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[发明专利]制备二乙烯基芳烃二氧化物的方法-CN201080058978.3有效
发明人： E·B·里普林格尔;D·简;D·L·巴劳;K·T·彭;G·古尔亚斯;B·D·胡克 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C07D301/19 文献下载
摘要：一种制备二乙烯基芳烃二氧化物的方法，所述方法包括：将(a)至少一种二乙烯基芳烃；(b)至少一种过氧羧酰亚胺酸；(c)至少一种溶剂和(d)至少一种碱性化合物在一定条件下反应，以形成含有二乙烯基芳烃二氧化物产物的反应混合物；然后将二乙烯基芳烃二氧化物产物与反应混合物的其他组分分离，以获得纯化的二乙烯基芳烃二氧化物产物。
制备乙烯基芳烃二氧化物方法

[发明专利]有机发光二极管显示装置-CN201910697762.4在审
发明人：朴晙晳;文然建;金光淑;金兑相;朴根彻;全景辰 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开涉及一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括基底、第一氧化物晶体管、第二氧化物晶体管以及子像素结构。所述基底具有包括多个子像素区域的显示区域和位于所述显示区域旁边的外围区域。所述第一氧化物晶体管设置在所述基底上的所述外围区域中，并且包括第一氧化物半导体图案，所述第一氧化物半导体图案包括锡(Sn)。所述第二氧化物晶体管设置在所述基底上的每个所述子像素区域中，并且包括第二氧化物半导体图案。所述子像素结构设置在所述第二氧化物晶体管上。
有机发光二极管显示装置

[发明专利]2;4;6-三氨基-5-硝基嘧啶-1;3-二氧化物与硝酸自组装晶体及其制备方法-CN201810437379.0有效
发明人：王毅;张庆华;宋思维 -专利权人：中国工程物理研究院化工材料研究所
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C06B25/34 文献下载
摘要：本发明公开了2,4,6‑三氨基‑5‑硝基嘧啶‑1,3‑二氧化物与硝酸自组装含能晶体材料的制备方法，包括以下步骤：(1)制得2,4,6‑三氨基‑5‑硝基嘧啶‑1,3‑二氧化物的硝酸饱和水溶液；(2)2,4,6‑三氨基‑5‑硝基嘧啶‑1,3‑二氧化物的硝酸饱和水溶液置于烧杯中,然后静置于恒温培养箱中,蒸发溶剂,依次经过晶核的形成,晶粒长大,晶体形成,过滤,干燥,得到2,4,6‑三氨基‑5‑硝基嘧啶‑1,3‑二氧化物与硝酸自组装含能晶体本发明创新性的提出了2,4,6‑三氨基‑5‑硝基嘧啶‑1,3‑二氧化物与硝酸自组装含能晶体材料。
氨基二氧化物硝酸硝基嘧啶自组装饱和水溶液晶体材料制备恒温培养箱晶粒长大晶体形成蒸发溶剂创新性晶核烧杯过滤

[发明专利]非易失性存储器单元及其形成方法-CN201810538674.5在审
发明人：陈鸿霖;江文智;陈柏铭;林炫政;王泽豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：在一个实例中，所述非易失性存储器单元包括：衬底；第一氧化物层，位于所述衬底之上；浮动栅极，位于所述第一氧化物层之上；第二氧化物层，位于所述浮动栅极之上；以及控制栅极，至少局部地位于所述第二氧化物层之上。所述第一氧化物层及所述第二氧化物层中的至少一者包含氟。
氧化物层非易失性存储器单元浮动栅极衬底控制栅极

[发明专利]波导耦合器-CN202210517814.7在审
发明人： R·M·希基 -专利权人：拉诺沃斯公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：示例器件包括：基板，其包括具有波导折射率(RIWG)的波导材料；基板上的第一氧化物层，其RI1低于RIWG；第一氧化物层上的波导，该波导包括具有RIWG的波导材料；波导和第一氧化物层上的第二氧化物层，第二氧化物层具有大于RI1且小于RIWG的第二RI2，第一氧化物层、波导和第二氧化物层形成用于光耦合的端面，以及波导从端面向内延伸并且有效RI从端面增加；以及第二氧化物层上的折射率匹配材料，其至少封装第二氧化物层和端面，折射率匹配材料的相应RI是大约与RI1匹配的折射率。
波导耦合器

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201010203803.9有效
发明人：沈忆华;朱虹 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的第一氧化物层；在所述第一氧化物层上形成的单晶硅层；在所述单晶硅层上形成的第二氧化物层；在所述第二氧化物层上形成的栅极。本发明还提供了一种制作半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一氧化物层；在所述第一氧化物层上形成单晶硅层；在所述单晶硅层上形成第二氧化物层；在所述第二氧化物层上形成栅极。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN201410055254.3在审
发明人：伏广才;王刚宁;陈文甫;孙涛;汪新学 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有具有浅沟槽开口图案的硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底形成浅沟槽；在浅沟槽中以及所述硬掩膜层上沉积第一氧化物层；在所述第一氧化物层上沉积第二氧化物层，其中所述第一氧化物层与所述第二氧化物层具有相近的干法蚀刻去除率，第一氧化物层相对于所述第二氧化物层具有更高的湿法蚀刻去除率；图案化第二氧化物层、所述第一氧化物层和所述硬掩膜层，以形成深沟槽开口图案；以具有深沟槽开口图案的所述第二氧化物层、所述第一氧化物层和所述硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底以形成深沟槽。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]半导体装置、显示模块和电子设备-CN201310006973.1有效
发明人：坂田淳一郎;广桥拓也;岸田英幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置、显示模块和电子设备，该半导体装置具有晶体管，所述晶体管包括：第一氧化物半导体层、在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层、在第二氧化物半导体层上的源电极、以及在第二氧化物半导体层上的漏电极，其中，第一氧化物半导体层包括作为沟道形成区的第一区域，第二氧化物半导体层包括与第一区域重叠的第二区域，第二氧化物半导体层包括与源电极接触的第三区域，第二氧化物半导体层包括与漏电极接触的第四区域，第一区域具有第一导电率，第二区域具有第二导电率，第三区域具有第三导电率，第四区域具有第四导电率，第二导电率低于第一导电率，第三导电率高于第二导电率，第四导电率高于第二导电率。
半导体装置显示模块电子设备

[发明专利]还原装置-CN201180075362.1无效
发明人：矢部孝 -专利权人： YTS科学财富私人有限公司
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： B01J19/12 文献下载
摘要：本发明公开一种还原装置，用于收集高纯度的硅和/或有效地减少二氧化碳量。对氧化镁、氧化钾或氧化钙等第一氧化物与二氧化碳或一氧化硅等第二氧化物的混合物或化合物照射激光，从而使氧从所述第一氧化物或第二氧化物中脱离。
还原装置

[发明专利]半导体装置-CN202110664358.4在审
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种包含氧化物半导体膜的具有稳定的电特性的晶体管。在该晶体管中，在能够通过加热释放氧的氧化膜上形成可以至少抑制从氧化膜释放氧的第一氧化物半导体膜。在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜。通过采用层叠有氧化物半导体膜的结构，可以当形成第二氧化物半导体膜时抑制从氧化膜释放氧，并且通过进行此后的热处理从氧化膜释放氧。因此，以氧能够透过第一氧化物半导体膜适当地供应到第二氧化物半导体膜。通过将氧供应到第二氧化物半导体膜，抑制氧缺陷而得到稳定的电特性。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201810569628.1有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种包含氧化物半导体膜的具有稳定的电特性的晶体管。在该晶体管中，在能够通过加热释放氧的氧化膜上形成可以至少抑制从氧化膜释放氧的第一氧化物半导体膜。在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜。通过采用层叠有氧化物半导体膜的结构，可以当形成第二氧化物半导体膜时抑制从氧化膜释放氧，并且通过进行此后的热处理从氧化膜释放氧。因此，以氧能够透过第一氧化物半导体膜适当地供应到第二氧化物半导体膜。通过将氧供应到第二氧化物半导体膜，抑制氧缺陷而得到稳定的电特性。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201280063818.7有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种包含氧化物半导体膜的具有稳定的电特性的晶体管。在该晶体管中，在能够通过加热释放氧的氧化膜上形成可以至少抑制从氧化膜释放氧的第一氧化物半导体膜。在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜。通过采用层叠有氧化物半导体膜的结构，可以当形成第二氧化物半导体膜时抑制从氧化膜释放氧，并且通过进行此后的热处理从氧化膜释放氧。因此，以氧能够透过第一氧化物半导体膜适当地供应到第二氧化物半导体膜。通过将氧供应到第二氧化物半导体膜，抑制氧缺陷而得到稳定的电特性。
氧化物半导体膜氧化膜释放电特性晶体管半导体装置热处理氧供应氧缺陷加热

[发明专利]显示面板及包括其的电子装置-CN202211070979.0在审
发明人：孙基民;卢石;朴贵福;洪礼媛 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10K59/12 文献下载
摘要：显示面板的电路层至少包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一氧化物半导体图案、栅电极、与第一氧化物半导体图案的一侧接触的第一电极、与第一氧化物半导体图案的另一侧接触的第二电极、以及设置在基板上以与第一氧化物半导体图案交叠的第一‑第一金属图案。第二晶体管包括：第二氧化物半导体图案、栅电极、与第二氧化物半导体图案的一侧接触的第一电极、与第二氧化物半导体图案的另一侧接触的第二电极、设置在基板上以与第二氧化物半导体图案交叠的第一‑第二金属图案、以及设置在第二氧化物半导体图案与第一‑第二金属图案之间的第二金属图案。
显示面板包括电子装置

[发明专利]聚合物混凝土组合物-CN201180031375.9有效
发明人： R·图拉克希亚;H·A·奈克 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C08G59/22 文献下载
摘要：用于聚合物混凝土的可固化组合物，其包含：(A)至少一种环氧树脂成分，其包含(A1)至少一种环氧树脂，和(A2)至少一种二乙烯基芳烃二氧化物；和(B)至少一种硬化剂成分；其中在所述环氧树脂成分中存在足够浓度的二乙烯基芳烃二氧化物，致使所述二乙烯基芳烃二氧化物降低所述可固化组合物的粘度并提供由所述可固化组合物制成的固化聚合物混凝土产品的必要性质。二乙烯基芳烃二氧化物降低可固化组合物的粘度，并同时提供聚合物混凝土应用必要的性质；并且二乙烯基芳烃二氧化物有助于提高聚合物混凝土的热变形温度(HDT)和改善大型聚合物混凝土部件的尺寸稳定性而不损害所述聚合物混凝土的任何其他性质
聚合物混凝土组合

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110088700.0在审
发明人：浅见良信 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：第一绝缘层；第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；第一绝缘层、源电极层及漏电极层上的第二绝缘层；第二绝缘层上的第三绝缘层；第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；第三氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层。第二绝缘层为氧阻挡层并具有与第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、源电极层及漏电极层的侧面接触的区域。第三氧化物半导体层具有与第二氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、第二绝缘层及第三绝缘层的侧面接触的区域。
半导体装置及其制造方法