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[发明专利]利塞膦酸钠的新多晶型物和假多晶型物-CN200610146447.5无效
发明人： J·阿龙希梅;R·里斯茨－里龙;E·科瓦勒维斯基－伊斯海;R·里多－哈达斯 -专利权人：特瓦制药工业有限公司
申请日： 2003-01-06 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： C07F9/58 文献下载
摘要：本发明提供了利塞膦酸钠和利塞膦酸二钠的新多晶型物和假多晶型物及其制备方法，本发明也涉及含有这些新多晶型物和假多晶型物的药物组合物以及这些新多晶型物和假多晶型物用于制备治疗骨质疏松症的药物的用途。
利塞膦酸钠多晶

[发明专利]利塞膦酸钠的新多晶型物和假多晶型物-CN03813091.2无效
发明人： J·阿龙希梅;R·里斯茨－里龙;E·科瓦勒维斯基－伊斯海;R·里多－哈达斯 -专利权人：特瓦制药工业有限公司
申请日： 2003-01-06 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： A61K9/14 文献下载
摘要：本发明提供了利塞膦酸钠和利塞膦酸二钠的新多晶型物和假多晶型物及其制备方法，本方法也涉及含有这些新多晶型物和假多晶型物的药物组合物。
利塞膦酸钠多晶

[发明专利]一种沟槽栅型IGBT结构-CN201910959594.1在审
发明人：金锐;李立;和峰;赵哿;王耀华;刘江;高明超;吴军民;潘艳;白鹭;李冠良 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽栅型IGBT结构，所述IGBT结构包括：N型参杂发射区(11)、所述P型掺杂深结区(10)、多晶硅假栅极结构(7)；所述多晶硅假栅极结构(7)与所述N型参杂发射区(11)相连，且所述多晶硅假栅极结构(7)的底部插入所述P型掺杂深结区(10)。本发明通过增加多晶硅假栅极结构(7)，降低PNP分量，增强电导调制效应，降低芯片的饱和压降，同时多晶硅假栅极结构(7)与背面金属电极(4)距离近，并与N型掺杂发射区(11)相连，可以有效降低沟槽栅型IGBT
一种沟槽 igbt 结构

[发明专利]盐酸伐昔洛韦的结晶形式-CN200580005970.X无效
发明人： S·维泽尔;J·阿伦希姆;V·尼达姆－希尔德谢姆;B·－Z·多利茨基;M·Y·埃林格尔;M·于泽福维奇;G·A·尼斯内维奇;B·佩尔特西科夫;B·蒂欣;D·布拉斯伯格 -专利权人：特瓦制药工业有限公司
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： C07D473/18 文献下载
摘要：提供了盐酸伐昔洛韦的新型多晶型物和假多晶型物以及含有这些物质的药物组合物。也提供了制造该新型多晶型物和假多晶型物的方法，其包括盐酸伐昔洛韦一水合物和盐酸伐昔洛韦二水合物。
盐酸伐昔洛韦结晶形式

[发明专利]枸地氯雷他定的假多晶型及其制备方法-CN201310052197.9有效
发明人：史登健;孙会;王庆辉;冯建鹏;陈元龙;朱圣红;陆良喆 -专利权人：扬子江药业集团江苏海慈生物药业有限公司
申请日： 2013-02-18 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C07D401/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种枸地氯雷他定的假多晶型，使用Cu-Ka辐射，所述的假多晶型化合物具有如图1所示的以2θ衍射角表示的X-射线粉末衍射图谱，其中在约4.378°，8.208°，8.483°，11.050°，本发明还提供了一种枸地氯雷他定的假多晶型的制备方法。本发明的枸地氯雷他定假多晶型，比母体地氯雷他定具有更好的稳定性及溶解性。
多晶及其制备方法

[发明专利]阿昔洛韦缬氨酸酯盐酸盐的晶型-CN200510022996.7无效
发明人： S·维策尔;J·阿伦希梅;V·尼达姆－希尔德谢姆;B·－Z·多利茨基;M·Y·埃廷格尔;M·于泽福维赫;G·A·尼斯奈维克;B·佩尔特斯科夫;B·蒂辛;D·布拉斯贝格 -专利权人：特瓦制药工业有限公司
申请日： 2002-09-06 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： C07D473/18 文献下载
摘要：本发明提供了新的阿昔洛韦缬氨酸酯盐酸盐的多晶型物和假多晶型物和含有它们的药物组合物。还提供了包括阿昔洛韦缬氨酸酯盐酸盐的单水合物和阿昔洛韦缬氨酸酯盐酸盐的二水合物的新多晶型物和假多晶型物的方法。
阿昔洛韦缬氨酸盐酸

[发明专利]阿昔洛韦缬氨酸酯盐酸盐的晶型-CN02817414.3无效
发明人： S·维策尔;J·阿伦希梅;V·尼达姆－希尔德谢姆;B·－Z·多利茨基;M·Y·埃廷格尔;M·于泽福维赫;G·A·尼斯奈维克;B·佩尔特斯科夫;B·蒂辛;D·布拉斯贝格 -专利权人：特瓦制药工业有限公司
申请日： 2002-09-06 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： C07D473/18 文献下载
摘要：本发明提供了新的阿昔洛韦缬氨酸酯盐酸盐的多晶型物和假多晶型物和含有它们的药物组合物。还提供了包括阿昔洛韦缬氨酸酯盐酸盐的单水合物和阿昔洛韦缬氨酸酯盐酸盐的二水合物的新多晶型物和假多晶型物的方法。
阿昔洛韦缬氨酸盐酸

[发明专利]9－脱氧－9a－氮杂－9a－甲基－9a－高红霉素A的同构假多晶型物-CN03806326.3无效
发明人： M·杜米克;M·温克维克;M·欧斯科;E·麦斯特罗维克;A·丹尼尔弗斯科;A·杜姆泊维克;Z·尼兹维克;G·拉扎勒维斯科;D·辛希;D·菲利克;K·拉扎里克;D－K·布喀 -专利权人：普利瓦研究院有限公司
申请日： 2003-03-18 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： C07H17/00 文献下载
摘要：具有式I的9－脱氧－9a－氮杂－9a－甲基－9a－高红霉素A的基本上纯的同构假多晶型物，其中S是与水至少部分混溶的有机溶剂，x是1，1.25，1.5或2，y是0，0.5，或1，该假多晶型物特征在于单斜晶空间群另外，本申请涉及式I的基本上纯的同构假多晶型物的制备方法，涉及含有式I的基本上纯的同构假多晶型物的药物组合物，并且涉及通过施用含有式I的基本上纯的同构假多晶型物的药物组合物治疗细菌和原生动物感染以及与炎症相关的疾病的方法
脱氧氮杂甲基红霉素同构多晶

[发明专利]假多晶型的卡维地洛-CN02818741.5无效
发明人： A·G·布本多尔夫;R－D·加贝尔;M·亨宁;S·克里默;G·诺伊格鲍尔;W·普雷斯;A·沃尔 -专利权人：弗·哈夫曼－拉罗切有限公司
申请日： 2002-09-18 - 公布日： 2004-12-29 - 主分类号： C07D209/88 文献下载
摘要：本发明涉及1－(4－咔唑基氧基)－3－[2－(2－甲氧基苯氧基)乙氨基]－2－丙醇(卡维地洛)的假多晶型或者其旋光活性形式或药学上可接受的盐的假多晶型、其制备方法和含有它们的药物组合物。
多晶

[发明专利]半导体制造装置用部件、其制法以及附带有轴的加热器-CN201610968551.6有效
发明人：永井明日美;西村升;胜田祐司 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的半导体制造装置用部件是接合于氮化铝基部件的部件，作为材料，使用以氮化铝和包含硅、铝、氧以及氮的氮化铝假多晶型为主要构成相的复合材料。氮化铝假多晶型具有27R相及21R相中的至少一种周期结构，或者，氮化铝假多晶型的X射线衍射峰至少出现在2θ＝59.8～60.8°。复合材料在室温下的热传导率为50W/mK以下。
半导体制造装置部件制法以及带有加热器

[发明专利]治疗用CCK抑制剂的新盐,它们的制备方法以及含有它们的药物制剂-CN01807475.8无效
发明人： I·赫迈茨;A·霍瓦斯;G·基斯;M·莫瓦;B·普丹伊;K·西蒙;J·希波斯;A·斯迈尔科尼塞克;A·扎博;A·瓦斯瓦利 -专利权人：萨诺费合成实验室
申请日： 2001-04-04 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： C07D417/12 文献下载
摘要：通式(I)的新盐、它们的溶剂化物、多晶型物和假多晶型物，其中X代表乙醇胺、二乙醇胺或二乙胺。
治疗 cck 抑制剂它们制备方法以及含有药物制剂

[发明专利]依替米星硫酸盐的假多晶型、其制备方法及其应用-CN201210002719.X有效
发明人：李继安;封成军;陈舟舟;陈代杰;李兴刚;蓝鸿 -专利权人：上海医药工业研究院;常州方圆制药有限公司
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C07H15/236 文献下载
摘要：本发明公开一种新颖的依替米星硫酸盐的假多晶型、其制备方法及其应用。所述假多晶型显示出具有2θ°为5.1±0.2、6.0±0.2、7.0±0.2、7.6±0.2、8.5±0.2、10.9±0.2、12.5±0.2、13.1±0.2、13.7±0.2、15.5±0.2、16.0本发明也公开该假多晶型的制备方法以及其在制备治疗人体细菌感染性疾病的药物中的应用。
依替米星硫酸盐多晶制备方法及其应用

[发明专利]提高失效电压的双向假栅深阱静电保护器件及其制作方法-CN201810872673.4有效
发明人：金湘亮;汪洋 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高失效电压的双向假栅深阱静电保护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层和高压N阱；高压N阱内设有第一P阱、N阱和第二P阱；第一P阱中设有第一P+注入区、第一N+注入区；第一P阱与N阱之间横跨有第一硼离子注入区；N阱与第二P阱之间横跨有第二硼离子注入区；N阱的表面设有第一多晶硅假栅；第二P阱中设有第二N+注入区、第二P+注入区；第一硼离子注入区、第一多晶硅假栅、第二硼离子注入区构成多晶硅假栅深阱硼离子结构本发明的多晶硅假栅深阱硼离子结构，能够使得器件的ESD导通路径在N型埋层内泄放，器件能够承受高强度的静电脉冲应力，防止器件结构表面产生额外通路，从而有效避免器件表面的热击穿现象。
注入区多晶硅假栅深阱静电保护器件高压N阱衬底假栅横跨导通路径静电脉冲器件表面器件结构热击穿泄放制作

[发明专利]多晶型和假多晶型形式的群多普利拉、药物组合物和生产及使用方法-CN200780020424.2无效
发明人： T·贝德尔 -专利权人：阿萨德药用成分股份公司;苏黎世大学
申请日： 2007-04-04 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： C07D209/42 文献下载
摘要：本发明提供了新型的群多普利拉(Trandolaprilat)的多晶型和假多晶型形式，包括晶体群多普利拉形式A、晶体群多普利拉形式B、晶体群多普利拉形式C、晶体群多普利拉形式D、晶体群多普利拉形式E及其混合物本发明也提供了生产群多普利拉、群多普利拉药学上可接受的盐和群多普利拉的多晶型及假多晶型形式的新型方法，包括一种或一种以上新型群多普利拉化合物的药物组合物，以及使用一种或一种以上新型的群多普利拉化合物来治疗高血压和
多晶形式群多普利拉药物组合生产使用方法

[发明专利]一种沟槽栅IGBT器件-CN201611207993.5在审
发明人：张泉;唐龙谷;覃荣震;罗海辉;黄建伟 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽栅IGBT器件，包括从上到下依次设置的发射极层、N型漂移层、N型缓冲层、P+电极层，在所述N型漂移层中设置有与所述发射极层连接的P阱和浮空P阱，所述P阱两侧设置有多晶硅栅，在所述浮空P阱上与所述多晶硅栅层相邻的一侧设置有假栅，所述假栅用于将所述浮空P阱与所述多晶硅栅层分隔开。所述沟槽栅IGBT器件，通过在所述浮空P阱上与所述多晶硅栅层相邻的一侧设置假栅，将所述浮空P阱与所述多晶硅栅层分隔开，有效地减小了IGBT器件在开通过程中栅极电压过冲，从而降低了器件的开通损耗和EMI，
一种沟槽 igbt 器件

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