“亚阈值摆幅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果562141个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种三栅FinFET电势和亚阈值摆幅的提取方法-CN201510220301.X有效
发明人：胡光喜;向平;刘冉;郑立荣 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-05-04 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种三栅FinFET电势和亚阈值摆幅的提取方法。本发明首先根据沟道电势分布的三维泊松方程，构筑合适的边界条件，建立沟道的电势分布的解析模型；然后根据三栅FinFET的电势分布，根据器件工作在亚阈值区的情况下，沟道表面电势、电场状况，建立亚阈值电流解析模型，并由此得到亚阈值摆幅的解析模型；然后根据获得的电势分布的解析模型和亚阈值摆幅的解析模型，快速、准确、方便地计算得到三栅FinFET电势和亚阈值摆幅。
一种 finfet 电势阈值提取方法

[发明专利]基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管及制备方法-CN201810290740.1有效
发明人：任天令;田禾;吴凡;王雪峰;杨轶 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管，包括：衬底、第一电极、第二电极、阻变层、二维薄膜、背栅控制信号装置及源漏信号输入装置。本发明实施例还提供了一种基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管的制备方法，用来制备所述基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管。本发明可以实现场效应晶体管的超陡亚阈值摆幅效果。
基于二维薄膜超陡亚阈值场效应晶体管制备方法

[发明专利]超陡亚阈值摆幅器件及其制备方法-CN202010975409.0有效
发明人：程为军;梁仁荣;许军;蒋春生 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提出了超陡亚阈值摆幅器件及其制备方法。该超陡亚阈值摆幅器件包括：衬底，包括阱区、源区、漏区和口袋区，其中，源区和漏区分别设置在阱区的一侧，口袋区设置在源区远离阱区并靠近漏区的一侧；绝缘介质层，覆盖源区和漏区；界面氧化层，覆盖口袋区和阱区；栅堆叠结构本发明所提出的超陡亚阈值摆幅器，具有关态电流小、开态电流大、驱动电压低、亚阈值摆幅在较宽的驱动电流范围内基本保持不变等优势。
超陡亚阈值器件及其制备方法

[发明专利]基于铁电纳米空隙的陡峭亚阈值摆幅双极型晶体管及制备方法-CN202210604495.3在审
发明人：游龙;关曜东;郭喆 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铁电纳米空隙的陡峭亚阈值摆幅双极型晶体管及制备方法，其中晶体管包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、导电薄膜层、铁电介质薄膜层和栅极，以及顶栅控制信号单元和源漏信号输入单元；顶栅控制信号单元一端与栅极连接，另一端与串联支路连接；源漏信号输入单元的两端分别与导电薄膜层的源极和漏极连接，形成串联支路；所述源漏信号输入单元，用于读取陡峭亚阈值摆幅双极型晶体管的电流；所述顶栅控制信号单元，用于输出电压产生垂直电场进而控制导电薄膜层中纳米空隙的开闭本发明提出的陡峭亚阈值摆幅双极型晶体管，具有接近为零的关断电流、大导通电流、陡峭的亚阈值摆幅、低功耗以及与传统CMOS工艺相兼容的优势。
基于纳米空隙陡峭阈值摆幅双极型晶体管制备方法

[发明专利]低亚阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管及其制造方法-CN201410745889.6有效
发明人：靳晓诗;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种低亚阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管，在集电结和发射结中引入低杂质浓度的耐压层结构提升器件的正向及反向耐压能力，利用隧穿绝缘层阻抗与隧穿绝缘层内电场强度之间极为敏感的相互关系，实现更低的亚阈值摆幅和更好的开关特性本发明还提出低亚阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管的具体制造方法。因此显著改善了纳米级集成电路单元的工作特性，适用于推广应用。
阈值摆幅高耐压绝缘栅隧穿晶体管及其制造方法

[发明专利]一种双栅结构MOSFET亚阈值摆幅解析模型-CN201110282660.X无效
发明人：丁智浩;胡光喜 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-09-22 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体为一种双栅结构MOSFET亚阈值摆幅解析模型。本发明根据双栅结构MOSFET的电势分布，求出在MOSFET表面电势最低点的电子浓度随栅压的变化情况，由此得出亚阈值摆幅的解析模型。
一种结构 mosfet 阈值解析模型

[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及其制作方法-CN201580083786.0有效
发明人：赵静;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：背离氧化物结构(20)一侧表面，栅极结构(50)位于外延层(40)背离源区(30)一侧表面，从而使得隧穿场效应晶体管的栅极电场方向与电子隧穿方向一致，源区价带的载流子隧穿到外延层导带的隧穿效率较高，可以产生陡直的亚阈值摆幅，进而使得隧穿场效应晶体管的亚阈值摆幅值低于60mV/dec，功耗较小。而且，本发明实施例中，外延层(40)全部位于栅极结构(50)与源区(30)之间，增加了外延层(40)与源区(30)之间的隧穿面积，进一步提高了隧穿场效应晶体管的亚阈值特性，降低了隧穿场效应晶体管的亚阈值摆幅值
一种场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]一种低亚阈值摆幅的氧化铟薄膜晶体管的制备方法-CN201810410340.X有效
发明人：李文武;杨佳燕;杨宇;殷文磊;胡志高;褚君浩 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种低亚阈值摆幅的氧化铟薄膜晶体管的制备方法，属于半导体薄膜晶体管制备技术领域。最后用热蒸发的方式，将铝电极蒸镀到氧化铟薄膜上，得到了具有低亚阈值摆幅的薄膜晶体管。本发明优化了现有的氧化铟薄膜晶体管制备技术，成本低廉，操作简便，材料环保，因采用高压汞灯进行光退火，使得氧化铟薄膜在100℃以下就能制备，且得到的薄膜晶体管亚阈值摆幅较低，工作性能优异。
一种阈值氧化薄膜晶体管制备方法

[发明专利]一种新型非对称双栅隧穿场效应晶体管-CN201610251263.9有效
发明人：王颖;曹菲;王艳福;于成浩 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明利用非对称栅极结构将隧穿器件陡峭的亚阈值摆幅和无结器件的较大开态电流优点相结合，当该新器件工作在亚阈值区时主要是无结器件工作，这样可以拥有更好的亚阈值特性，比如陡峭的亚阈值摆幅，而在开态时主要是无结器件工作
一种新型对称双栅隧穿场效应晶体管

[发明专利]一种低摆幅至高摆幅时钟信号转换电路-CN201910104748.9有效
发明人：夏韬;白睿;王心;陈学峰 -专利权人：光梓信息科技（上海）有限公司
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03K5/156 文献下载
摘要：本发明提供一种低摆幅至高摆幅时钟信号转换电路，包括偏压提供电路，用于提供偏置电压；轨到轨放大电路，连接于偏压提供电路，用于将低摆幅时钟信号进行轨到轨放大后产生高摆幅时钟信号以输出，同时根据偏置电压及反馈调节信号使其输出电压直流工作点的电位等于逻辑阈值电平；输出电路，连接于轨到轨放大电路，用于将其直流输出电平嵌位在所述逻辑阈值电平处，以自动将所述高摆幅时钟信号的占空比纠正为50％，实现满摆幅输出；反馈调节电路，连接于输出电路及轨到轨放大电路之间，用于根据所述输出电路的直流输入电平及直流输出电平通过本发明所述转换电路，满足了深亚微米CMOS工艺的要求。
一种低摆幅至高时钟信号转换电路

[发明专利]一种显示面板及电子设备-CN202211093792.2在审
发明人：陈鑫 -专利权人：厦门天马显示科技有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：IGZO类型的薄膜晶体管，即显示面板中像素电路由一种类型的薄膜晶体管构成，进而优化形成像素电路的膜层结构，减少工艺所需的Mask数量，降低制作成本；进一步地，该显示面板中的相同类型的薄膜晶体管具有不同的亚阈值摆幅值，可以将亚阈值摆幅值较大的薄膜晶体管作为像素电路的驱动晶体管，保证驱动晶体管的驱动能力；将亚阈值摆幅值较小的薄膜晶体管作为像素电路的开关晶体管，保证开关晶体管的开关性能；也就是说该显示面板的设计在不影响显示面板显示性能的情况下
一种显示面板电子设备

[发明专利]一种改善亚阈值摆幅的纵向隧穿场效应晶体管-CN201911011799.3有效
发明人：王向展;陈玉翔;刘洋;于奇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明解决了现有异质结TFET器件中，特别是采用SiGe窄禁带材料提高TFET开态电流时，由于锗硅材料与硅材料能带失配所导致的两个隧穿区先后发生隧穿，造成器件亚阈值特性变差的缺点，提供了一种改善亚阈值摆幅的纵向隧穿场效应晶体管，其技术方案可概括为：一种改善亚阈值摆幅的纵向隧穿场效应晶体管，包括源区、本征区、漏区、外延区、栅极及栅极侧墙，所述栅极包括栅氧化层及金属栅，所述外延区采用窄禁带材料，外延区的掺杂浓度在外延区内由与源区相接触界面向与栅氧化层相接触界面呈现由高到低的渐变本发明的有益效果是，改善亚阈值特性，适用于纵向隧穿场效应晶体管。
一种改善阈值纵向场效应晶体管

[发明专利]超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201710145102.6有效
发明人：黄如;赵阳;吴春蕾;黄芊芊 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明的隧穿场效应晶体管包括：衬底、源区内层、源区外层、栅叠层、漏区和沟道区内层和沟道区外层；本发明的超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管通过器件结构显著改善了器件转移特性，有效降低了器件的平均亚阈斜率，同时保持了陡直的最小亚阈斜率；本发明制备工艺简单，制备方法完全基于标准的CMOS IC工艺，能有效地在CMOS集成电路中集成TFET器件，还可以利用标准工艺制备由TFET组成的低功耗集成电路，极大地降低了生产成本
平均阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]场效应晶体管、低功耗CMOS集成芯片、电路及设备-CN202210533320.8有效
发明人：刘欢;玉虓;韩根全;刘艳;金成吉;陈佳佳 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：所述可移动离子在电场下的迁移会在界面处产生偶极子；所述偶极子在电场转向时发生反转，使得所述场效应晶体管具有负电容特性而能实现超陡峭亚阈值摆幅。本发明可以利用栅介质中可移动离子实现超陡峭亚阈值摆幅晶体管，这可用于低功耗CMOS集成芯片。
场效应晶体管功耗 cmos 集成芯片电路设备

[发明专利]提高沟道长度亚10nm石墨烯TFET性能的方法-CN202011084056.1有效
发明人：钱嘉楠;王晶;赵文生;胡月;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高沟道长度亚10nm石墨烯TFET性能的方法。如何缩短器件的尺寸是场效应晶体管研究的一个重要方向。本发明用应变石墨烯条带代替常规均匀石墨烯条带作导电材料，利用应变石墨烯条带高开关特性、低亚阈值摆幅的优点来补偿沟道长度缩短引起的性能衰减。本发明通过调整跃迁能来模拟施加在石墨烯条带上的应变，通过修改原子坐标来模拟应变对条带结构的改变，并将应变力度调整为4.5％，使器件的开关特性提升了103，亚阈值摆幅降低了
提高沟道长度 10 nm 石墨 tfet 性能方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条