专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]低功耗APD偏压控制器与偏压控制方法及光电接收器-CN201510113780.5有效
  • 王祥忠 - 苏州旭创科技有限公司
  • 2015-03-16 - 2017-08-25 - G05F1/56
  • 本发明提供了一种APD偏压控制方法,包括采集与流经APD的光电流信号对应的光电流强度电压信号;将光电流强度电压信号与偏压设定信号叠加后产生控制信号,用于控制可调供电电源输出电压与APD电压之间的电压降;同步调整可调供电电源输出电压和偏压设定信号,将电压降控制在预定范围内。本发明还提供了一种APD偏压控制器,包括偏置电压产生单元,用于根据来自外部的光电流强度反馈信号产生偏置电压信号用于决定APD偏压,其中,该偏置电压产生单元还产生第二电压信号,并将所述第二电压信号与一个或多个参考电压相比较本发明的APD偏压控制器及光电接收器具有低功耗、高动态,高信噪比,高灵敏度和及时温度补偿的优点。
  • 功耗apd偏压控制器控制方法光电接收器
  • [发明专利]阻挡漏电流通过存储阵列中瑕疵存储单元的方法-CN201210412000.3有效
  • 龙翔澜 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2012-10-25 - 2013-10-30 - G11C11/56
  • 本发明公开了一种阻挡漏电流通过存储阵列中瑕疵存储单元的方法。该存储单元包括存取装置以及可编程电阻存储元件。该方法包含辨识在该存储阵列中瑕疵存储单元的地址,以及施加一修改偏压条件以修改在该辨识地址上的该瑕疵存储单元。此修改偏压条件会导致该修改瑕疵存储单元转变为阻挡漏电流的情况。该方法也包含将所辨识的该瑕疵存储单元的地址储存于一个地址的备援表中。本发明也揭露一种自动测试系统,其包含一装置测试机适合在一集成电路进行测试时辨识在一存储阵列中瑕疵存储单元的地址,且施加一修改偏压条件以修改在该辨识地址上的该瑕疵存储单元
  • 阻挡漏电流通存储阵列瑕疵单元方法
  • [实用新型]待命模式的电源变动唤醒装置-CN200820300040.8有效
  • 曾景宏;刘大明 - 硕呈科技股份有限公司
  • 2008-01-08 - 2008-10-29 - G05B19/04
  • 一种待命模式的电源变动唤醒装置,包含一可供给所需电力的电源单元;一与电源单元连接的开关单元;分别与开关单元连接的稳压单元、低电压重置单元与微控制单元;以及一唤醒侦测单元,至少具有一与开关单元连接的触发单元、一与触发单元偏压产生器连接的比较器,可利用开关单元控制电源单元造成触发单元输出的电压变化,并配合偏压产生器及比较器产生唤醒讯号,而唤醒该微控制单元。藉此,利用唤醒侦测单元的设置而达到省电、效率高及快速换性的功效。
  • 待命模式电源变动唤醒装置
  • [发明专利]图像捕获设备-CN201580039961.6在审
  • 礒永泰明 - 索尼公司
  • 2015-05-22 - 2017-03-22 - G03B17/02
  • 根据本技术的实施例的图像拾取设备包括主体和可移动单元。所述主体包括镜头筒部分。所述可移动单元包括可移动单元和使所述可移动单元朝所述镜头筒部分偏压偏压部分,所述可移动部分具有相对于所述镜头筒部分的相对位置,其在与所述镜头筒部分的光轴正交的轴向方向上可变。
  • 图像捕获设备
  • [发明专利]隐藏式电冰箱-CN200310123127.4无效
  • 黄智植 - 三星电子株式会社
  • 2003-12-19 - 2004-10-06 - F25D11/02
  • 一种隐藏式电冰箱,其具有根据盖子的位置偏压机械室的盖子以便打开和关闭机械室的单元。所述隐藏式电冰箱包括:柜体,其具有存储室和机械室,机械室位于存储室上并且在其前表面开口;盖子,其与柜体铰接以便有选择地的打开机械室的前开口;和偏压单元,用于使盖子根据自身位置而被偏压打开和关闭。
  • 隐藏电冰箱
  • [发明专利]存储器结构和存储器版图-CN202110601636.1在审
  • 赵阳;车载龙 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-05-31 - 2022-12-16 - G11C17/08
  • 本申请实施例提供一种存储器结构和存储器版图,包括:存储阵列,且每一存储阵列都包括多个存储单元;读写转换电路,设置在第一方向上的相邻两个存储阵列之间,读写转换电路在第二方向上排列,且具有第二方向上的对称轴,用于将外部数据写入存储单元,或将存储单元的数据读出;感测放大电路,根据对称轴对称设置在相邻两个存储阵列之间,且耦合相邻存储阵列的存储单元偏压触点结构,设置在读写转换电路之间的间隙中,用于设置偏压触点结构所在阱区的偏置电压;其中,在第一方向上,与偏压触点结构相邻的感测放大电路与读写转换电路的距离和与偏压触点结构的距离相等;以平衡设置在存储阵列之间的不同感测放大器中MOS管的体偏置电压。
  • 存储器结构版图

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