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[实用新型]一种防击穿的发光二极管-CN202120865455.5有效
发明人：王少雄 -专利权人：深圳市晟兴光实业有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防击穿的发光二极管，包括上压板和二极管主体，所述上压板下表面固定安装有散热座，所述散热座下表面嵌入固定安装有卡座，所述散热座内部嵌入固定安装有散热管，所述散热管上表面固定安装有接触板，所述接触板上表面和所述二极管主体下表面密切接触，所述二极管主体下表面固定安装有引脚，所述引脚插入所述卡座内部，所述上压板上表面靠近四角位置均螺纹安装有螺柱，所述上压板上表面靠近中心位置开设有变径孔。本实用新型所述的一种防击穿的发光二极管，能够解决二极管自身缺乏散热结构影响其散热效率的问题，还能够使二极管安装的更加牢固，适应各种环境，并对焊接位置进行全方位的保护。
一种击穿发光二极管

[发明专利]一种基于CNN网络的碳化硅二极管击穿电压的预测方法-CN202111171616.1在审
发明人：王树龙;刘晨钰;刘艳;陈栋梁;郝跃;韩根全 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件及神经网络深度学习领域，具体涉及一种基于CNN网络(卷积神经网络，Convolutional Neural Networks)的碳化硅二极管击穿电压的预测方法，包括以下步骤：步骤S1，获取CNN网络的训练集、交叉验证集和测试集；步骤S2，建立CNN网络，并进行训练、验证和测试，得到训练后的CNN网络；步骤S3，将要预测的碳化硅二极管的漂移区掺杂浓度、结峰值浓度和场限环个数输入CNN网络中，预测该碳化硅二极管的击穿电压。本发明使用CNN网络快速且便捷地预测出碳化硅二极管的击穿电压，且有较高的准确率，降低了人力、时间及生产经济成本。
一种基于 cnn 网络碳化硅二极管击穿电压预测方法

[发明专利]垂直的齐纳二极管结构及其制备方法-CN201010291813.2无效
发明人：张帅;董科 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直的齐纳二极管结构，该其特征在于：所述齐纳二极管的N型注入区和P型注入区位于外延层的N阱中，从硅表面往下依次为P型注入区和N型注入区。该结构的齐纳击穿点远离硅表面，从而改善齐纳击穿值漂移问题。本发明还公开了一种垂直的齐纳二极管的制备方法。
垂直齐纳二极管结构及其制备方法

[发明专利]一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件及其制作工艺-CN202011470924.X有效
发明人：雷建明 -专利权人：南京工业职业技术大学
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件，涉及半导体器件领域，包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层、栅极电极、栅下氧化层、源极电极、源极场板、反向二极管氧化层、Al2O3插入层、SiO2插入层、漏极电极、漏极场板、以及Si3二极管将栅极包围，使栅极电场被有效屏蔽，减小了栅极漏电流，降低了栅极被击穿的风险，将栅下峰值电场右移至MIS反向二极管氧化层处。复合双插入层将位于MIS反向二极管氧化层处的峰值电场进一步右移至漏极侧，有效保护了反向二极管。通过漏极场板，将漏极侧峰值电场拉高至钝化层中，减小器件半导体体材料内部的电场，有效降低器件的漏电流，提升器件的击穿特性。
一种同时优化击穿特性反向 gan hemt 器件及其制作工艺

[实用新型]一种台面二极管管芯-CN201821555461.5有效
发明人：刘德军;石文坤;龚昌明;陆时跃;许小兵;吴王进;杨辉 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种二极管管芯，尤其涉及一种台面二极管管芯。该台面二极管管芯，包括P区、N区、P+区和N+区，所述N区与P区连接形成PN结，所述P+区设置在P区内，所述N+区设置在N区外侧，且远离P+区。本实用新型通过改进台面二极管管芯的结构，并在管芯的各区域相应地掺杂不同浓度的三价或者五价杂质，使管芯表面的击穿电压高于管芯内部的击穿电压，有效保证管芯内部先于管芯表面被击穿，避免台面二极管失效，大大提高了产品成品率及可靠性，生产效率高，能适用于大中小功率的台面二极管管芯。
管芯台面二极管本实用新型管芯表面击穿电压产品成品率二极管管芯生产效率击穿三价掺杂改进保证

[实用新型]一种光纤陀螺电路及光纤陀螺-CN202222036582.1有效
发明人：吕乐;冯琦;于强;陈小帆 -专利权人：武汉利科夫科技有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G01C19/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光纤陀螺电路及光纤陀螺，其包括：第一整流二极管、稳压二极管、发光二极管以及第一电阻；所述第一整流二极管的负极、稳压二极管的负极、发光二极管的正极均连接输入电源正极，所述第一整流二极管的正极、稳压二极管的正极均连接输入电源负极，所述第一电阻一端连接所述发光二极管的负极，另一端连接输入电源负极。本实用新型中的光纤陀螺电路可以对电路整体以及光源进行电压保护，避免因反接、电压超过额定值造成电路、光源被击穿和烧毁，同时，操作人员可通过发光二极管的变化直观掌握电路的工作状态。
一种光纤陀螺电路

[发明专利]充电显示电路及具有该充电显示电路的电子装置-CN201010500018.X无效
发明人：唐兴华 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2010-10-08 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种充电显示电路，其包括发光二极管以及与该发光二极管并联的面接触型二极管。该发光二极管电性连接于电源电路与接口电路之间，且该发光二极管的阳极与该面接触型二极管的阴极电性连接，该发光二极管的阴极与该面接触型二极管的阳极电性连接。该接口电路用于接入一充电电池使该电源电路引入外部电源对该充电电池充电，该发光二极管用于指示该充电电池的充电状态，该面接触型二极管用于在该接口电路瞬间产生静电电流时，将该静电电流导入该电源电路。所述充电显示电路，通过设置与发光二极管并联的面接触型二极管，避免静电瞬间产生的静电电流反向击穿该发光二极管。本发明还涉及一种具有该充电显示电路的电子装置。
充电显示电路具有电子装置

[实用新型]一种光伏组件-CN201921554351.1有效
发明人：潘秀娟;毛剑宇;董经兵;许涛;邢国强 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L31/044 文献下载
摘要：所述光伏组件内同一电池串组中，所有串连接点连接一条第一跳线，各第一子串通过第一跳线以及第一辅助导线反向并联一个二极管，各第二子串通过第一跳线以及第二辅助导线反向并联另一二极管。本实用新型实施例提供的技术方案，在保证二极管不被击穿的前提下，每个与二极管并联的部分电池串中电池片的数量增多，进而避免了增加光伏组件中电池片数量时易导致的二极管被反向击穿的问题出现。
一种组件

[发明专利]具有隔离二极管元件的ESD保护电路及其方法-CN200780012308.6有效
发明人：大卫·C·伯德克斯;丹尼尔·J·莱米 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：ESD保护电路(20)包括ESD器件(24)和隔离二极管元件(30)。ESD器件包括漏-源结隔离ESD晶体管(26，28)。隔离二极管元件与ESD器件串联地耦合，并被配置用于向需要ESD保护的晶体管器件(22)提供ESD保护。响应被保护的晶体管器件的栅上的-Vgs条件，被串联地耦合的隔离二极管元件在隔离二极管元件的击穿条件之前阻止ESD晶体管的漏-源结的正向偏置。此外，响应足以引起被保护的晶体管器件损坏的ESD事件，被串联地耦合的隔离二极管元件许可击穿条件的发生。
具有隔离二极管元件 esd 保护电路及其方法

[发明专利]一种五电平电路拓扑结构-CN201110037930.0无效
发明人：方汉学;李瑞来;何洪臣 -专利权人：山东新风光电子科技发展有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：一种五电平电路拓扑结构，单桥臂结构包括直流输入电容、开关器件和箝位二极管；4个直流输入电容依次串联然后接直流输入电压；4个箝位二极管依次正向串联后，正极与功率开关器件V7与V8之间的连接点连接，负极与功率开关器件V2与V3之间的连接点连接；功率开关器件V1、V2、V3、V4、V6、V7、V8、V9依次正向串联后分别接直流输入电容的两端，V5通过反击穿二极管的负极与功率开关器件V1、V2的连接点连接，另一端通过反击穿二极管的正极与直流输入电容C1、C2的连接点连接，V10通过反击穿二极管的正极与功率开关器件V8、V9的连接点连接，另一端通过反击穿二极管的负极与直流输入电容C3、C4的连接点连接。
一种电平电路拓扑结构

[实用新型]一种五电平电路拓扑结构-CN201120037589.4有效
发明人：方汉学;李瑞来;何洪臣 -专利权人：山东新风光电子科技发展有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H02M7/483 文献下载
摘要：一种五电平电路拓扑结构，单桥臂结构包括直流输入电容、开关器件和箝位二极管；4个直流输入电容依次串联然后接直流输入电压；4个箝位二极管依次正向串联后，正极与功率开关器件V7与V8之间的连接点连接，负极与功率开关器件V2与V3之间的连接点连接；功率开关器件V1、V2、V3、V4、V6、V7、V8、V9依次正向串联后分别接直流输入电容的两端，V5通过反击穿二极管的负极与功率开关器件V1、V2的连接点连接，另一端通过反击穿二极管的正极与直流输入电容C1、C2的连接点连接，V10通过反击穿二极管的正极与功率开关器件V8、V9的连接点连接，另一端通过反击穿二极管的负极与直流输入电容C3、C4的连接点连接。
一种电平电路拓扑结构

[发明专利]具有交流回路发光二极管晶粒结构-CN200410074449.9有效
发明人：林明德;黄斐章;郭家泰 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2004-09-15 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有交流回路发光二极管晶粒结构，利用至少一组的交流微晶粒发光二极管形成于芯片(chip)上，交流微晶粒发光二极管利用晶粒制造工艺制作出两个微小的发光二极管反向正负并联，而可施加交流电，使两发光二极管依正负半波驱动点亮，由于具有交流回路发光二极管正负电压都使用于发光皆具顺向特性，可使发光二极管结构不仅可直接接收交流电使用，同时具备有耐高压及静电击穿保护的功能。
具有交流回路发光二极管晶粒结构

[发明专利]肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管-CN201510280124.4在审
发明人：赵圣哲;李理;马万里 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管，方法包括：在基底上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，对所述基底进行刻蚀，形成沟槽，所述沟槽的底部的宽度小于所述沟槽的顶部的宽度，所述沟槽具有倾斜侧壁。本发明提供的肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管，通过形成制作具有倾斜侧壁的沟槽来缓解沟槽的底部的拐角电场聚集的情况，能够提高肖特基二极管的击穿电压，使得肖特基二极管具有较好的耐压性。
肖特基二极管制作方法

[发明专利]摩擦发电直接驱动的有机发光二极管及驱动方法-CN201410342838.9有效
发明人：王中林;陈翔宇;范凤茹 -专利权人：北京纳米能源与系统研究所
申请日： 2014-07-17 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用摩擦发电技术直接驱动有机发光二极管的方法，以及基于该方法的有机发光二极管。本发明将有机发光二极管与摩擦发电技术结合，无需外接电源即可点亮有机发光二极管，并且通过摩擦层、绝缘层、导电区的合理设置，成功克服了现有摩擦发电技术的高压输出容易造成有机发光二极管击穿的技术难题，将摩擦发电机与有机发光二极管的集成化和一体化推向了实用
摩擦发电直接驱动有机发光二极管方法

[发明专利]发光二极管的外延结构和外延结构的制备方法-CN201610091902.X有效
发明人：霍丽艳 -专利权人：圆融光电科技股份有限公司
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管的外延结构和外延结构的制备方法。本发明提供的发光二极管的外延结构，包括：在衬底上由下至上依次生长的U型氮化镓GaN层、N型GaN层、功能层、发光层和P型GaN层，所述功能层掺入硅元素、铝元素和铟元素。本发明提供的发光二极管的外延结构，提高了发光二极管的发光效率，增强了发光二极管对抗静电击穿的能力，提高了发光二极管的使用寿命。
发光二极管外延结构制备方法

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