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[发明专利]程序化非挥发性内存装置的方法-CN201310403394.0有效
发明人： K-T·常;T·瑟盖特 -专利权人：斯班逊有限公司
申请日： 2007-04-05 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种程序化非挥发性内存装置的方法。一种依照本发明的范例实施例配置的闪存系统（300）使用虚拟接地阵列架构（302）。于程序化操作期间，用负衬底偏压来偏压目标内存单元（706），以减少或消除漏电流，否则该漏电流可能传导通过该目标内存单元（706）。该负衬底偏压亦藉由在位线（BL2）下方将空乏区（714）延伸得更深而减少于邻接目标单元的单元（708）中之程序干扰的发生，该位线（BL2）对应于目标装置之漏极。该负衬底偏压于验证操作（程序验证、软程序验证、擦除验证）期间亦可施加于目标内存单元（706），以减少或消除漏电流，否则该漏电流于验证操作期间可能引出错误。
程序化挥发性内存装置方法

[发明专利]闪存装置中漏电流及程序干扰的减少-CN200780014937.2有效
发明人： K-T·常;T·瑟盖特 -专利权人：斯班逊有限公司
申请日： 2007-04-05 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种依照本发明的范例实施例配置的闪存系统(300)使用虚拟接地阵列架构(302)。于程序化操作期间，用负衬底偏压来偏压目标内存单元(706)，以减少或消除漏电流，否则该漏电流可能传导通过该目标内存单元(706)。该负衬底偏压亦藉由在位线(BL2)下方将空乏区(714)延伸得更深而减少于邻接目标单元的单元(708)中之程序干扰的发生，该位线(BL2)对应于目标装置之漏极。该负衬底偏压于验证操作(程序验证、软程序验证、擦除验证)期间亦可施加于目标内存单元(706)，以减少或消除漏电流，否则该漏电流于验证操作期间可能引出错误。
闪存装置漏电程序干扰减少