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[发明专利]一种部分编程的方法和装置-CN201910399724.0有效
发明人：张晓伟;潘荣华 -专利权人：兆易创新科技集团股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种部分编程的方法和装置。所述方法包括：接收第一次部分编程操作指令，对对应于第一次部分编程操作指令的存储单元执行第一次编程验证操作，若第一次编程验证通过的存储单元的数量达到目标数量，则记录对应第一次编程验证通过时的编程操加压操作的次数，完成第一次部分编程操作指令对应的部分编程操作，接收第二次部分编程操作指令，根据次数，确定目标电压，对对应于第二次部分编程操作指令的存储单元执行第二次部分编程操作指令对应的编程加压操作。本发明减少了第二次部分编程操作所需的编程循环次数，从而整体上减少了对没有被执行编程操作的存储单元的干扰，提高Nand flash存储器的可靠性。
一种部分编程方法装置

[发明专利]一种用于一次编程存储器的简化存储方法-CN201310118671.3有效
发明人：刘庆飞;刘小淮;杨博;刘成玉;简云飞 -专利权人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
申请日： 2013-04-08 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： G11C17/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于一次编程存储器的简化存储方法，对控制使能、地址总线、数据总线输入信号进行多值逻辑转换并且组合逻辑，输出相应的输出使能、编程启动、数据输入、地址选择信号给一次编程存储器，一次编程存储器通过对输入信号的识别实现模式选择，在确定的模式状态下一次编程存储器完成相应的操作。本发明可以提高一次编程存储器的存储速度和存储效率，简化一次编程存储器输入信号的复杂程度，减少一次编程存储器编程过程中串扰现象的发生，避免编程的误操作，提高一次可编程存储器的可靠性，降低了功耗，有利于一次编程存储器的集成和使用
一种用于一次编程存储器简化存储方法

[发明专利]栅氧击穿型一次性可编程单元的读出结构和方法-CN200910152903.0有效
发明人：赵启永;陈焱;何群 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明公开的栅氧击穿型一次性可编程单元的读出结构及方法，包括第一一次性可编程器件、第二一次性可编程器件和误差放大器，第一一次性可编程器件和第二一次性可编程器件分别经过开关器件连接到误差放大器的正负输入端，烧录后，第一一次性可编程器件被击穿，其数据输出端保持电源电压，第二一次性可编程器件为被击穿，其数据输出端悬空，第一一次性可编程器件数据输出端和第二一次性可编程器件数据输出端保持的电荷有明显差异，读取时本发明适合厚栅氧击穿型一次性可编程单元的读出。
击穿一次性可编程单元读出结构方法

[发明专利]对存储器进行编程的方法及存储器-CN202110737525.3在审
发明人：郭晓江;汤强;田野;吴真用;杜智超;姜柯;王瑜 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种对存储器进行编程的方法：以第一编程电压对存储器进行第一次编程；验证第一次编程结果；统计第一次编程失败位数，并以第二编程电压对存储器进行第二次编程，第二编程电压大于第一编程电压；判断第一次编程的失败位数是否小于第一预设值，若否，则验证第二次编程结果；统计第二次编程的失败位数，并判断第二次编程的失败位数是否小于第二预设值，若否，则再次进行编程，直至失败位数小于第二预设值，其中，第二预设值小于第一预设值。本发明将第一预设值设置为较大的容值，根据第一次编程的失败位数是否小于第一预设值而判断编程是否成功，若成功，则不需要再进行第二次编程结果的验证，大大缩短了编程时间，且保证存储器的可靠性。
存储器进行编程方法

[发明专利]一次性可编程锁存器及方法-CN200580032080.8无效
发明人：巴巴克·A·塔贺利;桑吉维·马赫许瓦里 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2005-09-23 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G11C17/00 文献下载
摘要：一次性可编程(OTP)锁存器电路可以包含能够以非易失性形式储存逻辑数值的单个一次性可编程装置，或是只在需要冗余时包含两个一次性可编程装置。一锁存器片段可以根据所述一次性可编程装置所引出的电流以及不是由以所述一次性可编程装置所产生的参考电流之间的比较，来锁存一数据数值。一次性可编程装置可以包含一栅极氧化物反熔丝(GOAF)装置。
一次性可编程锁存器方法

[发明专利]一种电源开关电路和一次性可编程存储器-CN202210112331.9在审
发明人：林典鹏;蔡江铮;布明恩 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种电源开关电路和一次性可编程存储器，涉及电路领域，能够缓解因一次性可编程存储器中的CORE管长时间承受较高的IO电压，影响器件的稳定性，导致误编程的问题。具体方案为：电源开关电路用于在一次性可编程存储器编程时为一次性可编程存储器中的存储单元阵列提供编程电压，电源开关电路包括第一输入接口，第一输入接口用于接收编程控制信号，编程控制信号用于控制一次性可编程存储器是否处于编程模式；其中，在一次性可编程存储器处于编程模式且写入时，电源开关电路的输出端的电平与编程控制信号的电平一致。
一种电源开关电路一次性可编程存储器

[发明专利]一种区块链及区块链防篡改的方法、电子设备、存储介质-CN202210712675.3在审
发明人：马利 -专利权人：广州广电运通金融电子股份有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种区块链及防篡改方法、电子设备、存储介质，区块链包括普通节点与一次可编程存储节点，普通节点连接一次可编程存储节点，一次可编程存储节点包括至少一个一次可编程存储器，每个一次可编程存储器存储一个普通节点的区块数据一种区块链防篡改的方法以下步骤：步骤S1、在区块链共识完成后，将普通节点的账本数据存储于一次可编程存储节点中；步骤S2、获取并比较普通节点的账本数据与一次可编程存储节点的账本数据，当区块链普通节点的账本数据与一次可编程存储节点内存储的对应普通节点的账本数据一致本发明利用一次可编程存储器件的不可篡改的特性，辅助区块链存储，实现区块链不可篡改。
一种区块篡改方法电子设备存储介质

[发明专利]一种对一次可编程存储器芯片进行筛选的方法-CN202010196359.6有效
发明人：孙杰杰;于跃;赵桂林;杨霄垒;曹靓 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明公开一种对一次可编程存储器芯片进行筛选的方法，属于CMOS集成电路技术领域。通过编程器对一次可编程存储器芯片的冗余行进行编程并校验，剔除校验失败的芯片；对一次可编程存储器芯片进行空片检查，剔除检查失败的芯片；通过编程器对一次可编程存储器芯片的冗余列进行编程并校验，剔除校验失败的芯片；再次对一次可编程存储器芯片进行空片检查，剔除检查失败的芯片；对一次可编程存储器芯片进行动态老炼，诱导有潜在缺陷的芯片发生早期失效；进行全片读取校验，剔除发生错误的芯片。
一种一次可编程存储器芯片进行筛选方法

[发明专利]多次可编程半导体存储设备及其多次编程方法-CN200510121637.7有效
发明人：郑钟勋;金奎泓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-12-22 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：一种多次可编程半导体存储设备，包括部件阵列、部件解码器和单元分配电路。部件阵列包括多个可编程部件，其每一个具有多个一次可编程单元。部件解码器基于地址信号生成用来选择部件阵列的可编程部件的部件选择信号。基于从部件阵列所接收的所选可编程部件的先前数据状态以及要被编程到所选可编程部件的现有数据状态来生成奇数编号单元编程信号以及偶数编号单元编程信号，所述奇数编号单元编程信号用来对由部件选择信号所选择的可编程部件的多个一次编程单元的奇数编号的一次可编程单元中的一个进行编程，所述偶数编号单元编程信号用来对多个一次编程单元的偶数编号的一次可编程单元中的一个进行编程。
多次可编程半导体存储设备及其编程方法

[发明专利]集成电路和用于保护集成电路的安全特征的方法-CN201780009877.9有效
发明人： B·佩德森;T·鲁;B·王;A·多世;Y·S·王 -专利权人：阿尔特拉公司
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G06F21/76 文献下载
摘要：一种集成电路包括控制电路、一次性可编程电路和安全特征。所述控制电路响应于所述集成电路的用户对访问所述安全特征的请求而判断所述一次性可编程电路是否被编程。如果所述控制电路确定所述一次性可编程电路已经被编程以指示对所述安全特征的先前访问，那么所述控制电路生成用于向所述集成电路的用户指示所述安全特征先前已经被访问的信号。如果所述控制电路确定所述一次性可编程电路未被编程，那么所述控制电路响应于所述请求而使所述一次性可编程电路被编程。
集成电路用于保护安全特征方法

[发明专利]三状态一次可编程存储器元件-CN200710149390.9有效
发明人：胡永中;张育诚;戴嵩山 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2007-09-12 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种进行编程，试验和调整操作的方法。该方法包括应用编程电路编程一次可编程存储器以探测和读出一次可编程存储器的三个不同状态之一的步骤，用一次可编程存储器的三个状态之一实行调整操作，由此实现对一次可编程存储器元件更高的利用。选择一次可编程的两个导电电路并将其编程为两个不同的操作特性因此而能实现存储和读出一次可编程存储器的三个不同的状态之一。该两个导电电路可以包括两个不同的晶体管，用于编程为具有不同的电流传导特性的线性电阻和非线性电阻。所述编程处理包括施加高电压和不同的编程电流，因此而产生该两个晶体管的不同的工作特性。
状态一次可编程存储器元件

[发明专利]一种一次性可编程存储器及其操作方法-CN202010264644.7在审
发明人：晏颖;金建明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种一次性可编程存储器及其操作方法。上述一次性可编程存储器包括电熔丝结构、反熔丝晶体管以及字选择晶体管，电熔丝结构的一端与反熔丝晶体管的栅端电连接构成一次性可编程存储器的第一端口，电熔丝结构的另一端与反熔丝晶体管的源端电连接并连接至字选择晶体管的漏端，字选择晶体管的栅端和源端分别构成一次性可编程存储器的第二端口和第三端口。本发明还提供了上述一次性可编程存储器的操作方法。根据本发明提供的一次性可编程存储器及其操作方法，能够使得一次性可编程存储器具备一次可修正的能力，从而能够在保持一次性可编程存储器可靠性与安全性的情况下，扩大一次性可编程存储器的使用灵活性。
一种一次性可编程存储器及其操作方法

[发明专利]一种过载检测保护方法、装置、电路及电子设备-CN202111668258.5在审
发明人：高游 -专利权人：联想（北京）有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种一次性可编程存储芯片的过载检测保护方法、装置、电路及电子设备，该方法首先检测电子设备的一次性可编程存储芯片的输出电流，并在输出电流大于第一设定电流的情况下，发出芯片异常预警信息，其中，第一设定电流大于一次性可编程存储芯片的工作电流阈值并且小于一次性可编程存储芯片的熔断电流由此，相对于只能在输出电流超过熔断电流的情况下直接关机的一次性可编程存储芯片，本方案能够在一次性可编程存储芯片的输出电流达到熔断电流之前，有效识别超限的电流异常问题，实现了提前对一次性可编程存储芯片进行预警，以使得应用该一次性可编程存储芯片数据的系统提前做好数据保护等功能。
一种过载检测保护方法装置电路电子设备

[发明专利]一次可编程存储单元、存储器及其操作方法-CN201010264413.2无效
发明人：周鹏;孙清清;吴东平;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于可编程存储器技术领域，具体为一种一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其操作方法。该OTP单元包括上电极和下电极，以及置于所述上电极和下电极之间的、作为存储介质层的氧化石墨烯层。该OTP单元的编程操作方法，是在所述上电极和下电极之间偏置编程电信号，使氧化石墨烯层实现在一定加热条件下转变导电的低阻态。该OTP存储器包括一次可编程存储单元阵列，所述一次可编程存储单元阵列包括按行和列排列的多个以上所述的可编程存储单元。本发明的一次可编程存储单元可以用作一次可编程存储器的存储介质层，实现基于氧化石墨烯层的一次可编程存储器。
一次可编程存储单元存储器及其操作方法

[发明专利]一次编程存储器的多值存储方法-CN200910310009.1无效
发明人：刘明;左青云;龙世兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G11C17/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种一次编程存储器的多值存储方法，属于微电子制造及存储器技术领域。一次编程存储器包括双极型阻变存储器和整流二极管，所述双极型阻变存储器和所述整流二极管之间相串联，对一次编程存储器施加至少两种不同电压值的编程电压或者不同电流强度的编程电流，使所述一次编程存储器从高阻态转变成至少两种不同的低阻态本发明的一次编程存储器的多值存储方法实现了一次编程存储器的多值存储、实现了更高的存储密度以及避免了交叉阵列结构中的误读。
一次编程存储器存储方法

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