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[发明专利]用于互连工艺中的半导体器件及其制造方法-CN200910196266.7有效
发明人：孙武;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-22 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于互连工艺中的半导体器件，所述半导体器件包括：前端器件层；在所述前端器件层上形成的超低k值介电层；在所述超低k值介电层上形成的低k值介电层，所述超低k值介电层的孔隙率大于所述低k值介电层；在所述低k值介电层形成的钝化层；在所述低k值介电层和所述钝化层中刻蚀形成的用于填充金属的沟槽。根据本发明的半导体器件既能保证低k值介电层带来的降低金属连线之间不利的相互作用或串扰，同时又可以实现介电层作为IMD层具有较高的强度，具有良好的VBD特性和均匀的薄层电阻特性。
用于互连工艺中的半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种电-气-热综合能源系统优化调度方法及系统-CN202011193603.X在审
发明人：崔杨;曾鹏;叶小晖;赵钰婷;付小标;仲悟之;唐耀华;郑惠萍;刘新元;程雪婷;薄利明 -专利权人：东北电力大学
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开一种电‑气‑热综合能源系统优化调度方法及系统，方法包括：基于阶梯式碳交易机制构建电‑气‑热低碳经济调度模型；基于电‑气‑热低碳经济调度模型构建低碳优化模型的目标函数和约束条件；对低碳优化模型进行求解，获得低碳优化参数，以使根据低碳优化参数对综合能源系统进行低碳调度，进而证明阶梯式碳交易机制对于低碳调度的合理性。
一种综合能源系统优化调度方法

[发明专利]一种海上风电系统综合低碳效益的敏感性因数分析方法-CN202211313233.8在审
发明人：陈腾生;梁永全;谢丽平;屠智辉;钟富春;王晓锋;陈炎标;覃贵翻;李箭;刘鹤峰;姜树伟;钟策;邓小南;史勤防 -专利权人：广东顺德电力设计院有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明涉及海上风电系统评估分析技术领域，具体是一种海上风电系统综合低碳效益的敏感性因数分析方法，结合扰动分析法，使海上风电系统综合低碳效益Cc‑e产生变化，通过Cc‑e变化幅度大小判断出海上风电系统综合低碳效益中的敏感性因数，具体包括以下步骤：S1.在一定的时间跨度上对低碳效益ctotal与经济效益etotal进行整合，形成海上风电系统综合低碳效益Cc‑e，S2.根据具体的海上风电系统的输入因数的实际数据，计算海上风电系统综合低碳效益Cc‑e；S3.设定一定波动量，逐一调整实际数据，根据调整后的数据分别计算海上风电系统综合低碳效益Cc‑e′；S4.比较Cc‑e和Cc‑e′，确定变化量大的输入因数为海上风电系统的敏感性因数，为快速提升海上风电系统的综合低碳效益指明方向
一种海上系统综合效益敏感性因数分析方法

[发明专利]一种低介电无卤树脂组合物及其低流动度半固化片-CN201810145035.2有效
发明人：竺孟晓;潘锦平;彭康;陈忠红;梁希亭;盛佳炯 -专利权人：浙江华正新材料股份有限公司;杭州华正新材料有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电无卤树脂组合物及其低流动度半固化片。该无卤低介电树脂组合物的组分及重量份如下：环氧树脂10‑80份，酚氧树脂5‑30份，阻燃剂10‑50份，固化剂5‑50份，固化促进剂0‑5份，填料10‑80份，增韧剂5‑30份，添加剂0‑80份。本发明的无卤低介电树脂组合物具有更好的浸润性以及充分低的介电常数和介电损耗正切，其制备得到的半固化片固化后耐热性能好，介电常数低，介电损耗因子低，阻燃性能优异，耐吸水性好，粘结性好。
一种低介电无卤树脂组合及其流动固化

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201310164714.1在审
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上沉积形成多孔低K材料层的步骤；选用三烷基羟基硅烷对所述多孔低K材料层进行固化处理的步骤。本发明中在沉积形成多孔的低K、超低K介电材料后或者执行完干法蚀刻、湿法清洗之后，通入三甲基羟基硅烷在紫外线（UV）光能照射下对所述超低K介电材料进行处理，其中所述超低K介电材料中的Si-O键和所述三甲基羟基硅烷（hydroxytrimethylsilane）中的羟基发生键合，填充了部分所述低K或者超低K介电材料中的空隙，使低K或者超低K介电材料的空隙减小，进而提高了所述低K或者超低K介电材料中的硬度以及机械加工强度，所述低K或者超低K介电材料的K值偏移（K-shift）性能提高了5-10%，具有非常显著的效果。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种判定一定区域内电网电能是否为低碳电的评定方法-CN202310554138.5在审
发明人：边疆;王森;艾邓鑫;王坤;赵越;张利;甘智勇;王旭东;杨晓静;鄂志君;赵帅;孙国通;薛泽海;周义刚 -专利权人：国网天津市电力公司电力科学研究院;国网天津市电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F17/10 文献下载
摘要：本发明属于低碳电评价领域，涉及一种判定一定区域内电网上网电能是否低碳电的方法，利用检测此区域内发电侧实时的发电量和碳排放量的关系以及外来输入电的电量和相应的电碳排放因子，确定此区域内电网电能的动态电碳排放因子，通过动态电碳排放因子与平均用电碳排放因子的比较，确定此区域内电网电能是否达到低碳电的标准。本发明通过使用动态的电碳排放因子，判定用电侧是否在用低碳电，可以很好地指导区域内用户调节其用电行为，合理的减少用电侧的碳排放总量。
一种判定一定区域内电网电能是否低碳电评定方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201310731501.2在审
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成蚀刻停止层和多孔低k介电层；在多孔低k介电层中形成铜金属互连结构；在铜金属互连结构的侧壁和底部沉积形成铜金属扩散阻挡层；对半导体衬底实施后处理过程，以修复受到损伤的多孔低k介电层，并提升多孔低k介电层的机械强度；在铜金属互连结构中填充铜金属互连层。根据本发明，在沉积形成铜金属扩散阻挡层之后，对半导体衬底实施后处理过程，可以修复形成铜金属互连结构时受到损伤的多孔低k介电层，提升多孔低k介电层的机械强度，避免器件性能的下降。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201310068026.5有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-04 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括在半导体衬底上依次形成低k介电层和第一低k介电硬掩膜层；在所述第一低k介电硬掩膜层上形成金属硬掩膜层；图案化所述金属硬掩膜层和所述第一低k介电硬掩膜层以形成开口；执行紫外光固化处理，以扩大所述第一低k介电硬掩膜层的开口尺寸；刻蚀处理所述低k介电层以形成沟槽结构；移除所述金属掩膜层；在所述沟槽结构中沉积形成铜金属层。
一种半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201110227901.0有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有铜扩散阻挡层；在所述铜扩散阻挡层上形成低k介电层；对所述低k介电层进行氧等离子体处理；去除所述低k介电层的受损表层；在所述低k介电层上形成硬掩膜层；对所述半导体衬底进行湿法清洗。根据本发明，利用化学机械研磨去除所述低k介电层在氧等离子体处理之后受损的表层，在后续的湿法清洗时，可以有效改善低k介电层与TEOS基体氧化物之间的底切现象，保证后续蚀刻得到的通孔形状满足设计要求。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件-CN03140819.2无效
发明人：成田雅贵;佐藤兴一;大岩德久 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-06-06 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成第1低介电系数绝缘膜，在上述第1低介电系数绝缘膜上形成光刻胶图形，用上述光刻胶图形，刻蚀上述第1低介电系数绝缘膜，在上述第1低介电系数绝缘膜上形成凹部，在除去了上述光刻胶图形后，向上述凹部内埋入导电膜，在埋入了上述导电膜后，在除去上述光刻胶图形时，除去在上述第1低介电系数绝缘膜的凹部的侧壁上形成的变质层，使得把归因于上述变质层的除去而产生的上述凹部侧壁的间隙填埋起来那样地形成第2低介电系数绝缘膜。
半导体器件制造方法

[发明专利]生产绝缘膜的涂料组合物、使用该涂料组合物制备绝缘膜的方法、由其得到的用于半导体器件的绝缘膜及含有该绝缘膜的半导体器件-CN200480000330.5有效
发明人：文明善;高敏镇;南惠映;姜晶元;崔笵圭;金秉鲁;姜贵权;金永得;朴相敃 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2004-03-31 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产绝缘膜的涂料组合物，一种使用该涂料组合物制备低电介绝缘膜的方法，由其得到的用于半导体器件的低电介绝缘膜和包括该绝缘膜的半导体器件，更具体地说，本发明涉及一种生产具有低电介常数绝缘膜而且能够生产优异机械强度(弹性)绝缘膜的涂料组合物，使用该涂料组合物制备低电介绝缘膜的方法，由其得到的用于半导体器件的低电介绝缘膜，和包括该绝缘膜的半导体器件。本发明的涂料组合物包括小分子量的有机硅氧烷树脂和水，可显著改进绝缘膜的低介电性和机械强度。
生产绝缘涂料组合使用制备方法得到用于半导体器件含有

[发明专利]将不渗透膜沉积到多孔低介电常数介电膜上的方法-CN200480008562.5无效
发明人：张志宏;泰·D·古延;图·古延 -专利权人：泰格尔公司
申请日： 2004-02-04 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：一种用于改善互连结构中不渗透膜在器件例如多孔低－k介电膜上的粘合的方法。该方法在沉积不渗透膜之前，提供了一种原位退火步骤，以释放多孔低－k介电膜中的挥发性捕集的或吸附的分子，例如水、醇、HCl、HF蒸汽。该方法还提供了在沉积多孔低介电膜后，在不使该多孔低介电暴露于含有可捕集的分子的气氛下不渗透膜的原位沉积。该方法进一步提供了在去除一部分多孔低－k介电膜后，在不使该多孔低介电暴露于含有可捕集的分子的气氛下的不渗透膜的原位沉积。
将不渗透沉积多孔介电常数介电膜上方法

[发明专利]封装件及其形成方法-CN202210091693.4在审
发明人：余振华;蔡仲豪;王垂堂;陈颉彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：器件管芯包括：第一半导体衬底；有源器件，位于第一半导体衬底的表面处；多个低k介电层；第一介电层，位于多个低k介电层中的顶部低k介电层上方并且与多个低k介电层中的顶部低k介电层接触；和第一多个接合焊盘，位于第一介电层中电容器管芯包括：第二介电层，接合至第一介电层；第二多个接合焊盘，位于第二介电层中并且接合至第一多个接合焊盘；和电容器，电耦接至第二多个接合焊盘。在将电容器管芯接合至器件管芯之后，在电容器管芯上方形成含铝焊盘，含铝焊盘电耦接至器件管芯。在含铝焊盘上方形成聚合物层。
封装及其形成方法

[发明专利]一种用于风电安装平台的打桩装置-CN202211378228.5在审
发明人：蔡肇斌;王鹏;贺力;王怀刚;付为新;魏大伟;冯伟 -专利权人：三峡物资招标管理有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： E02D7/06 文献下载
摘要：一种用于风电安装平台的打桩装置，包括桩架、风电安装平台；所述桩架包括高桩外壳，高桩外壳侧壁设有高桩阀门，高桩阀门对高桩外壳侧壁开口启闭；高桩外壳下方连通有至少一根中间管道，中间管道与低桩外壳连通，低桩外壳内设有低桩阀门，低桩阀门使低桩外壳上下段断开或连通；低桩外壳底端设有弹性件，弹性件对桩基础预夹紧；所述风电安装平台包括风电安装平台主船体，风电安装平台主船体上安装有风电安装平台吊架，风电安装平台吊架的吊具与活塞连接或放开本发明提供的一种用于风电安装平台的打桩装置，可一次性完成打桩作业，提高效率。
一种用于安装平台打桩装置

[发明专利]低轨微纳卫星及适用于脉冲微弧电推力器的在轨安装方法-CN201711195015.8在审
发明人：苗建旺;孔飞飞;蔡承志;谷振宇 -专利权人：北京千乘探索科技有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： B64G1/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种低轨微纳卫星及适用于脉冲微弧电推力器的在轨安装方法，所述低轨微纳卫星包括脉冲微弧电推力器、太阳帆板、星敏感器和太阳敏感器；所述星敏感器和太阳敏感器，分别用于测量星图和太阳，获得低轨微纳卫星的姿态信息；所述太阳帆板，用于获取太阳能，为低轨微纳卫星在轨工作提供能源；所述脉冲微弧电推力器，用于低轨微纳卫星的姿态调整。本发明提供的低轨微纳卫星，采用脉冲微弧电推力器，能够较为方便地实现低轨微纳卫星的姿态调整。此外，本发明提供的所述适用于脉冲微弧电推力器的在轨安装方法，结合姿轨控系统工作情况，能够获得脉冲微弧电推力器的在轨标定值。
低轨微纳卫星适用于脉冲微弧电推力安装方法