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[发明专利]一种液态锡加热连续硫化硒化法制备CZTSSe薄膜的方法及其CZTSSe薄膜和应用-CN201510328592.4有效
发明人：张军;邵乐喜;廖峻;莫德云 -专利权人：岭南师范学院
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种液态锡加热连续硫化硒化法制备CZTSSe薄膜的方法及其CZTSSe薄膜和应用。先利用溅射法在镀钼玻璃上制备CuZnSnS合金薄膜或者CuS/ZnS/Sn多层交叠膜作为前驱体，在此薄膜上蒸镀一层Se膜，再利用不同温度的液态锡作为加热源，在含有硫元素的氮气气氛下，对前驱体薄膜进行硫化硒化本发明不仅可保证高均匀度的快速升温，还能抑制样品中的锡流失，保证了样品的组分可控，提高了样品的质量从而提高电池的效率，是一种能耗低、均匀度高、升温速度快的制备太阳能电池吸收层CZTSSe薄膜的方法，在材料与能源利用率和工业化生产方面具有明显的优势
一种液态加热连续硫化法制 cztsse 薄膜方法及其应用

[发明专利]一种氧退火钝化铜锌锡硫硒缺陷的方法及其应用-CN202310382233.1有效
发明人：辛颢;李苒;相春旭;郑媛元;相思彤;闫伟博 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧退火钝化铜锌锡硫硒缺陷的方法及其应用，其包括如下步骤：制备前驱体溶液、旋涂成膜、硒化处理、氧退火处理。本发明能够通过氧退火处理促进获得大晶粒、少晶界和无孔隙的铜锌锡硫硒薄膜，实现后续成品光电转化效率的提升。
一种退火钝化铜锌锡硫硒缺陷方法及其应用

[发明专利]基于二维硒化钴薄膜的室温宽光谱光电探测器及制备方法-CN202010651962.9有效
发明人：吴幸;梁芳;王超伦 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维硒化钴薄膜的室温宽光谱光电探测器及制备方法，利用双离子束溅射技术在衬底上溅射生长一定厚度的钴膜，在此基础上，以氯化钴粉末、硒粉为反应源，以氩气为载气，利用化学气相沉积法制备硒化钴薄膜在硒化钴薄膜上设置与其欧姆接触的金属电极为源漏电极，构成二维硒化钴薄膜基光电探测器。所得的硒化钴薄膜基光电探测器在室温下首次可实现450纳米到10.6微米激光的宽光谱响应波段，其响应率高达2.58瓦/安。本发明提供了一种新型高性能二维材料基室温宽光谱光电探测器，拓展了二维硒化钴材料在光电领域及磁光领域的应用。
基于二维硒化钴薄膜室温光谱光电探测器制备方法

[发明专利]一种交替反应制备单层和多层二硒化钒材料的方法-CN201911093518.3在审
发明人：杨万丽;陈鑫;孙艳;刘从峰;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种交替反应制备单层和多层二硒化钒材料的方法。该方法通过交替注入一种或一种以上金属钒化合物和一种或一种以上含硒化合物进行沉积反应，通过调节反应温度与时间来控制二硒化钒材料生长的层数与面积，得到高质量的层状二硒化钒材料。本发明的优点是：操作简单方便，生长条件精确可控，可实现二硒化钒材料的大面积制备。二硒化钒材料具有独特的化学、电子、磁和机械性能，在光电子学、自旋电子学、催化剂、传感器、能量收集和存储等科学技术领域有着广阔的应用前景。
一种交替反应制备单层多层二硒化钒材料方法

[发明专利]异质结纳米材料、电子传输薄膜和显示器件-CN202111220878.2在审
发明人：朱佩;陈亚文 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：该异质结纳米材料包括：第一金属硒化物及复合于第一金属硒化物上的第二金属硒化物，第二金属硒化物为银掺杂的金属硒化物，第一金属硒化物及第二金属硒化物之间形成异质结。该异质结纳米材料含有第一金属硒化物及复合于第一金属硒化物上的第二金属硒化物，第二金属硒化物为银掺杂的金属硒化物，第一金属硒化物及第二金属硒化物之间形成异质结，从而有利于自由电子迁移，使得异质结纳米材料具有较高的电导率；此外，该异质结纳米材料相比于单纯的金属硒化物纳米材料具有更好的光散射作用。
异质结纳米材料电子传输薄膜显示器件

[发明专利]一种高碳含硒锡易切削钢及其生产方法-CN202010934469.8有效
发明人：王冬;刘祥;王宏亮;安绘竹;尹一;徐曦;任玉辉 -专利权人：鞍钢股份有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本发明涉及易切削钢技术领域，尤其涉及一种高碳含硒锡易切削钢及其生产方法。～0.80％、Si：0.20％～0.40％、Mn：0.50％～2.00％、P：0.01％～0.10％、Se：0.30％～0.50％、Sn：0.36％～0.50％、O：0.010％～0.015％，其中，硒锡比Se/Sn为0.6～1.35，氧硒比O/Se为0.02～0.05，氧锡比O/Sn为0.02～0.04，余量为铁及不可避免的杂质。本发明通过添加易切削元素硒和锡，配合高碳，控制钢中有益夹杂物的分布和形态，显著提高高碳结构钢的切削性能与力学性能，满足高碳易切削钢的切削性能改善、切屑高效清理、力学性能与切削性能良好配合。
一种高碳含硒锡易切削及其生产方法

[发明专利]一种柔性硒化锑/钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法-CN202111595120.7在审
发明人：李梦洁;赵志国;赵东明;秦校军;丁坤;刘家梁;熊继光 -专利权人：华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性硒化锑/钙钛矿叠层太阳能电池，包括依次设置的衬底、背电极、硒化锑吸收层、缓冲层、窗口层、中间复合层、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层与导电电极；所述中间复合层的材料选自氧化钼、氧化铟锡、氧化锌、掺铝氧化锌、氧化锡与C60中的一种或多种。
一种柔性硒化锑钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种二硒化钴复合材料及其制备方法和应用-CN202111503181.6在审
发明人：王付鑫;陈石;黄一峰;李东泽;李浩然;郑得洲;冯其;靳柄军;王光霞;徐维;卢锡洪 -专利权人：五邑大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硒化钴复合材料及其制备方法和应用。该二硒化钴复合材料包括立方体多孔碳基体，其立方体多孔碳上负载有二硒化钴，二硒化钴为Ⅰ型二硒化钴和/或Ⅱ型二硒化钴；本发明的二硒化钴复合材料是立方体多孔碳上均匀分布了二硒化钴，且当I型二硒化钴和/或II型二硒化钴分布在立方体多孔碳上时
一种二硒化钴复合材料及其制备方法应用

[发明专利]铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201810742484.5在审
发明人：李冬梅;闵雪;石将建;吴会觉;罗艳红;孟庆波 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池及其制备方法。所述铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池，包括Mo玻璃基底以及依次沉积在所述Mo玻璃基底上的铜锌锡硫硒膜层、CdS缓冲层、ZnO窗口层、ITO透明电极层和Ag栅电极。其中，CZTSSe薄膜是由CZTS前驱膜经硒化处理获得的。
薄膜太阳能电池铜锌锡硫硒玻璃基前驱膜制备薄膜超声喷雾硒化处理转换效率窗口层缓冲层结晶性均匀性栅电极膜层旋涂沉积电池复合调控

[发明专利]硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒光电极及制备与应用-CN201510727312.7有效
发明人：赵国华;张亚军 -专利权人：同济大学
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒光电极及制备与应用，属于光电极材料领域。将具有可见光特性的硒化镉量子点均匀沉积包覆于二氧化钛纳米棒阵列基底电极表面，制备得到硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒异质结构光电极。并将硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒光电极用于光电催化生物质衍生物氧化促进制氢。与现有技术相比，本发明构筑出硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒异质结构光电极光电催化生物质衍生物葡萄糖氧化促进制氢。硒化镉量子点敏化二氧化钛纳米棒异质结构光电极不仅呈现出优异光电化学性能和可重复性，而且具有超高的光电催化葡萄糖氧化制氢活性。
硒化镉量子点二氧化钛纳米棒敏化光电极异质结构制氢制备生物质衍生物葡萄糖光电催化二氧化钛纳米棒阵列光电化学性能基底电极表面光电极材料均匀沉积可重复性可见光电催化包覆应用构筑

[发明专利]碳纳米管/二氧化锡纳米复合材料及其制备方法和应用-CN202210777530.1在审
发明人：陈鹏;刘万强;周俊;赵建勋;王新伟;刘恒 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳纳米管/二氧化锡纳米复合材料及其制备方法和应用，属于锂离子电池技术领域。解决现有技术中锡基材料在锂离子电池循环过程中材料体积膨胀易引起活性物质粉化，造成容量的急剧下降的技术问题。本发明碳纳米管/二氧化锡纳米复合材料，其中碳纳米管为中空管状结构，二氧化锡为中空纳米片结构，二氧化锡纳米片附着在碳纳米管的内、外表面上。本发明的制备方法是将聚丙烯腈、二氯化亚锡和二氧化硒制成前驱体溶液，经静电纺丝和热处理得到。将本发明制备的电极材料应用到锂离子电池上，发现该材料有优异的大电流充放电性能和稳定的长循环性能。
纳米氧化复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种阵列化钼掺杂二硒化钴复合材料及其制备方法和应用-CN202111623603.3在审
发明人：杨叶锋;路米雪;姚珠君;蔡晨 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列化钼掺杂二硒化钴复合材料及其制备方法和应用，该方法包括：将柔性导电基底浸入2‑甲基咪唑与硝酸钴的混合溶液中，得到具有独特结构的钴基金属有机框架前驱体；清洗、干燥后将其放入钼酸钠溶液中进行水浴反应，得到结构保持完整的钼钴双金属氢氧化物阵列；随之对其分别进行电沉积包覆聚吡咯、硒化处理，可得到阵列化碳包覆钼掺杂二硒化钴复合材料。钼掺杂可改善二硒化钴导电性及电极反应动力学，阵列化与碳包覆设计可避免高分子粘结剂的使用，简化了电极制备工艺，同时有效缓解二硒化钴在脱嵌钠过程中的体积膨胀和收缩问题。
一种阵列掺杂二硒化钴复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种铜锌锡硒纳米粉末材料的制备方法-CN201010185891.4无效
发明人：吴孟强;张树人;张其翼;刘文龙 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： B22F9/20 文献下载
摘要：一种铜锌锡硒纳米粉末材料的制备方法，属于光电材料技术领域。∶1∶1的摩尔比制备Cu、Zn和Sn的烷基醇胺溶液(体系A)，同时制备Se的烷基醇胺溶液(体系B)，然后按照Se∶Cu＝2∶1的摩尔比混合体系A和体系B，在惰性气体保护条件下搅拌、加热回流反应得到铜锌锡硒纳米粉体材料本发明选用资源丰富且对环境友好的Zn和Sn元素取代稀有金属In和Ga制备了纳米级、尺度均匀、分散性好和相纯度高的铜锌锡硒纳米粒子，整个制备工艺设备要求简单，绿色无污染，无需硒气氛。本发明所制备的铜锌锡硒纳米粉末材料主要用于太阳能电池中作吸收层材料。
一种铜锌锡硒纳米粉末材料制备方法

[发明专利]一种铜锌锡硫硒半透明太阳能电池器件及其制备方法-CN202110333713.X在审
发明人：辛颢;周亚格;龚元才;朱强;相春旭;代琪 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜锌锡硫硒半透明太阳能电池器件及其制备方法，以半透明掺氟的氧化锡(FTO)或FTO‑MoO3为背电极，由钠钙玻璃、FTO/FTO‑MoO3背电极、铜锌锡硫硒吸收层、硫化镉缓冲层、高阻本征氧化锌窗口层、低阻氧化铟锡窗口层、镍铝或银电极组成该铜锌锡硫硒半透明太阳能电池器件。导电玻璃，将其清洗干净，可在上面蒸镀不同厚度的MoO3，然后依次制备各层薄膜，得到以FTO/FTO‑MoO3为背电极的铜锌锡硫硒半透明太阳能电池器件
一种铜锌锡硫硒半透明太阳能电池器件及其制备方法

[发明专利]一种锡铜镍硒无铅焊料-CN200710068558.3无效
发明人：戴国水 -专利权人：戴国水
申请日： 2007-05-17 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：一种锡铜镍硒无铅焊料，属电子元器件焊接用合金材料的制备技术领域，包括锡，铜，镍，硒，各组份的组成按重量百分比计分别为：铜(Cu)0.5～5％，镍(Ni)0.01～0.2％，硒(Se)0.01～0.1％，总量不大于0.1％的杂质，其余为锡(Sn)，各组份的重量百分比总和为100％；镍(Ni)的含量优选可为0.02～0.1％，硒(Se)的含量优选可为0.03％～0.07％。本发明针对电子元器件对无铅焊料的性能要求，经优化设计及多次试验比较，通过在焊料组合物中加入微量镍和硒元素来改善焊料铺展性和细化合金晶粒，能有效提高其润湿性和焊点抗蠕变性能，改善抗氧化性能，降低材料成本，
一种锡铜镍硒无铅焊料