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[发明专利]用于识别系统的认证-CN201480031518.X有效
发明人：奥加斯·巴帕特 -专利权人： 斯班逊有限公司
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： G06F21/44 文献下载
摘要：实施方案包括用于语音识别的认证的方法、装置和计算机程序产品。该方法可包括用目标设备感测认证设备。在通过目标设备确认认证设备之后，处理一个或多个解码的话音命令。此外，通过目标设备可执行一个或多个解码的话音命令。
用于识别系统认证

[发明专利]存储器中的流水线操作-CN201480025710.8有效
发明人： M·阿赫特;E·宾博加;马鲁法·卡尼兹;穆尔尼·摩德-沙列 -专利权人： 斯班逊有限公司
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：一种系统包括包括多个存储单元的存储单元阵列；以及写入设备，以生成多个背对背写入脉冲以对所述多个存储单元中的目标存储单元写入，所述多个背对背写入脉冲在重叠持续时间期间重叠，所述重叠持续时间能够基于所述存储单元阵列的性能参数来调整。
存储器中的流水线操作

[发明专利]具有绕回-至-连续读取的存储器子系统-CN201510087363.8在审
发明人： Q·哈桑;岡田晋辅;庄司清松;伊势有一;K·迪芬巴赫 -专利权人： 斯班逊有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：本文涉及具有绕回-至-连续读取的存储器子系统，公开用于访问存储器的数据的系统、方法和计算机程序产品实施例。方法实施例藉由接收对于跨储存在存储器的至少第一存储器区域以及第二存储器区域的数据的一或多个请求。所述方法藉由至少一处理器继续执行，所述存储器的所述第一存储器区域内的数据的绕回读取。所述方法，藉由所述至少一处理器接着执行，所述存储器的所述第二存储器区域内的数据的连续读取，所述第二存储器区域邻近所述第一存储器区域。所述连续读取开始于所述第二存储器区域的第一边界、且在所述第一存储器区域内的数据的绕回读取之后自动执行。
具有绕回连续读取存储器子系统

[发明专利]包含系统电源单元的电子设备和供应电源电压的方法-CN201510213930.X有效
发明人：中村享;小泽秀清 -专利权人： 斯班逊有限公司
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H02M3/157 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含系统电源单元的电子设备和供应电源电压的方法，所述电子设备设有包括由工作电压供电的负载的系统主单元。连接到系统主单元的系统电源单元为负载供应工作电压。系统主单元包括存储电路，其用于存储包含设定值的初始值数据，其中设定值用于设定负载的工作电压。主单元通信电路从存储电路读取初始值数据并将初始值数据发送到系统电源单元。系统电源单元包括电源通信电路，其用于与主单元通信电路进行通信以接收初始值数据。电压产生电路产生与设定值相对应的电压。
包含系统电源单元电子设备供应电压方法

[发明专利]非挥发性存储器中的位线电压调整器-CN201380049319.7有效
发明人： E·宾博加 -专利权人： 斯班逊有限公司
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明提供可最小化非挥发性存储器阵列中未标定存储器单元的写入干扰条件的系统及方法。提供位线驱动器电路以控制施加至目标存储器单元的位线及未标定存储器单元的邻近位线的斜坡电压。各种具体实施例通过施加受控电压信号至毗邻单元的先前浮动位线，以在目标存储器单元的写入操作期间减少在未标定毗邻存储器单元的源极及漏极节点之间的电位差，有利地维持储存于未标定存储器单元的资料的完整性。在另一具体实施例中，在漏极偏压斜升期间，对目标单元的“源极”位线施加增高源极偏压，然后在写入操作期间减少到接地或近接地电位。
挥发性存储器中的电压调整器

[发明专利]配置在存储库及扇区内且与解码器相关联的存储器阵列-CN201410409924.7有效
发明人：赤荻隆男 -专利权人： 斯班逊有限公司
申请日： 2006-10-06 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： G11C8/12 文献下载
摘要：一种配置在存储库及扇区内且与解码器相关联的存储器阵列。存储器阵列(150)，包括多个记忆库(memory bank)(B)，各记忆库具有多个扇区(sector)(S)及多个扇区解码器，各扇区解码器操作地与扇区(S)相关联。第一多条线提供第一信号，而第二多条线提供第二信号。第一解码器器件操作地与该第一多条线相关联，用于接收该第一信号及用于通过第一单一线提供第一位址信号给记忆库(B)的扇区解码器。第二解码器器件操作地与该第二多条线相关联，用于接收该第二信号及用于通过第二单一线提供第二位址信号给记忆库(B)的扇区解码器。
配置存储区内解码器相关存储器阵列

[发明专利]算术逻辑单元架构-CN201280070112.3有效
发明人： R·法斯托;J·奥尔森;B·M·肖汉姆 -专利权人： 斯班逊有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： G06F7/57 文献下载
摘要：本发明的实施例包括用于声学(acoustic)建模的设备、方法以及系统。于一具体实施例中，提供一算术逻辑单元，用于运算介于特征向量与高斯机率分布向量间的一维分数(score)。该算术逻辑单元包括配置成基于与该高斯机率分布向量的维度以及特征向量的维度相关联的平均数与变异数(variance value)以运算第一数值的运算逻辑单元、配置成基于该变异数以输出第二数值的查阅表模块、以及配置成组合该第一数值与该第二数值以产生该一维分数的组合模块。
算术逻辑单元架构

[发明专利]用于内存组件阵列互连的聚合物电介质-CN201410164564.9有效
发明人： C·F·莱昂斯 -专利权人： 斯班逊有限公司
申请日： 2005-02-11 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：一种用于内存组件阵列互连的聚合物电介质，本发明揭示一种半导体装置(100)，其含有聚合物电介质(103)以及至少含有有机半导体材料(112)与无源层(114)的有源装置(104)。该半导体装置(100)亦可进一步含有导电性聚合物(106与/或108)。此装置以重量轻和高可靠度为其特征。
用于内存组件阵列互连聚合物电介质

[发明专利]具有减少的漏电流的闪存编程及验证-CN201410172165.7无效
发明人： A·梅克尔-马尔-蒂罗斯安;E·朗尼;M·兰道夫;M·丁 -专利权人： 斯班逊有限公司
申请日： 2007-04-05 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种具有减少的漏电流的闪存编程及验证。根据本发明的例示实施例所组构的闪存系统(300)，使用虚拟接地阵列架构(302)。在编程(programming)操作期间，目标存储单元(406)被正源极偏压电压予以偏压，以减少或去除可能流经该目标存储单元(406)的漏电流(leakage current)。在验证(verification)操作(编程验证、软编程验证(soft program verify)，抹除验证(erase verify))期间，亦可施加正源极偏压电压至目标存储单元(506)，以减少或去除在该验证操作中可能导致错误的漏电流。
具有减少漏电闪存编程验证

[发明专利]调整设备和调整方法-CN201310329567.9有效
发明人：田中正博;松并弘幸;山口修;菅谷修 -专利权人： 斯班逊有限公司
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：公开了一种调整设备和调整方法，该调整设备将电流源电路的指定值设置为预定值，并且通过在电容器没有由从开关电源电路输出的电流充电时将开关切换到放电侧而使得完成电容器的放电。在完成电容器的放电并且设置指定值之后，调整设备通过将开关切换到充电侧而使得电容器被充电。调整设备还对从开关切换到充电侧时的时间直到电容器的电势差超过阈值的时间段进行测量。基于所测量的时间段和预定值，调整设备计算指定值，以使得所测量的时间段是预定时间段。
调整设备方法

[发明专利]升压/降压型直流-直流变换器及其控制电路和控制方法-CN201310537550.2有效
发明人：永井龙太;松本敬史;稻富研一 -专利权人： 斯班逊有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：一种升压/降压型直流－直流变换器及其控制电路和控制方法。本发明提供了能够实现高效率的升压/降压型直流－直流变换器的控制电路和控制方法。在状态（1）下，扼流线圈的端子（Tx）连接到输入端子，并且端子（Ty）连接到基准电位。在状态（2）下，端子（Tx）连接到基准电位，并且端子（Ty）连接到输出端子。在状态（3）下，端子（Tx）连接到输入端，并且端子（Ty）连接到输出端子。第一周期操作由状态（1）和（2）组成，第二周期操作由状态（1）和（3）组成。期间执行第二周期操作的第二周期的长度值是期间执行第一周期操作的第一周期的n倍。在第二周期操作中，状态（1）被切换到状态（3）使得电感电流的增加斜率被降低。
升压降压直流变换器及其控制电路控制方法

[发明专利]多芯片模块-CN201310319901.2有效
发明人： Y·L·方;C·S·纪;L·H·李;M·S·宾阿布-哈桑 -专利权人： 斯班逊有限公司
申请日： 2006-04-26 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种多芯片模块。本发明揭露了一种多芯片模块，其可缓和引线的破损。第一半导体芯片接置并引线接合在支撑衬底。间隔件连接至该第一半导体芯片。支撑材料配置在该间隔件上，而第二半导体芯片定位在该支撑材料上。该第二半导体芯片被压入该支撑材料内，并挤压该支撑材料进入邻近该间隔件且介于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间的区域。或者，该支撑材料配置在该第一导体芯片上，而晶粒附着材料配置在该间隔件上。该第二半导体芯片被压入该晶粒附着材料与支撑材料内，并挤压支撑材料的部分至该间隔件边缘上。在该支撑衬底与该第一半导体芯片和第二半导体芯片之间形成引线接合件。
芯片模块

[发明专利]程序化非挥发性内存装置的方法-CN201310403394.0有效
发明人： K-T·常;T·瑟盖特 -专利权人： 斯班逊有限公司
申请日： 2007-04-05 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种程序化非挥发性内存装置的方法。一种依照本发明的范例实施例配置的闪存系统（300）使用虚拟接地阵列架构（302）。于程序化操作期间，用负衬底偏压来偏压目标内存单元（706），以减少或消除漏电流，否则该漏电流可能传导通过该目标内存单元（706）。该负衬底偏压亦藉由在位线（BL2）下方将空乏区（714）延伸得更深而减少于邻接目标单元的单元（708）中之程序干扰的发生，该位线（BL2）对应于目标装置之漏极。该负衬底偏压于验证操作（程序验证、软程序验证、擦除验证）期间亦可施加于目标内存单元（706），以减少或消除漏电流，否则该漏电流于验证操作期间可能引出错误。
程序化挥发性内存装置方法

[发明专利]具扩充型电荷捕获层的存储器-CN201180068369.0有效
发明人： S·房;T-S·陈;C·陈 -专利权人： 斯班逊有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：存储器阵列包括多个位线和多个字线、栅极区及电荷捕获层。电荷捕获层宽于字线；电荷捕获层扩充超出栅极区的边缘以促进补捉以及移除电荷。
扩充电荷捕获存储器

[发明专利]用以间隔件双图案微影的自我对准与非闪存选择栅字线-CN201180067812.2有效
发明人： T-S·陈;S·房 -专利权人： 斯班逊有限公司
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明揭露一种用以双图案微影的方法。在一实施例中，揭露有通过于光阻图案的周缘设置间隔件图案而开始形成于多个核心字线的任一侧上的一对选择栅字线。剥除该光阻图案而留下该间隔件图案。于该间隔件图案的一部分上设置修正掩模。蚀刻移除未被该修正掩模覆盖的间隔件图案的部分。移除该修正掩模，其中，该间隔件图案的第一剩余部分定义多个核心字线。设置垫掩模以致于该垫掩模及该间隔件图案的第二剩余部分于该多个核心字线的任一侧上定义选择栅字线。最后，使用该垫掩模及该间隔件图案的该第一、第二剩余部分而蚀刻过至少一图案转移层，以蚀刻该选择栅字线及该多个核心字线至多晶硅层。
用以间隔图案自我对准闪存选择栅字线

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