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[发明专利]形成多层低介电常数双镶嵌连线的制程-CN02146354.9无效
发明人：涂瑞能 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-10-24 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成多层低介电常数双镶嵌连线的制程，包括沉积具有第一低介电常数的第一介电层于基底上，蚀刻第一介电层，以形成许多双镶嵌通孔穿过第一介电层到达基底，于每个双镶嵌通孔内形成被阻隔层包覆的铜导体塞，回蚀刻第一介电层，以形成许多沟渠介于许多双镶嵌通孔之间，以及旋涂具有小于第一低介电常数的第二低介电常数的第二介电层于许多沟渠内。
形成多层介电常数镶嵌连线

[发明专利]区域间电力调度的控制方法、控制装置及控制系统-CN201410389399.7在审
发明人：刘敦楠;赵岩;李磊;徐玉杰;胡宇;吉立航 -专利权人：华北电力大学;国网上海市电力公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H02J3/46 文献下载
摘要：本发明提供一种区域间电力调度的控制方法、控制装置及控制系统，其中方法包括：计算本区域交换功率值，并根据本区域交换功率值判断是否需要外购电或者外送电；如果需要进行外购电，则获取其他区域的购电电价信息以及低碳化成本信息，并根据购电电价信息和低碳化成本信息计算向其他区域购电的实际购电成本值；将实际购电成本值与本地上网电价值进行比较，根据比较结果确定外购电目标区域；如果需要进行外送电，则获取本地上网电价信息以及低碳化成本信息，并根据本地上网电价信息和低碳化成本信息计算向其他区域售电的实际售电成本值；将实际售电成本值与实际售电电价值进行比较，根据比较结果确定外送电目标区域，该方法有利于提高环保效益。
区域电力调度控制方法装置控制系统

[发明专利]一种远程反窃电检查方法及装置-CN202111237507.5在审
发明人：吴裕宙;翁校新;冯亮新;刘锦宁 -专利权人：广东电网有限责任公司东莞供电局
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G08B13/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种远程反窃电检查方法及装置，包括以下步骤：步骤S1、绘制出基础窃电画像和目标地窃电画像；步骤S2、确定反窃电高危检查区域、反窃电低危检查区域；步骤S3、基于电量计量的结果判定窃电行为发生与否，以及在确定窃电行为发生后进行同步报警及断电处理避免窃电损失。本发明确定目标地大概率发生窃电行为的高危区域以及目标地中小概率发生窃电行为的低危区域，整体上只需在高危区域和低危区域上安装计量MCU就可以实现对目标地可能发生窃电行为的区域进行监测，大大减小防窃电装置成本，而且只需要处理高危区域和低危区域上安装计量MCU上的电量数据，运算压力小，提高防窃电效率和精度。
一种远程反窃电检查方法装置

[发明专利]一种电力设备绝缘性能远程监控装置-CN201810759918.2在审
发明人：唐琪;吴焯军 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司佛山供电局
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种电力设备绝缘性能远程监控装置，包括第一电流互感器、第二电流互感器、第一低通滤波电路、第二低通滤波电路、模数转换模块、第一微处理芯片和第二微处理芯片，第一电流互感器与第一低通滤波电路电连接；第一低通滤波电路与模数转换模块电连接；第二电流互感器与第二低通滤波电路电连接；第二低通滤波电路与模数转换模块电连接；模数转换模块与第一微处理芯片电连接；第一微处理芯片与第二微处理芯片电连接。
低通滤波电路电连接微处理芯片模数转换模块电流互感器电力设备容性绝缘性能分析母线电压信号远程监控装置电流信号绝缘性能引下线末屏采集

[发明专利]一种智能手表低电禁用的方法、装置、介质及设备-CN202111317502.3在审
发明人：黄其林 -专利权人：上海探寻信息技术有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G04G19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能手表低电禁用的方法、装置、介质及设备，该智能手表低电禁用的方法，包括，获取移动终端剩余电量及用户当前第一位置数据；获取历史电量消耗数据并计算移动终端剩余电量的第一使用时长；根据历史数据计算用户从当前第一位置到安全区域位置所需耗费的第二使用时长；于第一使用时长小于第二使用时长状态下进入低电禁用模式，和/或于第一使用时长大于第二使用时长状态下退出低电禁用模式；于进入低电禁用模式的状态下开启太阳能充电模块。该智能手表低电禁用的方法，能有效防止儿童过度使用手表导致电量耗尽家长无法及时联系的问题。
一种智能手表禁用方法装置介质设备

[发明专利]一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法-CN201811284929.6有效
发明人：郭佳衢;蔡文必 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法：1)在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料；2)在感光型低介电材料上覆盖一张遮光罩，所述遮光罩在对应异质结双极型晶体管底部电容区域和基极平台区域的位置设置开孔；3)对感光型低介电材料进行曝光显影，去除底部电容区域和基极平台区域上的感光型低介电材料；4)对曝光显影后的感光型低介电材料加热，使得感光型低介电材料的形貌趋势变缓；5)之后再通过显影蚀刻工艺，对电容区域和其它异质结双极型晶体管需做金属连线区域做开孔
一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂方法

[发明专利]BSI图像传感器芯片中的焊盘结构-CN201110353065.0有效
发明人：林政贤;杨敦年;刘人诚;王文德;蔡双吉;林月秋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：低k介电层被设置在半导体衬底下方。第一非低k介电层位于低k介电层下方。金属焊盘位于第一非低k介电层下方。第二非低k介电层位于金属焊盘下方。开口从半导体衬底的顶面向下延伸，从而穿透半导体衬底、介电焊盘、以及低k介电层，其中，开口位于金属焊盘的顶面上方。钝化层的一部分位于开口的侧壁上，其中，位于开口的底部的钝化层的一部分被去除。
bsi 图像传感器芯片中的盘结

[发明专利]一种用于LFT-D工艺的高流动阻燃PP基料，及低介电低应力无卤阻燃聚丙烯复合材料-CN202010003558.0有效
发明人：涂永鑫;刘雪婷;孙少文;陈景威;费晨洪;王绍杰 -专利权人：万华化学（宁波）有限公司;万华化学集团股份有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：工艺生产的高流动无卤阻燃PP基料，其主要原料包括：聚丙烯、无卤阻燃剂、阻燃协效剂、抗氧剂、耐候助剂、润滑剂和相容剂，所述阻燃协效剂包括负载型磷钨酸粉末和改性水滑石；将无卤阻燃PP基料，通过LFT‑D工艺，引入低介电玻璃纤维，制得低介电低应力无卤阻燃聚丙烯复合材料。本发明制备高流动无卤阻燃基料，结合LFT‑D工艺，将低介电基料与低介电玻纤结合起来，相比传统的GMT和PP‑LGF工艺，达到优异性能的同时，实现高阻燃和低介电性能，DK(介电常数)为2.8(2.5GHz)以下，介电损耗(Df)＜3*10‑3(2.5GHz)，未来在5G时代具有广阔的发展前景。
一种用于 lft 工艺流动阻燃 pp 基料低介电低应力聚丙烯复合材料

[发明专利]具低介电损耗的无卤素印刷电路板材料组成与制造方法-CN200810147424.5无效
发明人：陈宪德;郑名峯 -专利权人：台耀科技股份有限公司
申请日： 2008-08-15 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具低介电损耗的无卤素印刷电路板材料组成与制造方法，应用于印刷电路板基板材料制造环境中，本发明的具低介电损耗的无卤素印刷电路板材料组成主要包含具含磷的酚醛树脂为交联剂，除可使印刷电路板基板材料能通过UL 94V-0的阻燃性测试外，并使磷能与材料结合成为材料结构物而不致有析出的疑虑，而且，能搭配具低介电损耗特性的树脂以及无机粉体藉以降低材料的介电常数及介电损耗。本发明的具低介电损耗的无卤素印刷电路板材料组成，具有低介电损耗特性、耐热性、低膨胀性，同时又可通过无铅焊锡的要求而能符合市场、环保要求。
具低介电损耗卤素印刷电路板材料组成制造方法

[实用新型]一种电力设备绝缘性能远程监控装置-CN201821097069.0有效
发明人：唐琪;吴焯军 -专利权人：广东电网有限责任公司;广东电网有限责任公司佛山供电局
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电力设备绝缘性能远程监控装置，包括第一电流互感器、第二电流互感器、第一低通滤波电路、第二低通滤波电路、模数转换模块、第一微处理芯片和第二微处理芯片，第一电流互感器与第一低通滤波电路电连接；第一低通滤波电路与模数转换模块电连接；第二电流互感器与第二低通滤波电路电连接；第二低通滤波电路与模数转换模块电连接；模数转换模块与第一微处理芯片电连接；第一微处理芯片与第二微处理芯片电连接。
低通滤波电路电连接微处理芯片模数转换模块电流互感器电力设备远程监控装置本实用新型绝缘性能容性绝缘性能分析母线电压信号电流信号引下线末屏采集

[实用新型]一种包含低介电损耗层的复合吸波结构-CN201921391025.3有效
发明人：刘欣;潘磊明 -专利权人：苏州鑫澈电子有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种包含低介电损耗层的复合吸波结构，包括吸波材料层、低介电损耗层，所述吸波材料层一侧贴合有双面胶层，所述双面胶层另一侧与低介电损耗层贴合在一起，所述低介电损耗层的另一侧贴合双面胶层，所述双面胶层外侧贴合一层离型膜通过设置不同厚度的低介电损耗层可以调整吸波材料层与电磁干扰源之间的间距，使其对电磁干扰辐射的吸收和衰减达到最佳效果。此外，当低介电损耗层介于高频高速集成电路与吸波材料层之间时，可使吸波材料层对电路阻抗和信号传输的影响降至很低，同时还可以提供额外的绝缘保护。
一种包含低介电损耗复合结构

[发明专利]一种低介电纳米注塑材料-CN202010841319.2在审
发明人：迟胜南;何杰;曹建伟;马旭辉 -专利权人：东莞市奥能工程塑料有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电纳米注塑材料，包括以下重量份数的原料：聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、低介电增强体、增韧剂、成核剂、分散剂、相容剂、抗氧剂、炭黑。本发明低介电PBT材料，通过使用低介电增强体降低了增强体对体系介电常数的影响。通过添加高酸值炭黑，减少了普通炭黑对介电常数的影响。本发明低介电纳米注塑材料制备方法，与金属粘合力强，高拉拔力，低介电强度和损耗，操作简单，成本低廉，适合于工业化生产，可以满足5G终端及基站对低介电材料的性能要求。
一种低介电纳米注塑材料

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110744902.6在审
发明人：吕俊颉;赵子昂;郑兆钦;李连忠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：半导体器件包括：半导体衬底；低k介电层，位于半导体衬底上方；隔离层，位于低k介电层上方；以及功函层，位于蚀刻停止层上方。功函层是n型功函层。器件还包括：低维半导体层，位于功函层的顶面和侧壁上；源极/漏极接触件，接触低维半导体层的相对端部；以及介电掺杂层，位于低维半导体层的沟道部分上方并且接触低维半导体层的沟道部分。介电掺杂层包括选自铝和铪的金属，并且低维半导体层的沟道部分还包括金属。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]省电的处理方法及终端-CN201611082636.0在审
发明人：柏凤佳 -专利权人：努比亚技术有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H04W52/02 文献下载
摘要：本文公布一种省电的处理方法及终端，包括检测电池的当前电量；在所述电池的当前电量不高于预定的低电提醒值时，响应于指定的用户操作生成用于触发低电模式的第一事件；响应于所述第一事件，调整当前工作模式至预置低电模式本文能够在移动终端的电量较低时基于用户的操作将移动终端调整到低电模式，以减少电量消耗，延长移动终端的待机时长。
处理方法终端

[发明专利]金属互连结构及其制造方法-CN202011303666.6在审
发明人：田范焕;梁时元;高建峰;刘卫兵;张月;白国斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种金属互连结构及其制造方法，包括：半导体衬底；低K介电质层，形成在所述半导体衬底上；金属互连层，形成在所述低K介电质层内；其中，所述金属互连层与所述低K介电质层的邻接处形成有侧墙在对铜互连层进行平坦化处理时，氮化硅侧墙可以防止平坦化处理对低K介电质层造成的损坏。
金属互连结构及其制造方法