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[发明专利]多晶硅电阻结构及其制备方法-CN201910119045.3有效
发明人：汪广羊 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅电阻结构及其制备方法，该多晶硅电阻结构包括：P型半导体基底；N型阱区，形成于P型半导体基底上；隔离层，形成于N型阱区上；多晶硅层，形成于隔离层上；金属互连结构，分别与多晶硅层和N型阱区连接以使多晶硅层和N型阱区连接。通过在P型半导体基底上形成N型阱区，P型半导体基底和N型阱区形成二极管结构，通过金属互连结构将多晶硅层与N型阱区连接，对多晶硅层进行保护，且由于二极管结构形成于多晶硅层的正下方，在增加静电保护结构的同时，不会增加多晶硅电阻结构所占面积。
多晶电阻结构及其制备方法

[发明专利]阿加曲班单一立体异构体的分离方法及多晶型物-CN200710025567.4有效
发明人：袁建栋 -专利权人：袁建栋
申请日： 2007-08-06 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： C07D401/12 文献下载
摘要：本发明提供了阿加曲班单一立体异构体——化合物II的具有固定组成的多晶型物A和多晶型物B，并提供了多晶型物A和多晶型物B的制备方法。本发明还提供了从阿加曲班中分离提纯出化合物II的新方法。本发明还提供了多晶型物A和多晶型物B在制备抗凝血和抗血栓药物中的应用。
阿加曲班单一立体异构体分离方法多晶

[发明专利]英加韦林的多晶型物及其制备方法-CN201310219879.4无效
发明人：吴勇;朱义;王一茜 -专利权人：四川百利药业有限责任公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： C07D233/64 文献下载
摘要：本发明属于化学制药技术领域，涉及一种英加韦林的多晶型物及其制备方法。本发明的目的在于针对现有技术中存在的不足，提供新的英加韦林的多晶型物。本发明提供了英加韦林多晶型A、多晶型物B，具备优异的理化性质，稳定性好，用于研究英加韦林的体内研究。同时提供了多晶型A、多晶型物B的制备方法。
英加韦林多晶及其制备方法

[发明专利]4-{[4-({[4-(2,2,2-三氟乙氧基)-1,2-苯并异噁唑-3-基]氧}甲基)哌啶-1-基]甲基}-四氢-2H-吡喃-4-羧酸的多晶型形式-CN201280023928.0有效
发明人：沼田丰治;野口洋英;和泉延明;小岛隆史 -专利权人：拉夸里亚创药株式会社
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C07D413/14 文献下载
摘要：更加具体而言，本发明涉及多晶型形式（多晶型形式I或多晶型形式II）、制备这些多晶型形式的方法、含有这些多晶型形式的组合物以及这些多晶型形式的用途。
三氟乙氧基异噁唑甲基哌啶吡喃羧酸多晶形式

[发明专利]苯并咪唑衍生物的多晶型物及其制备方法、药物组合物和用途-CN202111051606.4在审
发明人：余红;罗敏;康立生;吴伟 -专利权人：武汉朗来科技发展有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C07D413/14 文献下载
摘要：本发明涉及药物多晶型物领域，具体涉及苯并咪唑衍生物的多晶型物及其制备方法、药物组合物和用途。本发明的多晶型物H具有改善的物理和化学稳定性。并且，所述多晶型物H的吸湿性良好，且具有改善的溶解度，综合性能优异。因此，本发明的多晶型物H及其药物组合物能够显著改善多晶型物H的成药性和患者的依从性。并且，所述多晶型物的制备方法便捷，成本较低，有利于药品的规模化生产。
苯并咪唑衍生物多晶及其制备方法药物组合用途

[发明专利]降低N型掺杂和非掺杂多晶硅栅极刻蚀后形貌差异的方法-CN201210163138.4有效
发明人：唐在峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供降低N型掺杂和非掺杂多晶硅栅极刻蚀后形貌差异的方法，包括以下顺序步骤：在具有N型掺杂多晶硅和非掺杂多晶硅的衬底板上沉积一层硬掩膜层，分别形成N型掺杂多晶硅硬掩膜层和非掺杂多晶硅硬掩膜层，对非掺杂多晶硅硬掩膜层进行刻蚀使得其厚度小于N型掺杂多晶硅硬掩膜层。在不同厚度的N型掺杂多晶硅硬掩膜层和非掺杂多晶硅硬掩膜层上沉积一防反射层，对整个器件进行预设定图案进行刻蚀，刻蚀至露出N型掺杂多晶硅为止。去除刻蚀过程留下在器件表面的残留物，后对器件进行刻蚀分别形成N型掺杂多晶硅栅极和非掺杂多晶硅栅极。
降低掺杂多晶栅极刻蚀形貌差异方法

[发明专利]一种钝化背接触式太阳能电池的制作方法-CN202210258658.7在审
发明人：高嘉庆;屈小勇;郭永刚;吴翔;张博;杨爱静;张天杰;王永冈;李翔虹 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种钝化背接触式太阳能电池的制作方法，包括：在N型单晶硅基片的一侧面上依序层叠形成隧穿氧化层和P型多晶硅层；刻除P型多晶硅层的预设区域形成第一开槽；在第一开槽内填充形成钝化层，钝化层的厚度与P型多晶硅层的厚度相同；刻除钝化层的预设区域形成第二开槽，并在第二开槽内填充形成N型多晶硅层，使P型多晶硅层与N型多晶硅层之间具有由钝化层构成的间隔区域；在P型多晶硅层和N型多晶硅层上分别形成接触电极。本发明解决了背接触式太阳能电池的制作过程中不容易形成型多晶硅层与N型多晶硅层之间的隔离区域的问题。
一种钝化接触太阳能电池制作方法

[实用新型]一种碳化硅MOSFET结构-CN202120154151.8有效
发明人：金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 -专利权人：芯璨半导体科技（山东）有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳化硅MOSFET结构，其在P型体上方设置N+型多晶体和P+型多晶体，并通过N+型多晶体和P+型多晶体形成N+源区和P+带区，由于N+型多晶体和P+型多晶体为多晶体结构，其在形成N+源区和P+带区时不需要过高的温度，因此，不会破坏外延层以及P型体的晶体结构，由此改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。此外，由于N+型多晶体和P+型多晶体的设置，改善源极金属和N+源区和P+带区的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。
一种碳化硅 mosfet 结构

[发明专利]奥那司酮多晶型形式和使用方法-CN202110467985.9在审
发明人：斯特凡·普罗纽克 -专利权人：康泰科思特生物制药公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： C07J41/00 文献下载
摘要：本申请涉及奥那司酮多晶型形式和使用方法。提供了奥那司酮的多晶型形式以及制备和使用这样的多晶型形式的方法。结晶的多晶型形式可以通过其X射线粉末衍射图谱和其他性质来表征。还提供了包含这样的奥那司酮多晶型形式的药物组合物。
多晶形式使用方法

[发明专利]一种包含吊舱假体的艉部型线的放样方法-CN202111257780.4有效
发明人：曾凡强;黄深华;黄红松 -专利权人：中船黄埔文冲船舶有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： B63B73/00 文献下载
摘要：本发明属于船体型线放样光顺技术领域，公开一种包含吊舱假体的艉部型线的放样方法，包括步骤：根据原始船体型线图，得到光顺艉部型线图；根据原始吊舱假体设计模块，得到理论吊舱假体型线；将理论吊舱假体型线覆盖到光顺艉部型线图中，得到空间线，再光顺处理得到边界线；根据边界线和理论吊舱假体型线得到剪切吊舱假体型线，再光顺处理得到光顺吊舱假体型线；根据边界线和光顺艉部型线得到不含吊舱假体的艉部型线；将光顺吊舱假体型线和不含吊舱假体的艉部型线拼接，得到包含吊舱假体的艉部型线图。将艉部型线和吊舱假体型线分别定义数据库进行光顺处理，从而都能采用船舶设计软件进行，通过确定边界线来提高吊舱假体型线的放样效率。
一种包含吊舱假体艉部型线方法

[发明专利]CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法-CN201510315138.5有效
发明人：王乐平 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-06-10 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS工艺中多晶硅电阻的制造方法，包括如下步骤：依次形成栅介质层和多晶硅层；进行光刻刻蚀同时形成多晶硅栅和多晶硅电阻；定义出N型源漏注入的注入区域，该区域同时包括多晶硅电阻的形成区域；进行N型源漏注入，该N型源漏注入同时将N型杂质注入到多晶硅电阻中；定义出P型源漏注入的注入区域，该区域同时包括多晶硅电阻的形成区域；进行P型源漏注入，该P型源漏注入同时将P型杂质注入到多晶硅电阻中；进行快速热退火实现杂质激活
cmos 工艺多晶电阻制造方法

[发明专利]碳化硅光学镜及其制备方法-CN201910764369.2在审
发明人：刘海鹰;冯磊;蒋鹏 -专利权人：扬州霞光光学仪器有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： C04B30/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅光学镜及其制备方法，该碳化硅光学镜包括6H多晶型的碳化硅、15R多晶型的碳化硅、增塑剂、滑石粉、增强剂和紫外线吸收剂，其中，6H多晶型的碳化硅和15R多晶型的碳化硅的含量的总和为70重量％以上；本发明含6H多晶型的碳化硅、15R多晶型的碳化硅的重量比越多，则通过控制碳化硅多晶型的粒径比，能提高碳化硅颗粒的烧结特性，从而促进所得到的碳化硅质烧结体的反应；另外，6H多晶型的碳化硅、15R多晶型的碳化硅较其他碳化硅晶型在高温下显示出稳定相的多晶型，则能更有效地促进含碳化硅颗粒的烧结反应，从而提高了其致密性，降低了孔隙率。
碳化硅多晶型碳化硅颗粒光学镜碳化硅质烧结体紫外线吸收剂滑石粉烧结特性烧结孔隙率粒径比稳定相有效地增强剂增塑剂致密性重量比晶型制备

[发明专利]利匹韦林盐酸盐醇化物多晶型物及其制备方法-CN201210152790.6有效
发明人：李金亮;赵楠;胡文军;周春峰;赵海鲲;李海峰 -专利权人：上海迪赛诺药业有限公司;上海迪赛诺化学制药有限公司
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C07D239/48 文献下载
摘要：本发明涉及利匹韦林盐酸盐醇化物多晶型物及其制备方法。具体地，本发明公开了如下三种利匹韦林盐酸盐醇化物的多晶型物及其制法：利匹韦林盐酸盐甲醇化物的E型多晶型物、利匹韦林盐酸盐乙醇化物的F型多晶型物和利匹韦林盐酸盐的正丙醇化物G型多晶型物。本发明还公开了一种利匹韦林盐酸盐A型或C型多晶型物的新制备方法。
利匹韦林盐酸醇化多晶及其制备方法

[发明专利](4-{[(5-{[(3-氯苯基)甲基]氧基}-2-甲基苯基)羰基] 氨基}-3-甲基苯基)乙酸的新的多晶型-CN200980130748.0无效
发明人：萨拉·瓦兰斯 -专利权人：葛兰素集团有限公司
申请日： 2009-06-08 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C07C235/56 文献下载
摘要：本发明涉及(4-{[(5-{[(3-氯苯基)甲基]氧基}-2-甲基苯基)羰基]氨基}-3-甲基苯基)乙酸的多晶型1和多晶型2，包含该多晶型的药物组合物以及该多晶型在制药中的用途。
氯苯甲基氧基苯基羰基氨基乙酸多晶

[发明专利]可编程的多晶硅熔丝器件结构以及其工艺实现方法-CN201110355675.4无效
发明人：仲志华 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种可编程的多晶硅熔丝器件结构以及其工艺实现方法，该结构包括：N、P型的高阻值的多晶硅电阻，NP二极管，阴、阳极接触端；其方法包括：1)在P型衬底上生成氧化层场区；2)在氧化层场区上，生成多晶硅区域；3)多晶硅区域的一侧形成P型多晶硅，另一侧形成N型多晶硅，在N、P型交界处形成NP二级管；4)在P、N型的高阻值多晶硅电阻区产生氧化硅或氮化硅，以阻止金属硅化物的形成；5)在多晶硅上的P型的低阻值的多晶硅电阻区和N型的低阻值的多晶硅电阻区形成金属硅化物；6)形成通孔和金属连线，完成多晶硅熔丝器件的阴阳极端的引出。
可编程多晶硅熔丝器件结构及其工艺实现方法