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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种树脂组合物-CN201610271847.2有效
发明人：胡志龙;谢镇宇 -专利权人：中山台光电子材料有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明属于树脂复合材料技术领域，涉及一种低介电树脂组合物及基于其制备得到的半固化片、树脂膜、背胶铜箔、积层板和印刷电路板，该低介电树脂组合物含有式I所示的含磷阻燃剂及活性不饱和键树脂。该低介电树脂组合物可进一步制备为半固化片、树脂膜、背胶铜箔、积层板或印刷电路板等，具有高玻璃转化温度、低介电特性、无卤阻燃性以及低基板热膨胀率等特性。
一种树脂组合

[发明专利]纳米多孔材料及其制备方法-CN02829449.1无效
发明人： N·哈克;S·莱弗特;L·菲格;R·斯皮尔;W·贝德韦尔;T·拉莫斯 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2002-08-15 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01B3/02 文献下载
摘要：本发明描述了低介电材料，该材料除了包含超纳米孔外，还包含许多孔或纳米孔。还预期的是，本发明所述的低介电材料具有小于约3的介电常数。所述的介电材料由聚合物组合物制成，其中所述的聚合物组合物包含许多单体并且其中至少一种单体包含与结构前体化学键合的自由基前体。另外，还提供了由聚合物组合物制备低介电材料的方法。下图显示了甲基/叔丁基低有机含量/低有机硅氧烷聚合物的化学结构。
纳米多孔材料及其制备方法

[发明专利]低介电的聚酰亚胺绝缘涂料及漆包线-CN201610518692.8有效
发明人：林唯芳;蒋明瀚;洪启峰;蔡惠茹;张雅婷;林盈儒;吕亭宜 -专利权人：大亚电线电缆股份有限公司
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： C09D179/08 文献下载
摘要：本发明公开低介电的聚酰亚胺绝缘涂料及漆包线，具体提供一种低介电的聚酰亚胺绝缘涂料及包含该低介电的聚酰亚胺绝缘涂料所形成的低介电涂层的漆包线。该低介电的聚酰亚胺绝缘涂料由二酸酐及二胺所反应而成，所述二酸酐具有如下所示的结构：通过前述的二酸酐与二胺的特定结构选定，使该二酸酐与该二胺混合反应后所形成的聚酰亚胺绝缘涂料具有低介电系数的材料特性，并且当其在金属导体芯材的表面固化而制成漆包线时，该漆包线不易产生部分放电而侵蚀该低介电涂层，进而有效避免造成贯穿性短路而使得由该漆包线组成的线圈系统受损。
低介电聚酰亚胺绝缘涂料漆包线

[发明专利]针对侧壁孔密封及通孔清洁度的互连整合-CN201680034165.8有效
发明人：任河;梅裕尔·B·奈克;迪内士·帕德希;普里扬卡·戴什;巴斯卡·库马;亚历山德罗斯·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种密封多孔低k介电膜的方法。该方法包含以下步骤：将基板暴露于UV辐射和第一反应气体，其中基板具有限定在基板中的开口特征，开口特征由多孔低k介电层和导电材料所界定，其中多孔低k介电层是含硅和碳材料且使用UV辅助光化学气相沉积而在多孔低k介电层的暴露表面上选择性地形成孔密封层在开口特征中。
针对侧壁密封清洁互连整合

[发明专利]气孔分布均匀、低介电损耗多孔铁电陶瓷及其制备方法-CN201310442312.3无效
发明人：聂恒昌;董显林;陈学锋;王根水 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明涉及气孔分布均匀、低介电损耗多孔铁电陶瓷及其制备方法，所述多孔铁电陶瓷的化学组成通式为Pb(ZrxTi1-x)O3，其中0.9≤x≤0.97，所述铁电陶瓷的气孔分布均匀不团聚，气孔大小为5～120μm，孔隙率为5～20%，介电损耗常数为1.5～1.8%。本发明的多孔锆钛酸铅铁电陶瓷气孔分布均匀不团聚，介电损耗低，电阻率、纵向压电常数和断裂韧性均与致密陶瓷性能相当。而且与致密的PZT铁电陶瓷相比，本发明的多孔PZT铁电陶瓷抗冲击性能更高、铁电-反铁电相变压力更低、与封装材料的阻抗匹配更好等优点，有利于铁电脉冲电源的可靠性。
气孔分布均匀低介电损耗多孔陶瓷及其制备方法

[实用新型]一种低膨胀的卷绕电芯电池及其卷绕电芯-CN202222213285.X有效
发明人：范叶平;华春忠;杨敏伟 -专利权人：无锡市明杨新能源有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低膨胀的卷绕电芯电池及其卷绕电芯，包括呈圆桶状的壳体，壳体两端的开口分别固定设置上顶盖和下底盖，壳体内的空腔充满电解液，壳体的内腔设置卷绕电芯，卷绕电芯由正极极片、上隔膜、负极极片、本实用新型的目的是提供一种安全的、具有低膨胀正极极片的卷绕电芯电池及其卷芯。
一种膨胀卷绕电池及其

[发明专利]一种在线测试半导体器件衬底-CN201510459334.X有效
发明人：张磊;姬峰;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了在线测试半导体器件衬底的方法，包括：在半导体器件衬底上形成低K介电材料，在低K介电材料表面形成顶部介质阻挡层，再在低K介电材料和顶部介质阻挡层中刻蚀出沟槽，然后在沟槽中填充金属；进行第一次化学机械研磨工艺，使填充的金属顶部与沟槽顶部齐平，从而得到低K介电材料表面覆盖有介质阻挡层的互连层结构，作为待测半导体器件衬底；对低K介电材料表面覆盖有介质阻挡层的待测半导体器件衬底执行在线测试；在线测试中填充的金属顶部表面生成氧化物；进行第二次化学机械研磨工艺，去除填充的金属表面生成的氧化物和低K介质材料表面的顶部介质阻挡层。本发明确保在线测试后得到没有氧化膜的互连结构和无损伤的低K介电材料。
一种在线测试半导体器件衬底

[实用新型]超声低中频电导治疗仪-CN201320567485.3有效
发明人：潘峰 -专利权人：广州市艾生维医药科技有限公司
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： A61N7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及超声低中频电导治疗仪，其包括控制器、电源、显示屏、触摸屏、超声波控制电路、超声波发生器、低中频控制电路、低中频发生器和治疗头，电源、显示屏、触摸屏、超声波控制电路、低中频控制电路均与控制器电性连接，超声波控制电路通过超声波发生器与治疗头电性连接，低中频控制电路通过低中频发生器与治疗头电性连接。本实用新型将超声波治疗、中频电治疗、低频电治疗等多种功能叠加，集超声、电疗、热疗、灸疗、穴位治疗等作用于一体。
超声中频电导治疗

[发明专利]半导体装置中的结构形成-CN202210145052.2在审
发明人：郑光伟;倪其聪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体装置可以包含一或多个低介电常数(低κ)层，其在衬底上。所述半导体装置可以包含介电层，其在所述一或多个低κ层上。所述半导体装置可以包含结构，其穿过所述衬底、所述一或多个低κ层和所述介电层。所述半导体装置可以包含衬层，其在所述结构和所述衬底之间、在所述结构和所述一或多个低κ层之间以及在所述结构和所述介电层之间。所述半导体装置可以包含覆盖层，其在所述衬层和所述介电层之间以及所述衬层和所述一或多个低κ层之间。
半导体装置中的结构形成

[发明专利]一种基于反窃电技能培训的模拟系统-CN201510236571.X在审
发明人：张其祥;王立宗;郭小明 -专利权人：北京新源绿网节能科技有限公司
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： G09B23/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基于反窃电技能培训的模拟系统，包括：户外高供高计用户子系统、户外高供低计子用户系统、户内高供高计用户子系统、低供低计小动力用户子系统、低供低计居民用户子系统、箱式变电站子系统；上述各用户子系统均与对应的稽查设备及采集终端电连接和/或无线连接；所述各用户子系统均与对应的操作演示装置电连接和/或无线连接；所述各用户子系统均设置有窃电设备。本发明实施例模拟实际用电现场高供高计、高供低计、低压配电、公用配电和居民配电的典型用电方案，模拟各种窃电方式，配合用电用户的稽查设备、采集终端和对应操作演示装置，为稽查人员提供全面的窃电场景培训，提高稽查人员的反窃电技能
一种基于反窃电技能培训模拟系统

[发明专利]一种用于AOD炉的镁铬质不烧砖及制备方法-CN201911020710.X在审
发明人：李长江;张义先;尹斌;金钊;耿贺贺 -专利权人：海城利尔麦格西塔材料有限公司
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于AOD炉的镁铬质不烧砖及制备方法，一种用于AOD炉的镁铬质不烧砖，包括以下重量份数的原料：0＜粒度≤1mm的98大结晶镁砂5‑10份；0＜粒度≤1mm的低铁电熔镁铬20砂15‑20份；1mm＜粒度≤3mm的低铁电熔镁铬20砂25‑30份；3mm＜粒度≤5mm的低铁电熔镁铬20砂10‑15份；200目细粉的低铁电熔镁铬20砂10‑15份；325目细粉的低铁电熔镁铬36砂8‑10份；氧化铬绿优点是：用低铁电熔镁铬砂为主要原料制作不烧铬镁砖，使用效果远远超过目前使用的烧成镁铬砖、镁钙砖。
电熔镁铬低铁不烧砖镁铬质细粉大结晶镁砂氧化铬绿重量份数超微粉铬镁砖结合剂镁钙砖镁铬砖铬矿烧成制备制作

[发明专利]液晶高分子基板及其制备方法-CN202110658009.1在审
发明人：周敏 -专利权人：江西省康利泰信息科技有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶高分子基板及其制备方法，该液晶高分子基板包括两层铜箔层以及设于两层铜箔层之间的中间芯层；中间芯层包括至少一层低介电胶层和至少两层LCP层，各低介电胶层贴合连接设于至少两层LCP层之间，位于外侧的低介电胶层与LCP层贴合连接，LCP层背离低介电胶层的表面与铜箔层贴合连接；每层LCP层的厚度为3‑50μm，每层低介电胶层的厚度为5‑125μm，每层铜箔层的厚度为1‑35μm。本发明通过将低介电胶层设置在至少两层LCP层之间构成中间芯层，再将铜箔层设置在LCP层上，使制备得到的液晶高分子基板于高频高速传输时不易造成讯号损失，有利于高频高速传输，且具有较高的接着强度和抗张强度。
液晶高分子及其制备方法

[实用新型]一种基于反窃电技能培训的模拟系统-CN201520300115.2有效
发明人：张其祥;王立宗;郭小明 -专利权人：北京新源绿网节能科技有限公司
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： G09B23/18 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种基于反窃电技能培训的模拟系统，包括：户外高供高计用户子系统、户外高供低计子用户系统、户内高供高计用户子系统、低供低计小动力用户子系统、低供低计居民用户子系统、箱式变电站子系统；上述各用户子系统均与对应的稽查设备及采集终端电连接和/或无线连接；所述各用户子系统均与对应的操作演示装置电连接和/或无线连接；所述各用户子系统均设置有窃电设备。本实用新型实施例模拟实际用电现场高供高计、高供低计、低压配电、公用配电和居民配电的典型用电方案，模拟各种窃电方式，配合用电用户的稽查设备、采集终端和对应操作演示装置，提高稽查人员的反窃电技能，为供电企业挽回电能及经济损失
一种基于反窃电技能培训模拟系统

[发明专利]一种终端低电报备方法及装置-CN201610049134.1在审
发明人：王帅 -专利权人：努比亚技术有限公司
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H04M1/725 文献下载
摘要：本发明涉及终端技术领域，尤其涉及一种终端低电报备方法及装置。本发明提出的一种终端低电报备方法包括：若终端电量降至预设电量值，则获取需要发送报备信息的联系人；向所述联系人发送报备信息。本发明在终端低电关机前，向需要发送报备信息的联系人发送终端低电关机的报备信息，避免终端低电关机后联系人联络不到终端用户而担心着急。
一种终端报备方法装置

[发明专利]一种低介电损耗的聚酰亚胺及其制备方法-CN202211508686.6在审
发明人：邹佳伟;郭海泉;杨正华;刘冉;傅轶;栾世方 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C08G73/10 文献下载
摘要：本发明提供了如式(Ⅰ)或如式(Ⅱ)所示的低介电损耗聚酰亚胺。本申请还提供了聚酰亚胺的制备方法，其由二胺和二酐通过化学亚胺化法制备而成。本申请提供的聚酰亚胺具有低介电常数、低介电损耗、低吸湿率、尺寸稳定性好和高粘结强度等优点。本发明的低介电损耗聚酰亚胺可满足于高频高速用通讯材料和柔性高频电路板基材等使用。
一种低介电损耗聚酰亚胺及其制备方法

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