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[发明专利]一种电容器及功率集成电路-CN201310481811.3有效
发明人：李照华;赵春波;林道明;戴文芳;陈艳霞 -专利权人：深圳市明微电子股份有限公司
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：该电容器下极板与场效应晶体管漏极共用有源区，该电容器的下极板与场效应晶体管漏极电连接，且该电容器的下极板为包含漏极的部分阱区，该电容器的上极板是包含场效应晶体管漏极的部分阱区对应的顶层金属，其中场效应管漏极采用“E”型布局，具体的，作为上极板的顶层金属分布在场效应管漏极“E”型布局的封口端，从而将电容集成到场效应晶体管中而没有增加场效应晶体管的体积，若将集成了电容的场效应晶体管应用到功率集成电路，则可减小集成有电容的现有功率集成电路的体积及降低生产成本
一种电容器功率集成电路

[实用新型]一种电容器及功率集成电路-CN201320636913.3有效
发明人：李照华;赵春波;林道明;戴文芳;陈艳霞 -专利权人：深圳市明微电子股份有限公司
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：该电容器下极板与场效应晶体管漏极共用有源区，该电容器的下极板与场效应晶体管漏极电连接，且该电容器的下极板为包含漏极的部分阱区，该电容器的上极板是包含场效应晶体管漏极的部分阱区对应的顶层金属，其中场效应管漏极采用“E”型布局，具体的，作为上极板的顶层金属分布在场效应管漏极“E”型布局的封口端，从而将电容集成到场效应晶体管中而没有增加场效应晶体管的体积，若将集成了电容的场效应晶体管应用到功率集成电路，则可减小集成有电容的现有功率集成电路的体积及降低生产成本
一种电容器功率集成电路

[发明专利]超陡平均亚阈摆幅纳米线隧穿场效应晶体管及制备方法-CN201510131442.4有效
发明人：黄如;吴春蕾;黄芊芊;樊捷闻;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种超陡平均亚阈摆幅纳米线隧穿场效应晶体管及制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该隧穿场效应晶体管采用具有芯‑多层壳的纳米线结构，该结构中的多壳层部分的材料禁带宽度沿纳米线半径方向连续增大。本发明可以有效抑制器件转移特性中亚阈斜率退化现象，同时显著降低隧穿场效应晶体管的平均亚阈斜率，并保持了较陡直的最小亚阈斜率。
平均亚阈摆幅纳米线隧穿场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种对负载或输出进行限流保护的装置-CN201310249870.8有效
发明人：余兆安;姚志宏;霍宗亮;龙世兵;谢常青;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种对负载或输出进行限流保护的装置，该装置包括电源模块、限流电路、复位电路和负载，该限流电路包括场效应晶体管、电感、第零至第三电阻，其中场效应晶体管、电感、第零电阻与负载串联连接，且第零至第三电阻与场效应晶体管构成反馈网络，当电流超过设定的电流阈值时，第零电阻的电阻值将瞬时由低阻值变为高阻值，并且，由于第零电阻的阻值变为高阻值，第零至第三电阻与场效应晶体管构成的反馈网络将把场效应晶体管的栅极电压设置到限流的电位，进而能够快速有效的实现限流
一种负载输出进行限流保护装置

[发明专利]在栅极传感表面上使用相同场效应晶体管检测生物分子的方法-CN200710093681.0无效
发明人：柳圭泰;李圭祥;沈储暎;郑洹锡;赵莲子 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-04-02 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：提供一种使用场效应晶体管检测靶生物分子的存在或生物分子浓度的方法。该方法包括：将具有第一靶生物分子的第一样品提供到场效应晶体管的传感表面并测量场效应晶体管的第一电信号变化；将第二样品提供到同一场效应晶体管的传感表面并测量场效应晶体管的第二电信号变化；以及比较第一电信号和第二电信号，其中场效应晶体管包括：由半导体材料组成的基底；在基底上分开形成并被掺杂具有与基底相反的极性的源极区域和漏极区域；布置在源极区域和漏极区域之间的通道区域；布置在通道区域上并具有由电绝缘材料组成的传感表面的绝缘层
栅极传感表面上使用相同场效应晶体管检测生物分子方法

[发明专利]连接到场效应晶体管的流体致动器-CN201880097967.2有效
发明人： E·马丁;J·R·普日拜拉;R·西西利 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2018-09-24 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：流体模具包括场效应晶体管阵列。连接构件电气连接场效应晶体管阵列的至少一些场效应晶体管，并且该阵列的场效应晶体管被布置成相应的场效应晶体管组。流体模具还包括第一流体致动器，该第一流体致动器连接到具有第一数量的场效应晶体管的第一组场效应晶体管。模具包括连接到第二组相应场效应晶体管的第二流体致动器，该第二组相应场效应晶体管具有不同于第一数量的场效应晶体管的第二数量的场效应晶体管。
连接到场效应晶体管流体致动器

[发明专利]薄膜场效应晶体管阵列结构及显示装置-CN201811422622.8在审
发明人：范亚东;张轩;徐志江;高紫龙 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供了一种薄膜场效应晶体管阵列结构，包括多排并列分布的场效应晶体管。多排并列分布的场效应晶体管具有交替间隔设置的第一排场效应晶体管和第二排场效应晶体管。第一排场效应晶体管包括多个第一场效应晶体管。多个第一场效应晶体管的栅极依次通过第一金属线串联连接。第二排场效应晶体管包括多个第二场效应晶体管。多个第二场效应晶体管为一体结构。第一金属线在第二排场效应晶体管的正投影与第二排场效应晶体管部分重叠，且第一金属线与第二排场效应晶体管绝缘设置。本申请能够减少基板中布线所占用空间，达到提高产品开口率的效果。
薄膜场效应晶体管阵列结构显示装置

[发明专利]一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路-CN201510792290.2有效
发明人：唐明华;陈毅华;燕少安;张万里 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本发明公开了一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路，包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管；第一、第二、第五场效应晶体管各自的栅极分别相连，第一、第三、第五场效应晶体管各自的漏极分别相连，第一场效应晶体管的源极与第二场效应晶体管的漏极相连，第二、第四场效应晶体管各自的源极分别与电源相连，第四、第五、第六场效应晶体管各自的栅极分别相连，第四、第六场效应晶体管各自的漏极与第三场效应晶体管的栅极相连，第五、第六、第三场效应晶体管各自的源极都接地。
一种沟道场效应晶体管粒子效应加固电路

[发明专利]场效应晶体管控制电路及电子设备-CN202211731081.3在审
发明人：刘辉;刘晓渝;陈涛 -专利权人：深圳市芯波微电子有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请涉及一种场效应晶体管控制电路及电子设备，设置有与第一场效应晶体管匹配的第二场效应晶体管，通过放大电路连接到第二场效应晶体管，采集第二场效应晶体管运行时的电流并经过电流镜电路传输到背栅电压调节电路。最终，背栅电压调节电路结合所检测到流经第二场效应晶体管的电流，调整第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的背栅电压，进而实现第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的带宽调节，使得第一场效应晶体管和第二场效应晶体管以足够高的带宽运行，提高场效应晶体管的工作可靠性。
场效应晶体管控制电路电子设备

[发明专利]权重单元以及存储器装置-CN202010091338.8在审
发明人：莱恩·M·海雀;提塔许·瑞许特;乔治·凯特尔;雷维基·森古普塔;达尔门达·帕勒;洪俊顾 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：权重单元包含：第一场效应晶体管和连接到第一场效应晶体管的漏极的第一电阻式存储器元件；第二场效应晶体管和连接到第二场效应晶体管的漏极的第二电阻式存储器元件，第一场效应晶体管的漏极连接到第二场效应晶体管的栅极，且第二场效应晶体管的漏极连接到第一场效应晶体管的栅极；第三场效应晶体管和连接到第三场效应晶体管的漏极的第三电阻式存储器元件；以及第四场效应晶体管和连接到第四场效应晶体管的漏极的第四电阻式存储器元件，第三场效应晶体管的漏极连接到第四场效应晶体管的栅极，且第四场效应晶体管的漏极连接到第三场效应晶体管的栅极。
权重单元以及存储器装置

[发明专利]一种场效应晶体管对管测试装置和方法-CN202011037415.8在审
发明人：周琨荔;屈继峰;韩琪娜;施杨;徐金阳;杨剑 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请提供一种场效应晶体管对管测试装置和方法，该装置包括：场效应晶体管对管选择电路，与场效应晶体管对管连接；检测电路，与场效应晶体管对管选择电路连接；控制器，分别与场效应晶体管对管选择电路和检测电路连接，用于控制场效应晶体管对管选择电路与场效应晶体管对管其中一个场效应晶体管导通，还用于控制检测电路对导通的场效应晶体管进行检测。采用本申请提供的测试装置进行场效应晶体管对管参数测试，使得场效应晶体管对管中两个场效应晶体管的测试条件相同，避免了因测试条件不同引起的偏差，提高了测试的准确性。同时，用户只需要预先设置好测试条件，便可以全自动地对场效应晶体管对管进行参数测试，有效提高了测试速度。
一种场效应晶体管测试装置方法

[实用新型]一种场效应晶体管对管测试装置-CN202022162161.4有效
发明人：周琨荔;屈继峰;韩琪娜;施杨;徐金阳;杨剑 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请提供一种场效应晶体管对管测试装置，该装置包括：场效应晶体管对管选择电路，与场效应晶体管对管连接；检测电路，与场效应晶体管对管选择电路连接；控制器，分别与场效应晶体管对管选择电路和检测电路连接，用于控制场效应晶体管对管选择电路与场效应晶体管对管其中一个场效应晶体管导通，还用于控制检测电路对导通的场效应晶体管进行检测。采用本申请提供的测试装置进行场效应晶体管对管参数测试，使得场效应晶体管对管中两个场效应晶体管的测试条件相同，避免了因测试条件不同引起的偏差，提高了测试的准确性。同时，用户只需要预先设置好测试条件，便可以全自动地对场效应晶体管对管进行参数测试，有效提高了测试速度。
一种场效应晶体管测试装置

[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及制备方法-CN201510173189.9有效
发明人：黄如;吴春蕾;黄芊芊;王佳鑫;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种隧穿场效应晶体管及制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该隧穿场效应晶体管的隧穿源区及沟道区沿器件垂直方向为异质结构，其中上层采用具有较宽禁带宽度半导体材料，中间层为具有较窄禁带宽度半导体材料，下层为较宽禁带宽度半导体衬底。与现有技术相比，本发明可以有效抑制器件转移特性中亚阈斜率退化现象，同时显著降低隧穿场效应晶体管的平均亚阈斜率，并保持了较陡直的最小亚阈斜率。
隧穿场效应晶体管宽禁带宽度半导体亚阈制备半导体材料超大规模集成电路中场效应晶体管逻辑器件器件转移退化现象异质结构有效抑制沟道区中间层衬底禁带隧穿下层源区上层

[发明专利]一种有机发光显示装置及其制造方法-CN201610795991.6有效
发明人：石龙强 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：有机发光显示装置包括开关薄膜场效应晶体管、驱动薄膜场效应晶体管以及分别与开关薄膜场效应晶体管和驱动薄膜场效应晶体管连接的存储电容。开关薄膜场效应晶体管具有用于降低该开关薄膜场效应晶体管的转移特性曲线的亚阈值摆幅的第一有源层。驱动薄膜场效应晶体管具有用于增加该驱动薄膜场效应晶体管的转移特性曲线的亚阈值摆幅的第二有源层。本发明能够同时实现开关薄膜场效应晶体管的快速开闭，以及驱动薄膜场效应晶体管对OLED灰阶的缓慢调试。
一种有机发光显示装置及其制造方法

[发明专利]基于FET的核酸探测传感器-CN200580028101.9无效
发明人：大内真一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-10-14 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：一种核酸探测传感器包括场效应晶体管、基于场效应晶体管的阈值电压的变化程度从样品中探测具有序列的目标核酸分子的探测器，以及与目标核酸分子的对应一个杂交的并固定在场效应晶体管的栅上的至少一个核酸探针分子，其中场效应晶体管的栅宽度具有由下面给出的表达式所获得的长度的量级，其中ε₀是真空的介电常数，ε_r是沟道区的相对介电常数，k_B是玻尔兹曼常数，T是沟道区的绝对温度，e是元电荷，并且n是场效应晶体管中形成沟道的沟道区中的平衡载流子密度
基于 fet 核酸探测传感器

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