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- [发明专利]一种渐隐式光刻工艺-CN202210666766.8在审
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曹伟;彭华桂;邓建发
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虎彩印艺股份有限公司
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2022-06-14
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2022-10-14
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G03F7/20
- 本发明涉及光刻技术领域，具体涉及一种渐隐式光刻工艺，包括如下步骤：S1、根据需求做出图案；S2、将图案中的铂金部分和彩色部分分离，得到两幅图，一幅图按照光刻机铂金系统所需存成对应格式图案，另一幅存成普通光刻系统所需格式图案；S3、将两幅图分别输入对应的光刻系统中进行光刻；S4、待光刻完成后取出胶板，采用显影液显影、烘干、电铸处理，得到光刻母版；S5、根据印刷载体，将光刻母片的图案转印至定位转移膜、电化铝、复合纸或薄膜上。本发明的隐式光刻工艺完美的将普通光刻技术和铂金光刻技术融合起来，使得到的产品防伪性能更强，应用范围更广，铂金光刻有靓丽的铂金光泽，展示效果突出，铂金光刻纹路细腻，解析度高。
- 一种渐隐光刻工艺
- [发明专利]半导体器件及其光刻方法-CN202310138745.3在审
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陈骆;刘彬;赵常宁;简兆镰;钟海波
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湖南三安半导体有限责任公司
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2023-02-20
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2023-06-23
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H01L21/336
- 本发明公开了一种半导体器件及其光刻方法，涉及半导体技术领域。其中，本发明提供的半导体器件光刻方法包括：提供待光刻半导体；在介质层上涂覆负性光刻胶；对负性光刻胶进行刻蚀，露出台阶及两台阶两侧一段的介质层；刻蚀去除台阶两侧一段的介质层，保留台阶和沟槽中部的介质层，形成光刻图形；去除介质层上的负性光刻胶。该方法针对沟槽内光刻图形的制作，将原本的正性光刻胶替换为负性光刻胶，利用负性光刻胶曝光后固化而遮光后能够被刻蚀的特性来形成光刻图形，使得原本在光刻时需要较大曝光面积的沟槽降低曝光面积，避免光线在台阶侧壁或者说是沟槽的侧壁间造成反射，进而改善深沟槽内光刻图形的形貌，提升图形线宽的均一性。
- 半导体器件及其光刻方法
- [发明专利]反馈系统及反馈方法-CN202210017086.3在审
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周晓方
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长鑫存储技术有限公司
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2022-01-07
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2023-07-18
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G03F7/20
- 所述反馈系统包括：标记单元，对光刻胶依批次进行标记；识别单元，在晶圆生产时当光刻胶的标记发生变化时，获取当前所述标记的所述光刻胶的参数；比对单元，将当前所述标记的所述光刻胶的参数与预设光刻胶参数进行比对；执行单元，当当前所述标记的所述光刻胶的参数处于所述预设光刻胶参数范围外，调整当前所述标记的所述光刻胶生产时的曝光参数。上述技术方案，通过对光刻胶依批次进行标记，获取当前所述标记的所述光刻胶的参数，并将当前所述标记的所述光刻胶的参数与预设光刻胶参数进行比对，以便调整当前所述标记的所述光刻胶生产时的曝光参数，实现了在光刻过程中自动调整准确的曝光参数
- 反馈系统方法
- [发明专利]一种光刻方法-CN202310149749.1在审
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宋桢;韦亚一;张利斌
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中国科学院微电子研究所
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2023-02-16
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2023-05-16
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G03F7/20
- 本申请提供了一种光刻方法，该方法包括：获取待刻蚀结构，待刻蚀结构之上具有光刻涂层，光刻涂层包括交互堆叠的第一介质层和具有目标厚度的光刻胶层，且光刻涂层中第一介质层的数量比光刻胶层多一层，第一介质层的折射率小于光刻胶层的折射率；根据预设波长的光和具有目标尺寸数据的掩模版，对光刻涂层进行曝光；去除光刻胶层之上的第一介质层，并对光刻胶层进行显影，得到具有周期性结构的目标光刻胶层，目标光刻胶层用于对待刻蚀结构进行刻蚀。通过上述方法，能够让预设波长的光在光刻胶层中实现了超高分辨率的规则的周期性成像效果，从而可以实现超高分辨率的光刻。
- 一种光刻方法
- [发明专利]光刻胶曝光装置-CN201310586140.7有效
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闫晓剑;田朝勇
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四川虹视显示技术有限公司
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2013-11-19
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2014-02-12
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G03F7/20
- 本发明公开了一种光刻胶曝光装置，包括掩模板、反射金属薄膜和光束发生装置，掩模板的透光部分为光栅，曝光时，掩模板位于涂敷有光刻胶的基板的正上方，反射金属薄膜置于基板上与光栅对应的位置处，光束发生装置产生的曝光光束透过掩模板上的光栅均匀的直射到基板上的光刻胶上，实现光刻胶的曝光，同时，反射金属薄膜的边缘对照射到其上的曝光光束产生散射。采用本发明的光刻胶曝光装置进行光刻胶曝光时，正性光刻胶可以产生边缘与基板表面成锐角的光刻胶图案，负性光刻胶可以产生边缘与基板表面成钝角的光刻胶图案，配合传统的光刻胶曝光方法，可以通过一种光刻胶实现不同光刻胶图案的要求，简化光刻胶曝光工艺，减低成本。
- 光刻曝光装置
- [发明专利]自动获取光刻参数的光刻系统及光刻方法-CN201210098344.1有效
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陈辉
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无锡华润上华科技有限公司
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2012-04-01
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2013-10-23
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G03F7/20
- 本发明涉及一种自动获取光刻参数的光刻系统，包括：光刻参数存储器，用于存储光刻参数；输入模块，用于获取新产品的编号；编号存储器，用于存储现有产品和新产品的编号；处理器，连接光刻参数存储器、输入模块及编号存储器，包括判断单元、第一光刻参数设定单元、第二光刻参数设定单元以及第三光刻参数设定单元，处理器用于执行光刻参数设定流程，并将新产品的光刻参数存入所述光刻参数存储器中。本发明还涉及一种获取光刻参数的光刻方法。本发明利用生产中产品编号的必然与产品的生产工艺、生产流程等挂钩的客观规律，通过计算机系统自动筛选出合适的现有产品，作为新产品设定光刻参数的参考。
- 自动获取光刻参数系统方法
- [发明专利]数字光刻方法-CN202211565092.9有效
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陈志特;王华;黄海浩;甘泉;何增灿;龚海峰
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广东科视光学技术股份有限公司
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2022-12-07
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2023-05-16
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G03F7/20
- 本发明提供一种数字光刻方法，应用于数字光刻装置中，该方法中，各分板组件将位于输送线上下游的分流工位上的待光刻线路板进行分流转移至对应的拍板工位，而后对应的拍板组件将位于拍板工位的待光刻线路板摆正，之后对应的进料搬运组件将摆正后的待光刻线路板相应移动至相应的平台，各平台向靠近第一光刻主体的方向移动，以使第一光刻主体先后分别对各平台的待光刻线路板进行数字光刻处理，而后对应汇流组件将光刻处理完成的待光刻线路板移动至对应的汇流工位，直至待光刻线路板沿输送线的输送方向移动至收料工位其中，各分流工位和汇流工位均设置在输送线上，使得各待光刻线路板均能基于输送线输送，运输衔接较为良好，提高光刻效率。
- 数字光刻方法
- [发明专利]一种光刻胶剥离方法-CN201110383732.X无效
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袁竹根
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中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
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2011-11-28
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2013-06-05
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G03F7/42
- 本发明提出了一种光刻胶剥离方法，提供一晶片，所述晶片器件面涂覆光刻胶后光刻所述光刻胶形成光刻图案，应用于离子注入后的光刻图案，所述离子注入在所述光刻图案表面形成无定形碳层，该方法还包括，通过在湿法刻蚀时加热晶片，将晶片上的热量传递到与光刻图案反应的湿法刻蚀溶液中，激发湿法刻蚀溶液的反应离子的活性，从而能够完全去除离子注入后的光刻胶表面的无定形碳层以及其下方的光刻胶。本发明提出的光刻胶剥离方法解决了由于湿法刻蚀溶液温度无法高于输送其的塑料管道的耐热温度上限，而导致的无法完全去除光刻胶的问题，使光刻胶剥离更容易，同时节约了湿法刻蚀剥离光刻胶的时间。
- 一种光刻剥离方法
- [实用新型]一种电子元件生产的光刻装置-CN201720725537.3有效
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徐月苗
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诸暨越博企业管理咨询有限公司
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2017-06-21
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2018-02-13
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G03F7/20
- 本实用新型公开了一种电子元件生产的光刻装置，包括光刻框架，光刻框架内设置有夹紧螺栓，光刻框架内设置有硅片，光刻框架两端设置有光刻版，光刻框架上下两端设置有铝盖板，铝盖板两端通过固定螺栓连接有可旋转夹块，可旋转夹块包括夹块主体，夹块主体上设置有两个固定螺孔，夹块主体上设置有一V字开口，夹块主体侧面上设置有一转轴，转轴连接有支撑腿，通过带有夹紧螺栓的光刻框架来固定光刻加工的硅片，可对一定尺寸范围内的硅片进行光刻操作，而硅片通过两个光刻版固定，可对两个面进行曝光光刻，在使用的时候，可通可旋转夹块来实现光刻面的调节，可通过一台光刻机实现硅片两个面的加工操作，方便快捷，值得推广。
- 一种电子元件生产光刻装置
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