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[发明专利]涌流补偿电路及比较器模块-CN201510001665.9有效
发明人：刘汉麒 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2015-01-04 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： G05F1/569 文献下载
摘要：一种涌流补偿电路及比较器模块，其用以补偿特定电路的输出信号转态后对供应电源汲取的涌流，且包括补偿电流产生单元与偏压单元。补偿电流产生单元电性耦接特定电路的输出级，而偏压单元电性耦接补偿电流产生单元。补偿电流产生单元根据输出信号向供应电源汲取补偿电流，其中补偿电流实质上相等于涌流，以使特定电路的输出级的电流与补偿电流的和于输出信号转态前后仍实质上维持不变。偏压单元用以提供偏压给补偿电流产生单元，以接收通过补偿电流产生单元的补偿电流或输出补偿电流给补偿电流产生单元。
涌流补偿电路比较模块

[发明专利]成像装置-CN200810149420.0有效
发明人：出原良;喜多信彦;近藤和芳;古市佑介;萩原元太;多田薰;小沼精 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： G03G15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种成像装置，该成像装置包括偏压单元。一种偏压单元，其相对于主单元在接近主体的方向中的至少一个方向偏压曝光单元，因此所述曝光单元与主体至少一个部分接触以确定曝光单元相对于主体的位置。缓冲单元减轻曝光单元从主体受到的冲击，设置在该曝光单元与主体接触的位置或该位置附近。连接形成部分设置为用于在缓冲工作状态和缓冲非工作状态之间转换缓冲单元工作状态。
成像装置

[发明专利]成像设备-CN202210668601.4在审
发明人：松本规宽;小山芙由子;深濑裕弘;河波健男 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G03G15/16 文献下载
摘要：一种成像设备，包括：多个图像承载构件；转印单元，其包括中间转印带、将中间转印带夹在多个图像承载构件和它们之间的多个转印构件、经由中间转印带将多个转印构件中的每一个朝向多个图像承载构件偏压的偏压构件、以及支撑中间转印带、多个转印构件和偏压构件的框架；以及支撑多个图像承载构件和转印单元的设备主体。设备主体包括支撑转印单元的支撑部分和偏压力接收部分，该偏压力接收部分在中间转印带表面的移动方向上位于多个转印构件之间，并且能够支撑转印单元。
成像设备

[发明专利]具自调性偏压回馈的主动式混频器-CN200510008202.1有效
发明人：吴经国;陈志纬;张云山;王是琦 -专利权人：立积电子股份有限公司
申请日： 2005-02-07 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H03D7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种自调性偏压回馈的主动式混频器，其中更运用双自主回馈偏压架构，该自调性偏压回馈的主动式混频器包括：一供给电压、一射频输入匹配/驱动单元、一本地振荡输入匹配/驱动单元、一混频核心单元、一自调性双偏压电路与一中频输出匹配/缓冲单元。并且，能改善温度响应、提高良率、降低单位成本，同时双自主回馈偏压架构的设计，更可应用至其它半导体制程、元件与其它微波产品。
调性偏压回馈主动混频器

[发明专利]一种硅光倍增管偏压调节增益补偿方法-CN202211687569.0在审
发明人：王毅;吕绮雯 -专利权人：江苏赛诺格兰医疗科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅光倍增管偏压调节增益补偿方法，方法包括：针对PET系统中每一单元探测器，FPGA基于单元探测器的工作状态确定是否需要对该单元探测器的偏压值和增益进行修正；若所述单元探测器处于空闲状态，则FPGA获取用于调整该单元探测器的偏压值参数，以及基于偏压值参数和该单元探测器的工作温度随时间变化的曲线，获得偏压值与工作温度对应的增益补偿信息；FPGA基于所述增益补偿信息，在单元探测器的使用状态中对过程数据进行增益补偿
一种倍增偏压调节增益补偿方法

[发明专利]一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置-CN201810493799.0有效
发明人：徐亚琴;李保振 -专利权人：盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于半导体加工和制造领域，具体的说是一种半导体集成电路用硅晶片刻蚀装置，包括刻蚀箱、端盖、固定座、激励线圈、偏压提供装置、盛放单元和转动单元，刻蚀箱为无盖圆筒型，端盖放置在刻蚀箱的顶部，固定座安装在刻蚀箱的内壁上；激励线圈用于将刻蚀气体激发成等离子体；偏压提供装置和盛放单元设置在刻蚀箱的内部，偏压提供装置用于向硅晶片施加偏压，盛放单元用于盛放待刻蚀的硅晶片；转动单元用于带动刻蚀箱内部的盛放单元转动，当需要对硅晶片进行刻蚀时，将其放入盛放单元中，向刻蚀箱内部通入刻蚀气体，使硅晶片在激励线圈和偏压提供装置的作用下进行刻蚀，刻蚀过程中可去除刻蚀反应产物，防止覆盖硅晶片，提高刻蚀效率。
一种半导体集成电路晶片刻蚀装置

[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器中低功耗的模数转换器-CN200610100959.8有效
发明人：李明洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：模数转换器包括比较器、锁存器和偏压控制单元。所述比较器由施加的偏压启动，用于比较模拟电压和斜坡电压。所述锁存器在如所述比较器所指示的斜坡电压变得大于模拟电压时激活结束信号。所述偏压控制单元在所述结束信号被激活时从所述比较器断开所述偏压以减少功率消耗。
互补金属氧化物半导体图像传感器功耗转换器

[发明专利]间接式的平板探测器及制作方法-CN201810374577.7有效
发明人：李鑫;陈叠峰;田鹏程 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G21K4/00 文献下载
摘要：该间接式的平板探测器包括：成像单元、位于成像单元上用于提供偏置电压的偏压导电层、位于偏压导电层上的第一防静电层，第一防静电层通过第一绝缘层与偏压导电层相绝缘，第一防静电层包括第一透明导电层。在本发明实施例提供的平板探测器中，在偏压导电层上设置第一防静电层，且通过第一绝缘层实现该第一防静电层与偏压导电层之间相互绝缘，防止该第一防静电层与偏压导电层之间相互短路；并且该第一防静电层用于将在该第一防静电层上产生的静电导向大地，避免了静电通过偏压导电层导入成像单元，从而对成像单元的成像效果产生干扰的问题。
间接平板探测器制作方法

[实用新型]间接式的平板探测器-CN201820596658.7有效
发明人：李鑫;陈叠峰;田鹏程 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G21K4/00 文献下载
摘要：该间接式的平板探测器包括：成像单元、位于成像单元上用于提供偏置电压的偏压导电层、位于偏压导电层上的第一防静电层，第一防静电层通过第一绝缘层与偏压导电层相绝缘，第一防静电层包括第一透明导电层。在本实用新型实施例提供的平板探测器中，在偏压导电层上设置第一防静电层，且通过第一绝缘层实现该第一防静电层与偏压导电层之间相互绝缘，防止该第一防静电层与偏压导电层之间相互短路；并且该第一防静电层用于将在该第一防静电层上产生的静电导向大地，避免了静电通过偏压导电层导入成像单元，从而对成像单元的成像效果产生干扰的问题。
防静电层导电层平板探测器成像单元间接式绝缘层本实用新型静电绝缘透明导电层成像效果偏置电压短路

[发明专利]图像形成装置-CN201610291322.5有效
发明人：石野正人 -专利权人：京瓷办公信息系统株式会社
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G03G15/06 文献下载
摘要：复合机(11)具备转印带(32)、第一成像单元(41a)、第二成像单元(41b)、一次转印辊(33a～33d)、二次转印辊(35)、显影偏压外加部(38)、带电偏压外加部(39)及控制部(12)。控制部(12)进行控制，使通过显影偏压外加部(38)对第一显影辊外加的第一显影偏压的相位与通过显影偏压外加部(38)对第二显影辊外加的第二显影偏压的相位成为反相位。
图像形成装置

[发明专利]一种基于偏压控制高频粗尺生成的相位式激光测距系统-CN202210849610.3在审
发明人：周鹏威;简天浩;何卓尔 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于偏压控制高频粗尺生成的相位式激光测距系统，包括激光调制单元，射频生成单元，偏压控制单元，主控单元，激光收发光路，晶振；所述激光调制单元采用电光调制，射频生成单元提供GHz级高频精尺，偏压控制单元提供MHz级高频粗尺并且通过分析激光调制单元的输出中粗尺对应频率的二次谐波，输出直流电压稳定调制器在+QUAD工作点，从而保证调制信号的对比度，系统实现测距精度最高可达100μm以内。所述偏压控制单元中没有带通滤波模块，抖动信号频率为MHz级，与GHz级精尺匹配作为两把互补测尺完成高精度测距，避免使用KHz级低频抖动信号的传统偏压控制方案来干扰测距，所以本发明的相位式激光测距系统精度高
一种基于偏压控制高频生成相位激光测距系统

[发明专利]p通道电荷捕捉记忆元件的编程与擦除方法-CN200410090745.8有效
发明人：吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2004-11-08 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明是关于一种p通道电荷捕捉记忆元件的编程与擦除方法，其中记忆元件包括一n型基底与形成于其上的数个记忆单元，每一记忆单元对应一字线、一第一位线与一第二位线，且记忆单元包含用来各储存一个位信息的第一位部位与第二位部位这种方法包括藉由供应一第一负偏压至一被选记忆单元的字线与供应一接地偏压至第一与第二位线来重设被选记忆单元，以及藉由供应一第一正偏压至被选记忆单元的字线、供应一第二负偏压至被选记忆单元的第一位线及供应一接地偏压至被选记忆单元的第二位线来编程被选记忆单元的第一位部位
通道电荷捕捉记忆元件编程擦除方法

[发明专利]一种存储装置与用以操作此装置的方法-CN200910265615.6有效
发明人：李明修 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2009-12-28 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：在用以操作存储单元的方法中，存储单元包括相变材料且可编程至包括高电阻状态与较低电阻状态的多个电阻状态。操作存储单元的方法包括施加第一偏压配置至存储单元以建立较低电阻状态，其中第一偏压配置包括第一电压脉冲。此方法更包括决定存储单元是否处于较低电阻状态，若存储单元未处于较低电阻状态，则接着施加第二偏压配置至存储单元。第二偏压配置包括第二电压脉冲，且第二电压脉冲的脉冲高度大于第一电压脉冲的脉冲高度。
一种存储装置用以操作方法

[发明专利]光学传输线路-CN03104228.7无效
发明人：片冈智由;平野章;松浦晓彦 -专利权人：日本电信电话株式会社
申请日： 2003-02-08 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： H04B10/12 文献下载
摘要：本发明的光学传输线路拥有光调制器12、偏压施加单元14、光功率谱测量单元17、控制电路，其中所述光调制器12利用重复频率为fo赫兹的信号调制波长为λo的连续光，并输出交变相位反转脉冲光；所述偏压施加单元14给光调制器12施加偏压；所述光功率谱测量单元17的频率分辨率小于fo赫兹，它测量从光调制器12输出光的光功率谱；所述控制电路根据对光调制器12的输出光的输出功率谱的测量控制经偏压施加单元14的偏压，
光学传输线路

[发明专利]对虚拟接地阵列存储装置施加双侧偏压的方法-CN200710199601.X无效
发明人：吴昭谊 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-12-11 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种对虚拟接地阵列存储装置施加双侧偏压的方法，此存储装置由N－位存储单元阵列所构成。在第一实施例中，虚拟接地阵列由双侧偏压方法而编程，此方法同时施加相同或类似的偏压电压到选定电荷捕捉存储单元的源极区域与漏极区域，使得选定电荷捕捉存储单元的左位和右位可以同时被编程。在第二实施例中，虚拟接地阵列被双侧偏压方法所擦除，此方法同时施加相同或类似的偏压电压，至此虚拟接地阵列中的多个电荷捕捉存储单元的源极区域和漏极区域，使得每一电荷捕捉存储单元的左位和右位同时被擦除。
虚拟接地阵列存储装置施加偏压方法