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[发明专利]三维存储器件的混和键合触点结构-CN201880005434.7有效
发明人：吕震宇;S·S-N·杨;潘锋;S·W·杨;陈俊;吴关平;施文广;程卫华 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：公开了3D存储器件的贯穿阵列触点结构及其制造方法的实施例。存储器件包括设置于第一衬底上的交替堆叠层。交替堆叠层包括第一区域与第二区域，所述第一区域包括介电质交替堆叠，所述第二区域包括导体/介电质交替堆叠。存储器件还包括：垂直延伸穿过交替堆叠层以将第一区域与第二区域横向分离的阻隔结构；位于第一区域中的多个贯穿阵列触点，每个贯穿阵列触点垂直延伸穿过介电质交替堆叠；与贯穿阵列触点相接触的阵列互连层；在第二衬底上形成的外围电路以及在外围电路上形成的外围连接层阵列互连层键合到外围互连层上，使得外围电路与至少一个贯穿阵列触点电连接。
三维存储器件混和触点结构

[发明专利]三维存储器件的混和键合触点结构-CN202010221823.2有效
发明人：吕震宇;S·S·N·杨;潘锋;S·W·杨;陈俊;吴关平;施文广;程卫华 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：公开了3D存储器件的贯穿阵列触点结构及其制造方法的实施例。存储器件包括设置于第一衬底上的交替堆叠层。交替堆叠层包括第一区域与第二区域，所述第一区域包括介电质交替堆叠，所述第二区域包括导体/介电质交替堆叠。存储器件还包括：垂直延伸穿过交替堆叠层以将第一区域与第二区域横向分离的阻隔结构；位于第一区域中的多个贯穿阵列触点，每个贯穿阵列触点垂直延伸穿过介电质交替堆叠；与贯穿阵列触点相接触的阵列互连层；在第二衬底上形成的外围电路以及在外围电路上形成的外围连接层阵列互连层键合到外围互连层上，使得外围电路与至少一个贯穿阵列触点电连接。
三维存储器件混和触点结构

[发明专利]识别信号检测方法及设备-CN201310284178.9有效
发明人：曹国基;谢翔 -专利权人：曹国基
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： G07C9/00 文献下载
摘要：一种识别信号检测方法，包括控制器、与控制器信号连接的触摸按键阵列及能够发射无线信号的天线阵列；触摸按键阵列和天线阵列叠合在同一信号操作区域并交替检测各自操作信号。一种识别信号检测设备，包括控制器、与控制器信号连接的触摸按键阵列及能够发射无线信号的天线阵列；触摸按键阵列和天线阵列叠合在同一信号操作区域，控制器包括有能够控制触摸按键阵列和天线阵列交替检测的各自操作信号的时序控制器由于触摸按键阵列和天线阵列叠合在同一信号操作区域，大大缩小了电路板占用的空间平面面积，从而为设置其它功能性部件提供便利；其次触摸按键阵列和天线阵列交替工作，它们工作时的信号相互之间不会形成相互干扰，又能节省耗电量
识别信号检测方法设备

[发明专利]一种最小单元间距约束的不等间距线性阵列天线综合方法-CN202211107605.1在审
发明人：倪永华;董建明;杜梦杰;于晓磊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种最小单元间距约束的不等间距线性阵列天线综合方法，属于阵列天线技术领域。本发明采用交替凸优化的方式来综合具有最小元素间距约束的不等间距线性阵列天线，从而将不等间距数组的合成问题表述为一系列交替凸优化问题，交替选择激励向量和辅助权向量作为优化变量。本发明在交替优化过程中可以很容易地施加考虑物理元件天线尺寸的最小间距约束，使得最小元件间距是可控的，并且在合成结果中防止了电学上小的元件间距的存在。
一种最小单元间距约束不等线性阵列天线综合方法

[发明专利]三维存储器件的贯穿阵列触点结构-CN201880005520.8有效
发明人：吕震宇;施文广;吴关平;万先进;陈保友 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：公开了3D存储器件的贯穿阵列触点结构以及其制作方法的实施例。3D NAND存储器件包括具有外围电路的衬底，以及设置在衬底上的交替层堆叠。交替层堆叠包括具有交替介电质堆叠的第一区域，具有交替导体/介电质堆叠的第二区域，以及具有在交替导体/介电质堆叠的边缘上的阶梯结构的第三区域。存储器件还包括垂直延伸贯穿交替层堆叠的阻隔结构，以将第一区域与第二区域或第三区域横向地隔开；均垂直延伸贯穿交替导体/介电质堆叠的多个沟道结构和多个狭缝结构；以及在第一区域中的均垂直延伸贯穿交替介电质堆叠的多个贯穿阵列触点结构至少一个贯穿阵列触点与外围电路电连接。
三维存储器件贯穿阵列触点结构

[实用新型]一种白米拉面挤出模具-CN202121235706.8有效
发明人：王作金;龙荣;雷鑫 -专利权人：大连弘润莲花食品有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： A23P30/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种白米拉面挤出模具，包括：挤出模具基板和挤出结构，所述挤出模具基板呈圆形板状结构；所述挤出结构设置在所述挤出模具基板的中心处，所述挤出结构包括第一挤出阵列和第二挤出阵列，所述第一挤出阵列和所述第二挤出阵列交替排布，本实用新型主要利用设置交替排布的第一挤出阵列和第二挤出阵列，从而起到在白米拉面挤出时面饼内部有足够大的冷却空间。
一种白米拉面挤出模具

[发明专利]三维存储器器件及其制造方法-CN201980001649.6有效
发明人：陈亮;薛磊;刘威;黄诗琪 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：所述方法包括形成包括外围区域以及阶梯和阵列区域的阵列晶圆。形成阵列晶圆的过程包括：在所述外围区域中的第一衬底上形成交替电介质蚀刻停止结构；在所述阶梯和阵列区域中的第一衬底上形成阵列器件；以及在所述外围区域中形成与所述交替电介质蚀刻停止结构相接触的至少一个第一垂直贯穿触点所述方法还包括形成CMOS晶圆，并且将阵列晶圆和CMOS晶圆键合。所述方法还包括形成穿透第一衬底和交替电介质蚀刻停止结构并且与至少一个第一垂直贯穿触点相接触的至少一个贯穿衬底触点。
三维存储器器件及其制造方法

[发明专利]在处理阵列级部件承载件期间使阵列和分隔件本体堆叠-CN201911325379.2有效
发明人：阿明·尼克霍尔;吴昱辉;伊斯马迪·宾·伊斯梅尔 -专利权人：奥特斯科技（重庆）有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H05K3/22 文献下载
摘要：一种对部件承载件(100)进行处理的方法，其中，该方法包括：提供多个阵列(104)，每个阵列均包括多个部件承载件(100)；提供多个分隔件本体(106)；形成阵列(104)与分隔件本体(106)的交替堆叠体(108)，使得每对相邻的堆叠阵列(104)由相应的分隔件本体(106)间隔开；以及使用堆叠体(108)执行至少一个处理，特别是至少一个后端处理。还提供了由多个阵列与分隔件片材形成的交替堆叠体，以及使用分隔件片材使阵列在对阵列的处理期间间隔开的方法。
处理阵列部件承载间使分隔本体堆叠

[发明专利]用于三维存储器件的对齐漏极选择层级隔离结构及其制造方法-CN201880041632.9有效
发明人：张艳丽;M·堤尚广;S·亚达;S·长峰;J·阿尔斯梅尔 -专利权人：闪迪技术有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种三维存储器结构包括位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠，延伸穿过该交替堆叠的存储器堆叠结构的阵列，覆盖该交替堆叠并具有与存储器堆叠结构的阵列相同的周期性的漏极选择层级组件的阵列，横向围绕漏极选择层级组件的相应行的漏极选择栅电极该对纵向侧壁中的每一个包括平面侧壁部分和凸面侧壁部分的横向交替序列。
用于三维存储器件对齐选择层级隔离结构及其制造方法

[发明专利]包括低k漏极选择层级隔离结构的三维存储器器件及其形成方法-CN202180094244.9在审
发明人：张鹏;张艳丽;杨翔;松野光一;东谷政昭;J·阿尔斯迈耶 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠，该交替堆叠位于衬底上方；存储器开口填充结构的阵列，该存储器开口填充结构的阵列位于竖直延伸穿过该交替堆叠的存储器开口的阵列内；以及漏极选择层级隔离结构，该漏极选择层级隔离结构在两行存储器开口填充结构之间竖直延伸穿过漏极选择层级导电层
包括选择层级隔离结构三维存储器器件及其形成方法

[发明专利]交替永磁阵列式换能器封装装置-CN202210190736.4在审
发明人：李策;于明贺;王玉龙;汪开灿;王淑娟 -专利权人：零声科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： B06B1/08 文献下载
摘要：交替永磁阵列式换能器封装装置，涉及无损检测中电磁超声技术领域。针对磁致伸缩SH导波换能器在永磁交替放置时磁场相互排斥，难以稳定排列以形成统一阵列的问题，本发明提供了交替永磁阵列式换能器封装装置，装置包括：磁致伸缩带和换能器阵列；换能器阵列包括多个换能器单元和连接线，换能器单元包括磁致伸缩换能器，换能器单元并排排列并固定，且相邻的换能器单元中的永磁体磁极方向相反，连接线用于连接相邻的换能器单元；磁致伸缩带为采用磁致伸缩材料制作的长条形带状结构，设置在换能器阵列的中间位置，磁致伸缩带远离换能器阵列的一侧设置有粘附层。
交替永磁阵列式换能器封装装置

[实用新型]交替永磁阵列式换能器封装装置-CN202220431091.4有效
发明人：李策;于明贺;王玉龙;汪开灿;王淑娟 -专利权人：零声科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B06B1/08 文献下载
摘要：交替永磁阵列式换能器封装装置，涉及无损检测中电磁超声技术领域。针对磁致伸缩SH导波换能器在永磁交替放置时磁场相互排斥，难以稳定排列以形成统一阵列的问题，本发明提供了交替永磁阵列式换能器封装装置，装置包括：磁致伸缩带和换能器阵列；换能器阵列包括多个换能器单元和连接线，换能器单元包括磁致伸缩换能器，换能器单元并排排列并固定，且相邻的换能器单元中的永磁体磁极方向相反，连接线用于连接相邻的换能器单元；磁致伸缩带为采用磁致伸缩材料制作的长条形带状结构，设置在换能器阵列的中间位置，磁致伸缩带远离换能器阵列的一侧设置有粘附层。
交替永磁阵列式换能器封装装置

[发明专利]一种双调制交替极永磁游标电机及其应用-CN201811288504.2有效
发明人：曲荣海;周游;高玉婷 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H02K41/03 文献下载
摘要：本发明公开一种双调制交替极永磁游标电机及其应用，包括：初级铁心，电枢绕组设置于初级铁心的各开口槽中；其同一侧设置有充磁方向一致的初级永磁体；初级永磁体充磁方向与初级铁心运动方向平行，进而形成第一交替极永磁体励磁阵列次级铁心，其与初级铁心间隔平行设置，且位于初级铁心开槽一侧，两者可相对移动；次级铁心相对于初级铁心的表面开设有间隔布置的多个开口槽，其中设置有次级永磁体；次级永磁充磁方向与初级铁心运动方向垂直，进而形成第二交替极永磁体励磁阵列；第一与第二交替极永磁体励磁阵列充磁方向相匹配。本发明次级电机采用交替极永磁体阵列，较传统次级表贴式永磁直线电机，永磁体用量可大大降低，显著减少电机成本。
初级铁心充磁方向永磁体励磁永磁初级永磁体次级铁心开口槽双调制游标电机间隔平行设置永磁直线电机运动方向垂直次级永磁体永磁体用量永磁体阵列表面开设次级电机电机成本电枢绕组间隔布置相对移动表贴式开槽匹配应用平行

[实用新型]同视区高分辨率双视3D显示装置-CN201821292672.4有效
发明人：吴非 -专利权人：成都工业学院
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G02B27/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了同视区高分辨率双视3D显示装置，包括显示屏1、显示屏2、偏振针孔阵列1、偏振针孔阵列2、障壁阵列、偏振眼镜1、偏振眼镜2；复合微图像阵列1由图像元1、图像元2和针孔阵列3在水平和垂直方向上交替排列组成，复合微图像阵列2由图像元3、图像元4和针孔阵列4在水平和垂直方向上交替排列组成；可以在同一个视区内同时提供两个不同的完整的高分辨率3D图像。
针孔阵列图像元高分辨率微图像阵列交替排列偏振眼镜偏振视区显示屏复合本实用新型障壁

[发明专利]包括自对准漏极选择层级隔离结构的三维存储器器件及其制造方法-CN202280016054.X在审
发明人：藤村信行;清水悟;森山拓海 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10B41/10 文献下载
摘要：在衬底上方形成绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠。穿过该交替堆叠形成存储器开口填充结构的多个阵列。形成多个介电板，该多个介电板侧向地包围存储器开口填充结构的相应阵列。在存储器开口填充结构的阵列的相应相邻对之间形成穿过该介电板的相邻对之间的间隙进入位于该交替堆叠内的层的子组中的自对准漏极选择层级隔离结构。从该间隔物材料层的已划分子组中提供漏极侧选择栅极电极。
包括对准选择层级隔离结构三维存储器器件及其制造方法

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