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[发明专利]一种GOA驱动单元及驱动电路-CN201610793464.1在审
发明人：曾勉 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种GOA驱动单元及驱动电路，该GOA驱动单元包括第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第三下拉晶体管和第四下拉晶体管，以及用于维持所述第一下拉晶体管和第三下拉晶体管栅极低电压的第五下拉晶体管和用于维持所述第二下拉晶体管和第四下拉晶体管栅极低电压的第六下拉晶体管；其中，第五下拉晶体管的漏极与所述第一下拉晶体管和第三下拉晶体管的栅极耦接，第六下拉晶体管的漏极与所述第二下拉晶体管和第四下拉晶体管的栅极耦接，所述第五下拉晶体管和第六下拉晶体管的栅极共同耦接于所述上拉单元的控制信号输入端；各下拉晶体管的源极均耦接于第一下拉电压。
一种 goa 驱动单元电路

[发明专利]用于减小芯片面积的半导体器件结构及其制备方法-CN200710307073.5无效
发明人：李勇勤 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过改变上拉晶体管和下列晶体管的连接结构来减小芯片面积的用于制备半导体器件的方法。该半导体器件可以包括含第一下拉晶体管、第一上拉晶体管、第二上拉晶体管和第二下拉晶体管的上拉和下拉晶体管，顺序串联布置的该第一下拉晶体管、第一上拉晶体管、第二上拉晶体管和第二下拉晶体管在SRAM上形成，以及在该各个上拉晶体管和下拉晶体管之上形成的线式触点和金属线路为了将包含第一下拉晶体管和第一上拉晶体管的反相器连接到相对反相器，通过金属线路将在第一下拉晶体管和第一上拉晶体管之上形成的线式触点彼此连接，而为了将包含第二上拉晶体管和第二下拉晶体管的反相器连接到相对反相器，通过金属线路将在第二上拉晶体管和第二下拉晶体管之上形成的线式触点彼此连接。
用于减小芯片面积半导体器件结构及其制备方法

[发明专利]包括故障安全下拉电路的功率器件和电子开关器件-CN202010424950.2在审
发明人：肯尼斯·金·梁;托马斯·费里安茨 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：提供了一种功率器件和电子开关器件以在功率晶体管的栅极未被有效(接通)控制信号驱动时将常关氮化镓(GaN)功率晶体管(诸如栅极注入晶体管(GIT))可靠地保持在非导通状态。这是通过在功率晶体管的栅极与源极之间耦接常通下拉晶体管来实现的，使得当未将功率晶体管设定为其导通状态时，下拉晶体管将栅极短路至源极。下拉晶体管优选地与功率晶体管位于同一半导体管芯上，并且非常靠近功率晶体管，以避免在功率晶体管栅极处的会无意地接通功率晶体管的寄生噪声。下拉控制电路耦接至下拉晶体管的栅极，并且在功率晶体管被设定为导通时自主关断该下拉晶体管。
包括故障安全下拉电路功率器件电子开关

[发明专利]一种移位寄存器及薄膜晶体管液晶显示器-CN201210350350.1有效
发明人：李峻;夏志强;汪锐 -专利权人：上海中航光电子有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供一种移位寄存器及薄膜晶体管液晶显示器，所述移位寄存器包括多级由九个晶体管和一个电容组成的移位寄存电路，所述移位寄存电路包括信号输出模块的上拉晶体管、第一下拉晶体管、第二下拉晶体，第三下拉晶体管、开关晶体管，第一电容，复位晶体管，和辅助下拉模块的第一辅助下拉晶体管、第二辅助下拉晶体管和并联连接的第三辅助下拉晶体管和第二电容。第二电容作为缓冲器件，能够过滤输出信号中多余的毛刺信号，减少了信号串扰，同时由于第一下拉晶体管和第二下拉晶体管各自在半个下拉周期工作，也抑制了因晶体管宽长比过大的阈值电压的漂移，进而保证了电路的稳定性。通过设置辅助下拉模块，能够使第二节点的输出波形更加稳定。
一种移位寄存器薄膜晶体管液晶显示器

[发明专利]用于三态内容可寻址存储器(TCAM)的静态NAND单元-CN201380068595.8有效
发明人： E·特泽格鲁;N·德塞;R·瓦蒂孔达;C·郑;S·S·尹 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：键单元耦合到第一下拉晶体管和第一上拉晶体管。掩码单元耦合到第二下拉晶体管和第二上拉晶体管。第一下拉晶体管和第二下拉晶体管并联连接，而第一上拉晶体管和第二上拉晶体管串联连接。匹配线输出也耦合到第一下拉晶体管和第二下拉晶体管并且进一步耦合到第一上拉晶体管和第二上拉晶体管。
用于三态内容寻址存储器 tcam 静态 nand 单元

[发明专利]动态触发式静电放电单元-CN201680090454.X有效
发明人：安东尼奥·加莱拉诺;戴显治 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种静电放电ESD保护电路(110)包含有源分流晶体管(125)、第一下拉晶体管(204)及第二下拉晶体管(206)。所述有源分流晶体管(125)耦合在第一I/O垫(52a)与参考电压之间。所述第一下拉晶体管(204)连接到所述参考电压。所述第二下拉晶体管(206)连接到所述第一下拉晶体管(204)及所述第一I/O垫(52a)。所述第一下拉晶体管(204)及所述第二下拉晶体管(206)处于隔离深n阱(220)的分离隔离槽中。
动态触发静电放电单元

[发明专利]一种低功耗输出缓冲器电路-CN202010380201.4在审
发明人：王千;余天宇;孙磊 -专利权人：北京中电华大电子设计有限责任公司
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H03K19/018 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功耗的输出缓冲器电路，包括上拉控制单元，上拉输出晶体管，下拉控制单元，下拉输出晶体管。其中，上拉控制单元用来产生上拉输出晶体管的控制信号，在控制信号为低时，控制上拉输出晶体管开启，缓冲电路输出为高；下拉控制单元用来产生下拉输出晶体管的控制信号，在控制信号为高时，控制下拉输出晶体管开启，缓冲电路输出为低本发明所述的输出缓冲器电路，当输入发生变化，缓冲器电路输出电平将要发生翻转时，控制下拉晶体管先于上拉晶体管开启之前关闭，或者控制上拉晶体管先于下拉晶体管开启之前关闭，避免缓冲电路输出状态改变时上拉晶体管、下拉晶体管同时切换开关状态造成的瞬间漏电现象，从而降低输出缓冲器的动态功耗。
一种功耗输出缓冲器电路

[发明专利]静态随机存取存储器-CN201810715448.X有效
发明人：吕绍维;张浩;李坤锡;罗国鸿;徐康禹;胡耀中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括写入端口，该写入端口包括第一反相器和与第一反相器交叉连接的第二反相器，第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，并且第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管；以及读取端口，包括串联连接的读取传输门晶体管和读取下拉晶体管。掺杂在第二下拉晶体管和读取下拉晶体管的沟道区域中的杂质的第一掺杂浓度大于掺杂在第一下拉晶体管的沟道区域中的杂质的第二掺杂浓度，或杂质掺杂在第二下拉晶体管和读取下拉晶体管的沟道区域中，而没有掺杂在第一下拉晶体管的沟道区域中
静态随机存取存储器

[发明专利]一种移位寄存器及薄膜晶体管液晶显示器-CN201210352980.2有效
发明人：李峻;夏志强 -专利权人：上海中航光电子有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明提供一种移位寄存器及薄膜晶体管液晶显示器，所述移位寄存器包括多级由八个晶体管和两个电容组成的移位寄存电路，所述移位寄存电路包括信号输出模块的上拉晶体管、第一下拉晶体管和第二下拉晶体，开关晶体管，第一电容，复位晶体管，和辅助下拉模块的第一辅助下拉晶体管、第二辅助下拉晶体管和并联连接的第三辅助下拉晶体管和第二电容。第二电容作为缓冲器件，能够过滤输出信号中多余的毛刺信号，减少了信号串扰，同时由于第一下拉晶体管和第二下拉晶体管各自在半个下拉周期工作，也抑制了因晶体管宽长比过大的阈值电压的漂移，进而保证了电路的稳定性。通过设置辅助下拉模块，能够使第二节点的输出波形更加稳定。
一种移位寄存器薄膜晶体管液晶显示器

[发明专利]低功率、宽范围、高容噪电平移位器-CN201911145267.9在审
发明人：张旭 -专利权人：恩智浦美国有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：提供了一种电平移位器的实施例，电平移位器包括：电流镜，包括参考电流晶体管和镜像电流晶体管；下拉网络，包括第一下拉晶体管和第二下拉晶体管，其中所述第一下拉晶体管和所述第二下拉晶体管分别与所述参考电流晶体管和所述镜像电流晶体管串联连接；上拉晶体管，连接到位于所述镜像电流晶体管与所述第二下拉晶体管之间的中间节点；转变控制晶体管，连接到所述参考电流晶体管的栅电极；截止晶体管，连接在所述第一下拉晶体管与公共负电源电压之间；以及第一反相器和第二反相器，连接到所述中间节点，其中控制节点位于所述第一反相器与所述第二反相器之间，并且所述上拉晶体管、所述转变控制晶体管和所述截止晶体管的栅电极连接到所述控制节点。
功率范围高容噪电平移位

[发明专利]功率器件驱动电路-CN202110769986.9在审
发明人：陆玮;陈劲泉 -专利权人：瓴芯电子科技（无锡）有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请提供了一种功率器件驱动电路，上拉和/或下拉单元，配置为向功率器件提供上拉或下拉信号，其中每个所述上拉单元和/或下拉单元分别包括多个型号相同的上拉晶体管或型号相同的下拉晶体管；被测单元，其包括被测晶体管，所述被测晶体管与所述上拉晶体管或下拉晶体管型号相同，并与导通的上拉晶体管和/或下拉晶体管接收相同的偏置；测量单元，耦合到所述被测单元，配置为检测被测晶体管的属性，并与预设的阈值进行比较；以及调控单元，耦合到所述测量单元以及所述上拉或下拉单元，配置为基于所述测量单元输出的结果控制所述上拉和/或下拉晶体管的导通数量。
功率器件驱动电路

[发明专利]一种SRAM存储单元、SRAM存储器及其控制方法-CN201410228075.5有效
发明人：王楠;王媛;李煜;王颖倩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明提供一种SRAM存储单元、SRAM存储器及其控制方法，所述存储单元包括：第一上拉晶体管和第一级联下拉晶体管，所述第一上拉晶体管与第一级联下拉晶体管的栅极连接在一起构成第一反相器，其中所述第一级联下拉晶体管由第一下拉晶体管和第三下拉晶体管级联构成；第二上拉晶体管和第二级联下拉晶体管，所述第二上拉晶体管与第二级联下拉晶体管的栅极连接在一起构成第二反相器，其中所述第二级联下拉晶体管由第二下拉晶体管和第四下拉晶体管级联构成；所述第一反相器与所述第二反相器交叉耦合
一种 sram 存储单元存储器及其控制方法

[发明专利]一种SRAM存储单元、SRAM存储器及其控制方法-CN201410231080.1有效
发明人：王颖倩;王楠;李煜;王媛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明提供一种SRAM存储单元、SRAM存储器及其控制方法，所述存储单元包括：第一上拉晶体管和第一并联下拉晶体管，所述第一上拉晶体管与所述第一并联下拉晶体管连接在一起构成第一反相器，其中所述第一并联下拉晶体管由第一下拉晶体管和第二下拉晶体管并联构成；第二上拉晶体管和第二并联下拉晶体管，所述第二上拉晶体管与所述第二并联下拉晶体管连接在一起构成第二反相器，其中所述第二并联下拉晶体管由第三下拉晶体管和第四下拉晶体管并联构成；所述第一反相器与所述第二反相器交叉耦合
一种 sram 存储单元存储器及其控制方法

[发明专利]静态存储单元、阵列及器件-CN201810577974.4在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明提供了一种静态存储单元、阵列及器件，所述上拉晶体管组中具有呈对角线排布的两个上拉晶体管，所述下拉晶体管组位于所述上拉晶体管组的两侧，所述传输门晶体管组位于所述下拉晶体管组的外侧，所述下拉晶体管中的多个下拉晶体管的栅极呈一列排布，所述传输门晶体管组中的多个传输门晶体管的栅极呈一列排布，可以方便的区分所述下拉晶体管及所述传输门晶体管，实现单独选中并操作所述传输门晶体管，以对所述传输门晶体管的源极、漏极或者栅极进行特殊的操作(例如离子注入
传输门晶体管下拉晶体管上拉晶体管排布静态存储单元读写对角线漏极源极离子选中

[发明专利]包含阈值电压经补偿感测放大器的设备和用于补偿所述设备的方法-CN202110160877.7在审
发明人：李奎锡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：实例设备包含耦合到第一电源节点的第一和第二上拉晶体管，以及耦合到第二电源节点的第一和第二下拉晶体管。第一隔离晶体管耦合到所述第二下拉晶体管的栅极并且耦合到所述第一上拉晶体管和第一下拉晶体管也耦合到的第一感测节点。第二隔离晶体管耦合到所述第一下拉晶体管的栅极并且耦合到所述第二上拉晶体管和第二下拉晶体管也耦合到的第二感测节点。均衡晶体管耦合到所述第一和第二下拉晶体管的栅极，且预充电晶体管耦合到所述第二电源节点并且耦合到所述第一或第二下拉晶体管的所述栅极。
包含阈值电压补偿放大器设备用于方法

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