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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]带有介电层组的半导体元件-CN201010519976.1在审
发明人： W·沃纳 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：半导体元件具有半导体区域、与该半导体区域相邻的第一导电层、带有第一介电特性的第一介电层和带有第二介电特性的第二介电层。这时，该第一介电特性不同于第二介电特性。第一介电层和第二介电层安排在该半导体区域和该第一导电层之间。第二导电层设置在第一介电层和第二介电层之间。在该第一导电层和半导体区域10之间连接分压器。该第二导电层只与这个分压器电连接。
带有介电层组半导体元件

[发明专利]于低介电系数介电层上形成孔洞的方法-CN200710106933.9有效
发明人：蔡嘉祥;谢志宏;徐祖望;陈德芳;林家慧;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明是关于一种利用多晶硅罩幕，而非习知技术所使用的金属硬罩幕，在一低介电系数介电层上形成一孔洞的方法。一多晶硅硬罩幕被形成于一低介电系数介电层之上，以及一光阻层被形成于此多晶硅硬罩幕层之上。使用一气体电浆图刻光阻层并蚀刻多晶硅硬罩幕以制造低介电系数介电层的暴露部分。在蚀刻低介电系数介电层之前会先将光阻层移除，以免破坏低介电系数介电层。
低介电系数介电层上形成孔洞方法

[发明专利]具有第一介电部分和第二介电部分的介质谐振器天线-CN201980008428.1在审
发明人：克里斯季·潘采;詹尼·塔拉斯基;罗申·罗斯·乔治 -专利权人：罗杰斯公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：一种电磁器件，包括介电结构，该介电结构具有：第一介电部分FDP，其具有近端和远端，FDP具有除空气外的介电材料；以及第二介电部分SDP，其具有近端和远端，SDP的近端被设置成接近FDP的远端，SDP具有除空气外的介电材料；并且其中，FDP的介电材料的平均介电常数大于所述SDP的介电材料的平均介电常数。
具有一介部分第二介质谐振器天线

[发明专利]集成芯片及形成晶体管装置的方法-CN202011439824.0在审
发明人：刘铭棋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种包括栅极介电层、栅极电极、场板介电层及场板的集成芯片。栅极介电层配置在衬底之上及源极区与漏极区之间。栅极电极配置在栅极介电层之上。场板介电层配置在衬底之上及栅极介电层与漏极区之间。场板配置在场板介电层之上且与栅极介电层间隔开。
集成芯片形成晶体管装置方法

[发明专利]记忆体元件-CN201911347370.1在审
发明人：吴昭谊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种记忆体元件，包含介电层、下电极、内金属介电层、相变化元件和上电极。下电极位于介电层内。内金属介电层位于介电层上方。相变化元件位于内金属介电层中。上电极位于相变化元件上方，上电极至少透过一气隙与介电层分离，其中气隙不具有内金属介电层和相变化元件的材料。
记忆体元件

[发明专利]内连线结构-CN202010959996.4在审
发明人：杨士亿;李明翰;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：一种例示性的内连线结构，包括：第一接触部件，于第一介电层中；第二介电层，于第一介电层上方；第三介电层，于第二介电层上方；第二接触部件，延伸穿过第二介电层及第三介电层；及石墨烯层，于第二接触部件及第三介电层之间
连线结构

[发明专利]复合式驻极体-CN201010525869.X无效
发明人：施希弦;高哲一;吴建宗;陈柏村 -专利权人：奇菱科技股份有限公司
申请日： 2010-10-21 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01G7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合式驻极体，包含有至少一个第一介电层以及至少一个第二介电层，其中第一介电层与第二介电层为相互交错堆栈，第一介电层具有高分子，第二介电层具有高分子，且第一介电层的高分子与第二介电层的高分子不相同
复合式驻极体

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202110339425.5在审
发明人：林育祈 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置及其形成方法，所述半导体装置包括：衬底、栅极、源极/漏极区、第一介电层、蚀刻停止层、第二介电层、附加介电层、导电接触件以及位线。栅极位于衬底上。第一介电层位于栅极上方。蚀刻停止层位于第一介电层上。第二介电层位于蚀刻停止层上。附加介电层位于第二介电层及蚀刻停止层中。导电接触件穿过第一介电层且电性连接至源极/漏极区。位线穿过第二介电层、蚀刻停止层以及附加介电层，且与导电接触件电性连接。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]相变化存储装置及其制造方法-CN200710104503.3无效
发明人：陈达;卓言;许宏辉;叶吉田;蔡铭进 -专利权人：财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
申请日： 2007-05-25 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种相变化存储装置及其制造方法，该相变化存储装置包括：第一电极，设置于第一介电层内；第二介电层，设置于该第一介电层与该第一电极之上；相变化材料层，设置于该第二介电层内并电连接该第一电极；第三介电层，设置于该第二介电层之上；第二电极，设置于该第三介电层内并电连接该相变化材料层；以及至少一空室(gap)，设置于该第一介电层与该第二介电层之内，以至少隔离部分的该相变化材料层与其邻近的该第一介电层或该第二介电层
相变存储装置及其制造方法

[发明专利]半导体结构与其制备方法-CN202110437630.5在审
发明人：施信益 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体结构以及该半导体结构的制备方法，该半导体结构具有一有机介电层，该有机介电层设置在一接合垫下，并经配置以释放应力。该半导体结构具有一基底、一第一介电层、一第二介电层、一导电通孔、一第三介电层以及一接合垫；该基底具有一第一表面以及一第二表面，该第二表面相对该第一表面设置；该第一介电层设置在该基底的该第一表面上；该第二介电层设置在该基底的该第二表面上；该导电通孔延伸经过该基底，并部分经过该第一介电层与该第二介电层；该第三介电层设置在该第二介电层内，并围绕该导电通孔的一部分；该接合垫设置在该第三介电层与该导电通孔上；其中该第三介电层的一介电常数大致不同于该第二介电层的一介电常数
半导体结构与其制备方法

[发明专利]电容器元件及其制造方法-CN200810003421.4有效
发明人：吴仕先;赖信助;李明林;刘淑芬 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-01-11 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：该至少一电容性器件可包含：一对彼此对置的第一导电层；至少一第一介电层，其可形成于该第一导电层中的至少一者的一表面上；以及一第二介电层，其可夹于该第一导电层之间。该第一介电层可具有一第一介电常数，且该第二介电层可具有一第二介电常数。该电容器元件的该电容可视该第一介电层以及该第二介电层的介电参数而定。该介电参数可包含该至少一第一介电层的该第一介电常数及厚度，以及该第二介电层的该第二介电常数及厚度。本发明有效规避了两金属间透过薄介电层而发生短路的危险，或在该介电层中形成可能影响电容效应及特性的细微气泡或其它结构上的缺陷的危险。
电容器元件及其制造方法

[发明专利]闪存装置及其制造方法-CN201910548030.9在审
发明人：杨政达;蒋汝平 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存装置及其制造方法，该闪存装置包括基板、第一介电层、第二介电层、第三介电层、第一多晶硅层及第二多晶硅层。第一介电层形成于位于周边区的第一区的基板上。第二介电层形成于位于周边区的第二区的基板上。第三介电层形成于位于阵列区的基板上。第三介电层的底表面低于第二介电层的底表面。第一多晶硅层形成于第一介电层及第二介电层上。第二多晶硅层形成于第三介电层上。
闪存装置及其制造方法

[发明专利]一种应用于天线振子的低介电改性PPS及其制备方法-CN202211114367.7在审
发明人：邢霞;邓鑫星;刘止林;冉祥鑫;张家豪 -专利权人：山东产研明泉新材料研究院有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C08L81/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于天线振子的低介电改性PPS，包括以下组分：PPS树脂、低介电玻璃纤维、偶联剂、低介电填充料、低介电增韧剂、低介电润滑剂以及抗老化剂。本发明采用上述结构的应用于天线振子的低介电改性PPS，由低介电玻璃纤维、低介电填充料、低介电增韧剂以及低介电润滑剂改性PPS树脂，不仅保留了PPS树脂的固有的耐高温、高尺寸稳定性、低吸水率、高阻燃性能，而且改性后的PPS树脂具有优异的低介电性能，从而更加适用于天线振子中。
一种应用于天线低介电改性 pps 及其制备方法

[发明专利]像素结构基板及应用其的液晶显示面板-CN201610122523.2有效
发明人：陈建宏;庄璧荥;王诠中;陈昱玮 -专利权人：群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：该像素结构基板包括：一基板、一第一介电层以及一第二介电层。基板上设有一数据线以及一像素电极。第一介电层覆盖于数据线上，第一介电层具有一第一厚度及一第一介电常数。第二介电层配置于基板上，第二介电层至少覆盖像素电极。第二介电层具有一第二厚度及一第二介电常数，其中第一厚度大于第二厚度，且满足第一介电常数/第一厚度<第二介电常数/第二厚度。
像素结构应用液晶显示面板

[发明专利]用于微波用途的电压可调谐分层介电材料-CN99813274.8无效
发明人：路易斯·森古塔;史蒂文·斯特沃尔;朱永飞;瑟纳斯·森古塔;鲁纳·H·丘;张虚白 -专利权人：帕拉泰克微波公司
申请日： 1999-10-15 - 公布日： 2001-12-12 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：一种可调谐介电结构,包括一个第一介电材料层一个第二介电材料层,相邻第一介电材料层定位,第二介电材料层具有比第一介电材料层的介电常数小的介电常数;及诸电极,用来跨过第一介电材料施加一个可控制电压的,由此控制第一介电材料的介电常数,其中至少一个电极定位在第一与第二介电材料层之间。介电材料能以各种形状形成,并且彼此相对以各种方位装配。该可调谐介电结构用在各种器件中,包括同轴电缆、空腔天线、微波传输带线、共面线、及波导管。
用于微波用途电压调谐分层材料

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