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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]1T1R和1R阻变存储器集成结构及其实现方法-CN201310367267.X有效
发明人：刘力锋;张伟兵;李悦;韩德栋;王漪;刘晓彦;康晋锋;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明将1T1R结构中的阻变存储器和1R结构中的阻变存储器同时制作，工艺条件完全相同，可以减少光刻次数，减少制作成本，同时将1T1R结构和1R结构集成在一起，还能方便这两种结构中阻变存储器特性的比较，有助于研究电流过冲对器件转变特性的影响
t1r 存储器集成结构及其实现方法

[发明专利]基于Ni膜退火的Si衬底侧栅石墨烯晶体管制备方法-CN201310039693.0有效
发明人：郭辉;张晨旭;张玉明;张克基;雷天民;邓鹏飞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：衬底侧栅石墨烯晶体管制备方法，其实现步骤如下：(1)清洗Si衬底；(2)在Si衬底上先生长一层碳化层作为过渡，再在温度1200℃-1350℃下生长3C-SiC薄膜；(3)在3C-SiC样片表面淀积一层SiO2，并光刻出侧栅晶体管的侧栅极
基于 ni 退火 si 衬底石墨晶体管制备方法

[发明专利]一种粗精动叠层工作台-CN201310153408.8有效
发明人：张鸣;朱煜;成荣;刘召;杨开明;徐登峰;田丽;张利;叶伟楠;张金;穆海华;尹文生;胡金春;赵彦坡;秦慧超;胡清平 -专利权人：清华大学;北京华卓精科科技有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种粗精动叠层工作台，主要应用于半导体光刻设备中。
一种粗精动叠层工作台

[发明专利]放射线敏感性组合物-CN201210519762.3有效
发明人：越后雅敏;小黑大 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2007-11-01 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C07C39/17 文献下载
摘要：、高耐蚀刻性、低逸气量、以及得到的抗蚀图形的形状良好的抗蚀剂化合物的放射线敏感性组合物；以及使用该放射线敏感性组合物的抗蚀图形的形成方法；以及光学特性和耐蚀刻性良好的、而且实质上无升华物的用于形成新的光刻胶下层膜的组合物及由其形成的下层膜
放射线敏感性组合

[发明专利]向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法-CN201210152316.3有效
发明人：郭辉;张克基;张玉明;张凤祁;赵艳黎;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种向3C-SiC注入硅的铜膜退火石墨烯纳米带制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、连续性不好，且制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。
sic 注入退火石墨纳米制备方法

[发明专利]基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法-CN201210158388.9有效
发明人：郭辉;张晨旭;张玉明;张克基;雷天民;邓鹏飞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ni膜退火的结构化石墨烯制备方法，主要解决用现有技术制备石墨烯连续性不好、层数不均匀，导致制作器件时由于光刻工艺使石墨烯的电子迁移率降低的问题。
基于 ni 退火结构化石制备方法

[发明专利]触摸屏-CN201110431993.4有效
发明人：寺本雅博 -专利权人：株式会社日立显示器;松下液晶显示器株式会社
申请日： 2009-04-22 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：多个第一电极的每一个具有与第二电极相比形成在下层且与第二电极交叉的第一部分以及在与第二电极相同的层中与第二电极分离地形成的第二部分，第一电极从第二部分经由形成在绝缘膜中的接触孔向下方延伸而与下层的第一部分连接，以覆盖第一电极和第二电极的方式在衬底上形成保护膜，绝缘膜和保护膜由负型光刻胶构成
触摸屏

[发明专利]接触孔的制作方法-CN201210451318.2有效
发明人：张瑜;黄海;李全波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-11-12 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：所述半导体衬底上形成有第一介质层和第二介质层；在所述第二介质层内形成第一开口；在所述第二介质层上形成第三介质层，所述第三介质层填充所述第一开口；在所述第三介质层上依次形成第一介质抗反射层、第一底部抗反射层和第一光刻胶层
接触制作方法

[发明专利]通过三氧化锰表面掺杂制备p-CdS纳米线及p-CdS/n-Si纳米p-n结的方法-CN201210005643.6有效
发明人：罗林保;李方泽;揭建胜;李强;朱志峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2012-01-10 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：p-n结的方法，其特征首先是在本征CdS纳米线上包裹一层厚度为5～150nm的MoO3层，随后在100～300℃的温度中退火处理10～30分钟得到p-CdS纳米线；以及对n+型硅衬底上的二氧化硅层表面进行光刻
通过氧化锰表面掺杂制备 cds 纳米 si 方法

[发明专利]半浮栅晶体管工艺方法-CN201610696009.X有效
发明人：曹坚;何志斌;景旭斌 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：；在第一栅极多晶硅层表面形成阻挡层；去除一部分阻挡层；沉积第二栅极多晶硅层；对第二栅极多晶硅层和第一对栅极多晶硅层进行全覆盖离子注入；对半导体结构进行退火；对退火后的半导体结构进行表面平坦化处理；执行光刻和刻蚀工艺以去除剩余的阻挡层
半浮栅晶体管工艺方法

[发明专利]碱溶性树脂、包含其的感光性树脂组合物、彩色滤光片及光刻胶-CN201610966653.4有效
发明人：钱晓春;胡春青;于培培 -专利权人：常州强力电子新材料股份有限公司;常州强力先端电子材料有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C08F220/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种碱溶性树脂、包含其的感光性树脂组合物、彩色滤光片及光刻胶。
碱溶性树脂包含感光性组合彩色滤光光刻

[发明专利]一种环形加热器的Al₂O₃-AlN陶瓷微热板气体传感器-CN201610561951.5有效
发明人：赵文杰;王暄;施云波;周真;兰云萍;王欣 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：传感器衬底采用Al₂O₃陶瓷基片，通过磁控溅射在Al₂O₃陶瓷基片表面形成AlN导热介质膜，在AlN介质膜上通过柔性机械光刻剥离工艺实现
一种环形加热器 al sub aln 陶瓷微热板气体传感器

[发明专利]碱溶性树脂、包含其的感光性树脂组合物、彩色滤光片及光刻胶-CN201610966651.5有效
发明人：钱晓春;胡春青;于培培 -专利权人：常州强力电子新材料股份有限公司;常州强力先端电子材料有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C08F220/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种碱溶性树脂、包含其的感光性树脂组合物、彩色滤光片及光刻胶。
碱溶性树脂包含感光性组合彩色滤光光刻

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201610518854.8有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：其中，对第一鳍部一侧进行离子注入，容易避免光刻胶的阻挡使掺杂离子注入到鳍部底部，从而能够降低第一鳍部侧壁掺杂浓度的不均匀性。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种制作纳米级图形的方法-CN200710177797.2有效
发明人：傅剑宇;陈大鹏;景玉鹏;欧毅;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-11-21 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明有效地解决了浸没式光刻成本高和聚焦电子束存在邻近效应影响分辨率的问题。
一种制作纳米图形方法

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