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[发明专利]充电电路-CN200910261495.2有效
发明人：王朝钦;颜韶甫;谢志尚 -专利权人：宏碁股份有限公司
申请日： 2009-12-08 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：充电电路包含一充电单元、一开关单元、一偏压单元、一分压单元及一比较单元。充电单元连接于电源输入端与负载之间，由电源输入端所提供的固定偏压，以定电流的方式对负载充电。开关单元连接于电流控制单元与电源输入端之间，使充电单元导通或截止。分压电路通过负载的电压产生一第一讯号输入比较单元。偏压单元输入固定电压值的第二讯号至比较单元。比较单元比较第一讯号及第二讯号后，控制开关单元导通或截止，并由此导通或截止的状态控制充电单元对负载充电或停止充电。
充电电路

[发明专利]半导体存储器件的激活电路-CN200410042400.5有效
发明人：都昌镐 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-05-28 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G11C11/4072 文献下载
摘要：一种激活电路，包括：电源电压电平跟随器单元，用于输出与电源电压成比例升高或降低的第一偏压以及第二偏压；第一电源电压侦测单元，用于当电源电压降低时，侦测激活信号的逻辑电平被改变的该第一临界电压电平，以响应所述第一偏压；第二电源电压侦测单元，用于当电源电压升高时，侦测激活信号的逻辑电平被改变的该第二临界电压电平，以响应所述第二偏压；以及触发器单元，用于反相该触发器单元的输出信号，以此来响应该电源电压降低时自第一电源电压侦测单元输出的第一侦测信号，或该电源电压升高时自第二电源电压侦测单元输出的第二侦测信号，其中所述第二临界电压电平高于第一临界电压电平。
半导体存储器件激活电路

[发明专利]有机发光显示器的驱动电路以及偏移电压调整单元-CN201310351054.8无效
发明人：雷家正 -专利权人：联合聚晶股份有限公司
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光显示器的驱动电路以及偏移电压调整单元。偏移电压调整单元适用于驱动电路中具有差动输入级、偏压级以及输出级的运算放大器。偏移电压调整单元耦接于偏压级与接地端之间，且包括电阻串以及多个拴锁单元。电阻串具有第一端、第二端与耦接于第一端与第二端之间的多个电阻，且各该电阻之间串联形成多个接点。该些拴锁单元分别对应耦接于该些接点与接地端之间。该些拴锁单元根据一控制信号依序导通，以调整偏压级产生的偏压电流。该些拴锁单元于接收到一栓锁信号时，进入一拴锁状态，以校正运算放大器的输出偏移电压。
有机发光显示器驱动电路以及偏移电压调整单元

[发明专利]偏压温度不稳定性的检测电路及检测方法-CN201210164995.6有效
发明人：甘正浩;冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：一种偏压温度不稳定性的检测电路及检测方法，所述偏压温度不稳定性的检测电路包括：奇数个基本振荡单元，所述基本振荡单元包括第一晶体管、第二晶体管和第一控制晶体管、第二控制晶体管、输入端、输出端；位于所述相邻的基本振荡单元之间的第三晶体管，所述基本振荡单元和第三晶体管串联形成环形振荡器。利用本发明实施例的偏压温度不稳定性的检测电路，可以分别检测PMOS晶体管因为负偏压温度不稳定性所导致的阈值电压退化的程度和NMOS晶体管因为正偏压温度不稳定性所导致的阈值电压退化的程度，且利用第三晶体管，可以放大MOS晶体管因为偏压温度不稳定性所导致的阈值电压退化的程度，使得最终的检测结果更灵敏，检测的精度较高。
偏压温度不稳定性检测电路方法

[发明专利]高性能静态存储器中的保持直到被存取RTA功率节省模式-CN201180019824.8有效
发明人：阿南德·塞莎德里 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2011-04-21 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于具有保持直到被存取RTA模式的静态随机存取存储器SRAM的偏压电路。所述存储器由多个存储器阵列块(26)构成，所述多个存储器阵列块(26)各自包括8-T或10-T类型的SRAM单元、具有单独的读取及写入数据路径。偏压装置(27)包括在每一存储器阵列块(26)内，举例来说与个别列相关联，且连接在用于所述相关联列中的每一存储器单元中的交叉耦合逆变器的参考电压节点与接地节点之间。在正常操作模式中，接通与所述偏压装置并联连接的开关晶体管(29)，使得接地电压对每一单元中的所述交叉耦合逆变器进行偏压。在所述RTA模式中，关断所述开关晶体管，从而允许所述偏压装置将参考偏压升高到所述交叉耦合逆变器，从而降低由所述模式中的单元消耗的功率。
性能静态存储器中的保持直到存取 rta 功率节省模式

[发明专利]程序化非挥发性内存装置的方法-CN201310403394.0有效
发明人： K-T·常;T·瑟盖特 -专利权人：斯班逊有限公司
申请日： 2007-04-05 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：于程序化操作期间，用负衬底偏压来偏压目标内存单元（706），以减少或消除漏电流，否则该漏电流可能传导通过该目标内存单元（706）。该负衬底偏压亦藉由在位线（BL2）下方将空乏区（714）延伸得更深而减少于邻接目标单元的单元（708）中之程序干扰的发生，该位线（BL2）对应于目标装置之漏极。该负衬底偏压于验证操作（程序验证、软程序验证、擦除验证）期间亦可施加于目标内存单元（706），以减少或消除漏电流，否则该漏电流于验证操作期间可能引出错误。
程序化挥发性内存装置方法

[发明专利]湿式图像形成装置及转印偏压的设定方法-CN201210371293.5有效
发明人：白代康夫;松浦昌彦;前山健志 -专利权人：柯尼卡美能达商用科技株式会社
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G03G15/16 文献下载
摘要：本发明涉及湿式图像形成装置及转印偏压的设定方法。在湿式图像形成装置（100）中，多个分块图像分别按改变偏压值而得到的多个转印偏压而被依次转印到记录介质（50）上，浓度检测单元（32）测定记录介质（50）上的多个分块图像各自的图像浓度来检测分块图像的图像浓度大致饱和的转印偏压的偏压值的范围，在记录介质（50）上形成通常图像时的转印偏压的偏压值被设定成在分块图像的图像浓度大致饱和的转印偏压的偏压值的范围内，且在分块图像的图像浓度饱和的偏压值的绝对值以下。
图像形成装置偏压设定方法

[发明专利]放大器装置-CN202010379589.6在审
发明人：陈智圣;彭天云;罗弘家 -专利权人：立积电子股份有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H03F3/16 文献下载
摘要：一种放大器装置包含放大单元及偏压模块。放大单元具有第一端，耦接于电压源，用以接收电源电压，第二端，用以接收输入信号，及第三端，耦接于第一参考电位端。第一参考电位端用以接收第一参考电位。放大单元的第一端用以输出经放大单元放大后的输出信号。偏压模块耦接于放大单元的第二端，用以接收电压信号以提供偏压电流至放大单元。电压信号为可变电压。供电电流流入放大单元，且供电电流依据电压信号进行调整，以将供电电流维持于预定范围内。
放大器装置

[发明专利]光学装置和包括光学装置的摄像装置-CN202210436339.0在审
发明人：冈田忠典;奥田敏宏;佐藤武彦;佐佐木邦彦;伊藤秀;长野敏宗 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G02B7/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种光学装置，其包括：配置成保持第一透镜单元的第一保持构件；配置成保持第二透镜单元的第二保持构件；配置成在光轴方向上电驱动第二保持构件的驱动单元；配置成将驱动单元的驱动力传递到第二保持构件的传递构件；配置成偏压所述传递构件的偏压构件；以及配置成引导所述传递构件的引导轴构件，其中引导轴构件固定到第二保持构件，并且当第一保持构件与第二保持构件接触时，第二保持构件和传递构件在光轴方向上的相对位置克服偏压构件的偏压力而改变
光学装置包括摄像

[发明专利]触控式面板及其控制方法-CN200710165742.X有效
发明人：李国胜 -专利权人：奇美电子股份有限公司
申请日： 2007-11-06 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：一种触控式面板至少具有第一扫描线、第二扫描线、数据线及偏压线。触控式面板包含像素单元及触控单元。像素单元具有像素开关及像素感应电容，其中，像素开关分别与第一扫描线、数据线及像素感应电容电性连接。触控单元具有触控选择开关、读取开关及感应电容，其中，触控选择开关分别与第二扫描线及偏压线电性连接。感应电容与触控选择开关及读取开关电性连接，并经由触控选择开关输入第一偏压信号且经由读取开关输出第二偏压信号。另外，本发明还公开了一种触控式面板的控制方法。
触控式面板及其控制方法

[发明专利]一种控制方法、装置、芯片、光线路终端及无源光网络-CN202111640147.3在审
发明人：吴逸文;卢彦兆 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H04B10/25 文献下载
摘要：本申请公开了一种控制方法、装置、芯片、光线路终端及无源光网络，第一光网络单元和第二光网络单元为相邻的两个光网络单元，则可以将第一光网络单元的突发接收功率和第二光网络单元的突发接收功率做差得到功率差值，利用功率差值计算光电二极管的第一偏压调整值，在第二上行突发时隙后第一上行突发时隙前，利用第一偏压调整值，调整光电二极管的偏压，使功率差值大于零时光电二极管的偏压减小，或使功率差值小于零时光电二极管的偏压增大，使光电二极管的光电转换增益较大，产生的第二光网络单元对应的检测电流有所降低而更接近于第一光网络单元对应的检测电流
一种控制方法装置芯片线路终端无源网络

[发明专利]一种三维成像光子计数系统及其动态偏压控制方法-CN201710864804.X有效
发明人：苏秀琴;汪书潮;李哲;郝伟;陈松懋;朱文华;夏爱利;张占鹏 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所;中国科学院大学
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G01S17/89 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维成像光子计数系统及其动态偏压控制方法，该系统包括总控制器、信号发生器、脉冲激光器、发射光学系统、接收光学系统、Gm‑APD阵列探测器、TCSPC时间相关光子计数器、信号处理单元、高压模块本发明动态偏压控制方法是：设置初始偏压值V0、TCSPC时间相关光子计数器绘制直方图；信号处理单元解算直方图，获取当前偏压值V1；过载保护模块对实际偏压值V1进行监控，当实际偏压值V1小于探测器击穿电压，则将实际偏压值V1加载到Gm‑APD阵列探测器，当实际偏压值V1小于探测器击穿电压，过载保护模块发出报警信号，停止工作。
一种三维成像光子计数系统及其动态偏压控制方法

[发明专利]采用带隙参考机制和相关驱动方法实现的模拟区块-CN201810337212.7有效
发明人：孙永澈;金光五;艾民.米塔 -专利权人：恒景科技股份有限公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：该模拟区块包括一模式控制单元与一带隙参考电路。该模式控制单元构成产生有关该装置操作模式的一模式选择信号。该带隙参考电路包括一偏压产生器、一误差放大器、与一带隙回路电路。该偏压产生器构成当该装置以正常模式操作时，提供在一第一偏压状态下的一带隙参考电压，或当该装置以待命模式操作时，提供在一第二偏压状态下的一带隙参考电压。该误差放大器构成根据该偏压以产生一误差电压。在该第一偏压状态下流过该偏压产生器的第一电流大于在该第二偏压状态下流过该偏压产生器的第二电流。
采用参考机制相关驱动方法实现模拟区块

[发明专利]正偏压温度不稳定性的恢复装置和恢复方法-CN201410841394.3有效
发明人：冯军宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H03K17/14 文献下载
摘要：本发明提供一种正偏压温度不稳定性的恢复装置和恢复方法，所述恢复装置包括目标NMOS管和恢复单元。其中，所述恢复单元在所述目标NMOS管处于工作状态时闲置，并且在所述目标NMOS管处于闲置状态时为所述目标NMOS管的源极和漏极加正向偏压。本发明所提供的正偏压温度不稳定性的恢复装置可以在不影响NMOS管正常工作的情况下进行正偏压温度不稳定性的恢复，并且可以大大增强NMOS管的正偏压温度不稳定性的恢复效果。
偏压温度不稳定性恢复装置方法

[发明专利]具有减少的漏电流的闪存编程及验证-CN200780016302.6有效
发明人： A·梅克尔-马尔-蒂罗斯安;E·朗尼;M·兰道夫;M·丁 -专利权人：斯班逊有限公司
申请日： 2007-04-05 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：于编程(programming)操作期间，目标存储单元(406)被正源极偏压电压予以偏压，以减少或去除可能流经该目标存储单元(406)之漏电流(leakage current)。于验证(verification)操作(编程验证、软编程验证(soft program verify)，抹除验证(erase verify))期间，亦可施加正源极偏压电压至目标存储单元(506)，以减少或去除于该验证操作中可能导致错误之漏电流
具有减少漏电闪存编程验证

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