和第六光点二极管的信号相对应的第二区域信号，第五光点二极管包括在第二单元像素中且与第一光电二极管的位置相对应，第六光点二极管包括在第二单元像素中且与第二光电二极管的位置相对应，并且基于第一区域信号和第二区域信号来形成第一自动聚焦(AF)信息。
包括图像传感器电子设备及其操作方法

[发明专利]固态成像器件、固态成像器件的驱动方法及电子装置-CN201710012765.0有效
发明人：石渡宏明 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：像素阵列部设置有获得颜色分量信号的正常像素和获得相位差检测信号的相位差像素的矩阵，每个正常像素具有用于接收入射光并执行光电转换的光电二极管(PD)，且每个相位差像素具有彼此配对的光电二极管(PD1)和光电二极管(PD2)，光电二极管(PD1)和光电二极管(PD2)的光接收表面的尺寸根据图像高度改变。配对的光电二极管(PD1)和光电二极管(PD2)均具有用作电荷累积的主要部分的第一区域和用于光电转换并促进电荷向主要部分传输的第二区域。本发明可例如应用于CMOS图像传感器。
固态成像器件驱动方法电子装置

[发明专利]固态成像器件、固态成像器件的驱动方法及电子装置-CN201480048428.1有效
发明人：石渡宏明 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：像素阵列部设置有获得颜色分量信号的正常像素和获得相位差检测信号的相位差像素的矩阵，每个正常像素具有用于接收入射光并执行光电转换的光电二极管(PD)，且每个相位差像素具有彼此配对的光电二极管(PD1)和光电二极管(PD2)，光电二极管(PD1)和光电二极管(PD2)的光接收表面的尺寸根据图像高度改变。配对的光电二极管(PD1)和光电二极管(PD2)均具有用作电荷累积的主要部分的第一区域和用于光电转换并促进电荷向主要部分传输的第二区域。本发明可例如应用于CMOS图像传感器。
固态成像器件驱动方法电子装置

[发明专利]一种使用像素确定飞行时间的方法、设备及飞行时间感测系统-CN201280066810.6有效
发明人：马诺杰·比库曼德拉;萨西德哈尔·萨拉迪 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G01S17/10 文献下载
摘要：本发明揭示一种飞行时间像素，其包含光电二极管，所述光电二极管响应于入射于所述光电二极管上的光而积累电荷。第一转移晶体管耦合于所述光电二极管与第一电荷存储装置之间以将来自所述光电二极管的电荷选择性地转移到所述第一电荷存储装置。第二转移晶体管耦合于所述光电二极管与第二电荷存储装置之间以将来自所述光电二极管的电荷选择性地转移到所述第二电荷存储装置。启用晶体管耦合于所述第一电荷存储装置与耦合到所述第二电荷存储装置的读出节点之间以将所述第一电荷存储装置选择性地耦合到所述读出节点。具有栅极的放大器晶体管也耦合到读出节点。
电荷存储装置光电二极管读出节点耦合到转移晶体管电荷耦合飞行放大器晶体管晶体管耦合感测系统积累电荷像素确定入射像素响应

[发明专利]一种二维光电探测器、光追踪装置和光通信系统-CN202211093089.1在审
发明人：吕志坚;查露露;田金鹏;张文伟 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维光电探测器、光追踪装置和光通信系统。二维光电探测器包括至少一个第一光感芯片和至少一个第二光感芯片；第一光感芯片包括多个沿第一方向排列的第一光感单元；第二光感芯片包括多个沿第二方向排列的第二光感单元；第一光感单元包括第一光电二极管、第二光电二极管和第一挡墙结构；第一光电二极管、第一挡墙结构和第二光电二极管沿第一方向依次排列；第二光感单元包括第三光电二极管、第四光电二极管和第二挡墙结构；第三光电二极管、第二挡墙结构、第四光电二极管沿第二方向依次排列。采用上述技术方案，可以探测入射光线与二维光电探测器的光接收面在二维方向的角度，以解决光链路不稳定，光通信系统失准的问题。
一种二维光电探测器追踪装置光通信系统

[发明专利]具有多存储图像传感器像素的图像传感器-CN201910378676.7有效
发明人： S·威利卡奥 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器像素，所述图像传感器像素可包括光电二极管、一个或多个存储二极管、一个或多个电势垒结构、一个或多个电容器和浮动扩散区。所述光电二极管可耦接到存储二极管和第一电容器，并且第一电势垒结构可被插置在所述存储二极管和所述第一电容器之间。所述光电二极管还可以以相似的方式耦接到附加存储二极管和附加电容器。另外，所述光电二极管可经由对应电势垒结构直接与给定的电容器分离。每个电容器可存储来自一个或多个存储二极管和/或光电二极管的溢出电荷，并且可经由相应的晶体管连接到所述浮动扩散。
存储二极管光电二极管电容器电势图像传感器像素第一电容器浮动扩散区晶体管连接浮动扩散电荷可存储插置溢出

[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制造方法-CN201510967735.6在审
发明人：李全宝;林峰 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS图像传感器的制造方法，所述CMOS图像传感器的制造方法包括：提供形成有光电二极管及浮置扩散区的衬底结构；形成含负电荷薄膜，所述含负电荷薄膜覆盖所述光电二极管。在本发明的CMOS图像传感器的制造方法中，在光电二极管上覆盖含负电荷薄膜，含负电荷薄膜能够吸引光电二极管中的空穴，从而在光电二极管表面形成空穴累积层，由此光电二极管表面的缺陷便可由所述空穴累积层完全填满，进而便可降低整个光电二极管的暗电流问题。
一种 cmos 图像传感器及其制造方法

[实用新型]成像系统-CN201620485101.7有效
发明人： R·莫里兹森;M·米利纳尔 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本实用新型涉及成像系统，所述成像系统包括被布置成行和列的光电二极管的阵列，其中所述阵列包括3个光电二极管×3个光电二极管区域，所述区域包括一组四个非相邻光电二极管；滤色片阵列，其中所述滤色片阵列包括形成于所述组的四个非相邻光电二极管上方的一组四个滤色片元件，其中所述组的四个滤色片元件中的每个滤色片元件被配置成透射给定波长带的光；以及共用浮动扩散节点，其中所述组的四个非相邻光电二极管中的一对所述光电二极管形成于所述阵列的共同行中，并且耦合至所述共用浮动扩散节点
成像系统

[发明专利]包括高灵敏度光子混合结构的高量子效率盖革模式雪崩二极管及其阵列-CN201980079997.5在审
发明人：豪德·芬克尔斯坦 -专利权人：感觉光子公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：一种光电探测器器件包括半导体材料层以及半导体材料层中的至少一个光电二极管。该至少一个光电二极管被配置为被偏置超过至少一个光电二极管的击穿电压，以响应于检测到入射光子而生成相应的电信号。纹理区耦接至半导体材料层并且纹理区包括光学结构，该光学结构被定位成在由至少一个光电二极管检测入射光子时与入射光子相互作用。两个或更多个光电二极管可以限定光电探测器器件的像素，且光学结构可以被配置为将入射光子引导至像素的两个或更多个光电二极管中的任一个光电二极管。
包括灵敏度光子混合结构量子效率模式雪崩二极管及其阵列

[发明专利]固体图像传感器、固体图像传感器制造方法和电子设备-CN201480040757.1在审
发明人：中田征志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的固体摄像器件包括相位检测光电二极管、遮光膜和吸光膜。所述相位检测光电二极管具有光接收表面。所述遮光膜覆盖所述相位检测光电二极管的所述光接收表面的一部分。所吸光膜被设置成位于所述相位检测光电二极管上方且位于所述遮光膜上方。
固体图像传感器制造方法电子设备

[发明专利]一种单行载流子光电二极管阵列探测器及通信装置-CN202310004726.1在审
发明人：杨大宝;邢东;刘波;赵向阳;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种单行载流子光电二极管阵列探测器及通信装置。该探测器包括：衬底。衬底的上表面设有阴极电极，阴极电极为透明电极。阴极电极的上表面设有多个单行载流子光电二极管，其中，各单行载流子光电二极管的N极朝向衬底，各单行载流子光电二极管的N极通过阴极电极相互电连接。本发明通过在衬底上表面设置共用阴极电极的多个单行载流子光电二极管，阴极电极为透明电极。在衬底下表面与阴极电极正对区域设置透光区。多个单行载流子光电二极管可通过透光区接收同一入射光信号，实现相位、功率一致。避免采用光功分器，简化了单行载流子光电二极管阵列探测器的结构。
一种单行载流子光电二极管阵列探测器通信装置

[发明专利]用于减少暗电流的凸起电极-CN201810932885.7有效
发明人：王勤;比尔·潘;胡信中;陈刚 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器包含安置在半导体材料中的多个光电二极管及浮动扩散区。所述图像传感器还包含耦合在所述多个光电二极管与所述浮动扩散区之间的多个转移栅极，以将在所述多个光电二极管中产生的图像电荷转移到所述浮动扩散区中。外围电路靠近所述多个光电二极管安置并且经耦合以从所述多个光电二极管接收所述图像电荷。浅沟槽隔离结构至少部分地横向安置在所述多个光电二极管与所述外围电路之间，以防止所述多个光电二极管与所述外围电路之间的电串扰。所述外围电路包含一或多个晶体管，其包含在所述半导体材料的表面上方凸起的源极电极及漏极电极。
用于减少电流凸起电极

[发明专利]决定纳米线最佳直径-CN201080032638.3有效
发明人：穆尼布·沃贝尔 -专利权人：立那工业股份有限公司
申请日： 2010-05-21 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G01B11/14 文献下载
摘要：本发明揭示优化纳米线光电二极管光传感器的直径的方法。该方法包含：比较具有预定直径的纳米线光电二极管像素的回应与标准光谱回应曲线；及决定光电二极管像素的光谱回应与标准光谱回应曲线之间的差异。亦包含具有优化纳米线直径的纳米线光电二极管光传感器及场景重建的方法。
决定纳米最佳直径

[实用新型]一种光电二极管的固定装置及制冷装置-CN201921158679.1有效
发明人：申子要;王蔷薇 -专利权人：北京中创为南京量子通信技术有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L31/024 文献下载
摘要：本申请提供一种光电二极管的固定装置及制冷装置，其中光电二极管的固定装置的夹持结构一端设置有制冷端面，制冷端面包括制冷部以及测温部，制冷部的一侧紧贴于制冷器的表面上，用于对光电二极管的引脚端端部进行制冷，增加了光电二极管的制冷面积，能更快的降低光电二极管内芯片的温度。另外测温部位于制冷部远离制冷器的一侧，测温部中设置有测温孔，用于装设测温设备，测温部的位置比制冷部的位置更加远离制冷器，因此测温部降温程度比制冷部低，测温设备测量的温度更接近于光电二极管内芯片的实际工作温度因而本申请的光电二极管的固定装置及制冷装置所测量的温度更接近或者等于光电二极管内芯片的实际工作温度，保障了系统能够正常工作。
光电二极管制冷部固定装置测温部制冷装置内芯片制冷器测温设备制冷端面制冷测量测温部位夹持结构一端设置测温孔申请引脚装设紧贴

[发明专利]使用用于相位检测自动聚焦及图像感测像素的三次读出方法的图像传感器-CN202210543873.1在审
发明人：许程成;王睿;邓伟;杨春生;王雪晴 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：一种成像装置包含布置在光电二极管阵列中以响应于入射光而产生电荷的多个光电二极管。多个光电二极管包含第一及第二光电二极管。共享浮动扩散区接收从第一及第二光电二极管转移的电荷。ADC接下来响应于从第一光电二极管转移到共享浮动扩散区的电荷而执行第二次ADC转换以产生相位检测自动聚焦PDAF读数的前半部。ADC接着响应于从第二光电二极管转移的电荷与共享浮动区中先前从第一光电二极管转移的电荷组合而执行第三次ADC转换以产生全图像读数。
使用用于相位检测自动聚焦图像像素三次读出方法图像传感器