[发明专利]半导体二极管激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 90109961.9 | 申请日： | 1990-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1027117C | 公开（公告）日： | 1994-12-21 |
| 发明（设计）人： | 扬·奥普舒尔;H·P·M·M·安布罗修斯 | 申请（专利权）人： | 菲利浦光灯制造公司 |
| 主分类号： | H01S3/085 | 分类号： | H01S3/085;H01S3/19 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,吴秉芬 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明半导体二极管激光器的反射镜区17、19中包括第一覆层1′、辐射导引层2′和第三覆层6。在2′中，利用在其中的装置12形成辐射波导15，而形成有效折射率台阶。位于15增强断面的层1′、2′、6的禁带宽度大于层3。反射镜区中无辐射吸收，劣化减少，激光器的功率高寿命长。装置12通过减小波导两侧导引层2′的厚度或通过搀杂改变层2′的组分形成。折射率台阶足够小时，可使反射镜区17、19的横向模稳定。本发明方法只需使用MOVPE生长技术。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 二极管 激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体二极管激光器，包括一半导体本体(30)，该半导体本体具有第一导电型半导体衬底(10)，半导体衬底(10)上依次配置有至少一第一导电型的第一覆层(1)、一激活辐射发射层3和一第二导电型的第二覆层(4)；半导体衬底(10)和第二覆层(4)在激活区(13′)内设有供流装置(8、11、21)，激活区(13′)是激活层(3)的一部分，位于条形区(13)底下，且其纵向基本上垂直于位于激活区(13′)外的镜面(35，36)，在激活区(13′)中由于在正向方向上具有足够高的电流强度，而产生相干电磁辐射，且在激活区(13′)中，在镜面(35，36)与激活区(13′)之间的中间区(17，19)中配置有辐射波导(15)，辐射波导(15)将激活区(13′)光学耦合到镜面(35，36)上，且出现在位于第三覆层(1′)与第四覆层(6)之间的辐射导引层(2′)中；其特征在于，辐射波导(15)借助配置在辐射导引层(2′)中的装置(12)在横向确定，这样在辐射导引层(2′)中在辐射波导(15)两侧形成有效折射率的台阶，且位于辐射波导(15)的增强断面内的层(1′2′，6)的各部分，它们的禁带宽度都比激活层(3)的大。
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