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[发明专利]具有高耐压特性的集成电路等离子体保护结构及形成方法-CN201611113099.1有效
发明人：于奎龙;王志强;韩坤 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高耐压特性的集成电路等离子体保护结构及其形成方法，包括：衬底以及形成于衬底中的第一二极管、第二二极管和金属氧化物半导体场效应晶体管，所述第一二极管与所述第二二极管同向串联形成串联二极管组，所述串联二极管组一端连接所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极。在本发明提供的具有高耐压特性的集成电路等离子体保护结构及其形成方法中，通过将形成的串联二极管组的一端连接所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，使金属氧化物半导体场效应晶体管在电荷的向导通时通过所述串联二极管组排走，避免由于电荷造成的损伤，并使金属氧化物半导体场效应晶体管具有较高的反偏击穿电压的特性。
具有耐压特性集成电路等离子体保护结构形成方法

[发明专利]改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型及其构建方法-CN202211184966.6在审
发明人：孙玉红;王正楠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G06F30/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型及其构建方法，该方法包括：步骤1，测量齐纳二极管的正向和反向特性，获取电流Ij与结电压Vj的对应数据，阴极n端和阳极p端间电压；步骤2，调整模型参数确保正向电流特性仿真数据和实测数据吻合，用拟合方法得到反向电流与齐纳二极管的阴极n端和阳极p端间电压关系的数学表达式，得到反向电阻值；步骤3，根据反向电阻值得到用于调节反向击穿电流的电阻r1，在齐纳二极管的原子电路模型中增加中间端头p1，在齐纳二极管的阳极p端和中间端头p1端间增加用于调节反向击穿电流的电阻r1，而中间端头p1端和齐纳二极管的阴极n端保持原电路，构建新的子电路模型。
改善齐纳二极管反向电流特性电路模型及其构建方法

[发明专利]与沟槽-栅极DMOS兼容的集成保护式肖特基二极管结构及方法-CN201010244364.6无效
发明人： F·希伯特;D·A·吉尔达 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2010-07-26 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：与沟槽-栅极DMOS兼容的集成保护式肖特基二极管结构及方法。多个晶体管单元，每个可以包括晶体管P-体区域和肖特基二极管，其中晶体管P-体区域可以形成于肖特基二极管之下，以提供具有期望的电学特性的半导体器件。
沟槽栅极 dmos 兼容集成保护式肖特基二极管结构方法

[发明专利]光源模块和点亮设备以及使用它们的照明设备-CN201110048684.9有效
发明人：滨本胜信;堀口玲;菅原洋;光安启 -专利权人：松下电工株式会社
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： F21V23/06 文献下载
摘要：一种光源模块，包括：基底单元，用于在其上安装多个发光二极管，以电连接所述多个发光二极管；第一电连接端子和第二电连接端子，用于基于从所述基底单元外部施加的电压，向所述发光二极管供应电流；以及特性设定单元，用于预置对应于所述发光二极管的电特性的特性信息。此外，所述光源模块包括：第三电连接端子，用于基于在所述特性设定单元中预置的所述特性信息，输出设定信号，并且所述特性设定单元至少连接于所述第三电连接端子与所述第一电连接端子之间或所述第三电连接端子与所述第二电连接端子之间，并且所述特性设定单元响应于从所述第三电连接端子输入的配置功率生成所述设定信号。
光源模块点亮设备以及使用它们照明设备

[发明专利]采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法-CN200810116044.5有效
发明人：王显泰;金智 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-07-02 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法，该方法包括：选择HBT材料的B-C结制作变容二极管，利用HBT中基极层材料的高掺杂特征，使接触金属不经过高温金属化工艺或者快速金属化工艺可形成欧姆接触；采用耐高温和多次加厚的掩膜层来保护无需二次掺杂的区域，利用离子注入设备对变容二极管材料区域进行掺杂元素二次掺杂，调整变容二极管材料区域掺杂组分至适于制作变容二极管的超突变结状态，同时使无需二次掺杂的区域不受该二次掺杂的影响本发明对需优化性能的二极管器件材料区域进行二次掺杂，同时保护电路其他区域的特性，使在同一片半导体材料可以在满足其他器件需求的同时，可以制作高质量的变容二极管。
采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性方法

[实用新型]一种二极管结温与结电容关系特性的测定仪-CN202220268929.2有效
发明人：许墨扬;杨智博;肖凌峰;李欣耘;程千顺;年桂君 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种二极管结温与结电容关系特性的测定仪，解决了目前照明式发光二极管结温测定困难的问题，高效精确地测量出该二极管结温以及结电容，并附加测量二极管结电压，易于得出三个变量任意二者之间关系，进行关于二极管特性的拓展实验本实用新型测定仪结构简单，制作成本低，不受二极管自身质量和外界环境等因素干扰，能快速完成各种材料，数量，大小和形状的二极管的结温与结电容关系曲线的定标测量，具有精度高、操作方便等优点，有利于作为教具和相关方面测量仪器推广使用
一种二极管电容关系特性测定

[实用新型]光敏电阻特性测量仪-CN201220496764.0有效
发明人：王吉有;庞天奇;王剑波;段苹 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G09B23/18 文献下载
摘要：一种光敏电阻特性测量仪涉及教学仪器，特别是一种光敏电阻特性的测量仪器。一种光敏电阻特性测量仪，其特征在于：在暗箱内包括有电源、发光二极管、凸透镜和光敏电阻，电源与发光二极管相连，凸透镜放在发光二极管和光敏电阻之间，发光二极管、凸透镜和光敏电阻在一直线上，光敏电阻的两输出端连到暗箱上的插座上本实用新型简单、便携，通过调节电源来改变照射光敏电阻的光强，测量出光敏电阻的阻值与光强的关系，通过改变发光二极管来改变发光颜色，测量光敏电阻对照射波长的相应。
光敏电阻特性测量仪

[实用新型]一种检测阴极发射性能的二极管结构-CN201621004636.4有效
发明人：王鹏康;孟昭红;陈爱民;朱刚;贺兆昌 -专利权人：安徽华东光电技术研究所
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： G01R31/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种检测阴极发射性能的二极管结构，包括待测热丝阴极组件、阳极、二极管基座三部分。该二极管结构可实现待测阴极的阴极发射面与二极管阳极面距离精确装配控制，可以在大占空比下测试阴极的发射性能，其结构紧凑，装配后焊接牢固可靠，测试得到的阴极伏安特性准确。同时该二极管结构适合于不同尺寸阴极的测试，有利于推广与应用。
一种检测阴极发射性能二极管结构

[发明专利]发光二极管用金属基板、发光二极管及其制造方法-CN201080044703.4无效
发明人：松村笃;竹内良一 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种具备优异的耐化学特性的发光二极管接合用金属基板、发光二极管及其制造方法，提供一种发光二极管用金属基板，其是用于制造发光二极管的发光二极管用金属基板，所述发光二极管具备金属基板和通过接合层接合于所述金属基板上的含有发光部的化合物半导体层，该发光二极管用金属基板的特征在于，具备金属板和覆盖该金属板的至少上表面和下表面的金属保护膜。
发光二极管用金属发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种氧化镓基MIS结构肖特基功率二极管-CN202310366147.1在审
发明人：裴艳丽;曹小虎 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种氧化镓基MIS结构肖特基功率二极管。由上至下依次包括：金属阳极、超薄介质层、氧化镓半导体、金属阴极。在肖特基二极管中引入超薄介质层，不仅可以钝化氧化镓界面态，而且通过介质层中的电偶极子效应，可有效调节肖特基势垒高度，抑制反向泄露电流。由于引入的是超薄介质层，不会对正向特性有显著影响。该肖特基二极管有望改善传统肖特基二极管的反向特性。
一种氧化 mis 结构肖特基功率二极管

[发明专利]光传感器-CN202011171539.5在审
发明人：宇都宫文靖;道关隆国;田中亚实 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：光传感器具备：包含光电二极管并具有第1波长灵敏度特性的第1光检测部；一端与第1光检测部的光电二极管的负极连接、另一端与接地点连接的第1电阻；包含正极与第1光检测部的光电二极管的正极连接的光电二极管并具有与第1波长灵敏度特性不同的第2波长灵敏度特性的第2光检测部；一端与第2光检测部的光电二极管的负极连接、另一端与接地点连接的第2电阻；及放大电路，其具有与第1光检测部的光电二极管连接的第1输入端子、与第2光检测部的光电二极管连接的第
传感器

[发明专利]一种用于抵制二极管内反向恢复电荷的系统-CN201410128200.5有效
发明人：韦文生;沈琦;夏鹏 -专利权人：温州大学
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H03K5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制二极管内反向恢复电荷的系统，该系统为正向偏置连接于二极管（DUT）两端的电流注入电路，该电流注入电路包括用阶跃恢复二极管（SRD）构成的脉冲nS级脉冲信号发生器，及紧接其后以隧穿二极管（BG2）及反向二极管（BG1）构成的用于加速脉冲的上升沿时间和下降沿时间的脉冲边沿加速电路。本发明的优点是：能改善二极管（DUT）的反向恢复特性，降低反向恢复电荷和反向恢复时间，同时能降低二极管的开关损耗和传导损耗，抑制电磁干扰和浪涌发生，提高效率。
一种用于抵制二极管反向恢复电荷系统

[实用新型]两相流空泡分布二级管阵列传感器结构-CN201621320054.7有效
发明人：龚锦华;闫永恒;孙瑶;陈俊安 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种两相流空泡分布二级管阵列传感器结构，包括基座组件、发光二极管及光电二极管。基座组件的上表面周向均布偶数个凹槽，发光二极管嵌设于凹槽中，光电二极管设置于相邻的凹槽之间的上边界平台上，发光二极管、光电二极管均与外接导线电性连接。本实用新型中发光二极管与光电二极管间隔排列形成一种非接触测量的方式。通过检测流体的光学特性的变化获得测量数据，同时不会改变流体本身参数，能避免环境噪声、气流等因素的干扰。本实用新型两相流空泡分布二级管阵列传感器结构中，采用的发光二极管、光电二极管耗电低、价格低廉、性价比高，且结构简单、使用灵活，具有广泛的应用前景。
两相空泡分布二级阵列传感器结构

[发明专利]二极管并联的自动均流技术-CN201010612754.4无效
发明人：朱琦;王慧贞 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H02M3/08 文献下载
摘要：在大电流工作场合中，变换器中的二极管承受的电流大，开关频率高的时候，器件容易发生故障，因此常采用并联多个二极管达到扩大电流容量的目的。由于二极管的负温度特性，仅仅通过简单的并联方式还不能完全保证整个扩展后的电源系统稳定可靠地工作。存在一个二极管均流的问题，而解决方法的不同，对整个电源扩展系统的稳定性、可靠性都有很大的影响。本发明提出了一种应用于大电流变换器拓扑多个二极管并联情况下均流问题的解决方法，在各个并联二极管前串联一个二极管，并用带阻的感性连接线将串入二极管两端连接，从而达到自动均流的效果，解决了各个并联二极管电流不平衡的问题其电路特征如下：主电路为变换器拓扑，多个二极管并联分流，主要特征为每个二极管前串联一个两端用带阻的感性导线连接的二极管来代替原本的一个二极管。
二极管并联自动技术

[发明专利]一种简化的光伏组件双二极管模型建模及参数提取方法-CN202010099056.2在审
发明人：张经炜;吴佳兵;丁坤;陈曦晖 -专利权人：河海大学常州校区
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开一种简化的光伏组件双二极管模型建模及参数提取方法，其特征在于，包括以下步骤：1）根据太阳能电池片的双二极管等效电路的输出特性方程建立光伏组件的双二极管模型；2）将光伏组件双二极管模型中的七参数简化为四参数得到简化模型；3）通过厂家提供的铭牌参数进行简化模型的参数求解，得到标准测试条件下的组件的输出特性曲线；4）根据环境参数将标准测试条件下的光伏组件的输出特性曲线外推至任意辐照度下。采用本发明解决了传统光伏组件双二极管模型参数求解困难，以及难以从厂家提供的铭牌参数中求解全部模型参数的问题，精确描述了不同环境下光伏组件的输出特性。
一种简化组件二极管模型建模参数提取方法