[其他]光电动势元件及其制备工艺和设备无效
| 申请号： | 86108412 | 申请日： | 1986-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN86108412A | 公开（公告）日： | 1987-07-29 |
| 发明（设计）人： | 广冈政昭;石原俊一;半那纯一;清水勇 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06;H01L31/10;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种改进的具有符合要求的光电转换层的光电动势元件，该光电转换层采用一种能够用来形成沉积膜的物质和一种电子氧化剂在没有等离子体的情况下制备。本发明还涉及了制备该元件的方法和装置。 | ||
| 搜索关键词： | 电动势 元件 及其 制备 工艺 设备 | ||
【主权项】：
1、一种改进的光电动势元件，包括用于光电动势元件的具有导电表面的基底、置于该基底的该导电表面上的光电转换层以及置于该光电转换层上的导电层，该光电转换层是用下述方法形成的，即使(i)能够作为上述要沉积的层的一个组分，但只要其保持在它原有的能态，就不能或几乎不能有助于形成上述层的一种气态物质，和(ii)一种具有用电子学方法使物质(i)氧化的性质的气态物质分别通过各自的气体传送空间进入一个膜形成空间，在该膜形成空间中放置上述基底，同时保持在预定的温度，使物质(i)和(ii)在没有等离子体的情况下在该基底表面上部的空间相互进行化学接触从而产生含有受激先质(precursors)的多种先质，并使这些先质的至少一种形成上述膜。
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- 本公开涉及一种太阳能电池以及太阳能电池组件。该太阳能电池包括硅片，硅片形成为在其正面和背面通过扩散均形成PN结的双面PN结，在硅片的正面和背面上分别覆盖有钝化层，在正面上同时形成有正极和负极，并且在背面上同时形成有正极和负极。通过提供这种太阳能电池以及太阳能电池组件，能够提高太阳能电池功率和组件效率，并且可有效扩展组件封装的各种可能性。
- 背接触太阳能电池和制备方法-202310111624.X
- 陈达明;张倬涵;季雯娴;胡匀匀;柳伟;杨睿;张学玲;杨广涛;陈奕峰 - 天合光能股份有限公司
- 2023-02-10 - 2023-06-23 - H01L31/068
- 本申请提供一种背接触太阳能电池和制备方法。该太阳能电池包括：具有相对正面和背面的硅衬底，硅衬底为第一掺杂类型；以及设置于硅衬底背面的第一发射极、第一隔离区、第二隔离区和第二发射极，第一隔离区和第二隔离区沿第一方向设置于第一发射极和第二发射极之间，第一发射极为第二掺杂类型，第一隔离区和第二发射极为第一掺杂类型，其中，第一方向与硅衬底的厚度方向相交。本申请的太阳能电池和制备方法通过在第一发射极和第二发射极之间设置第一隔离区和第二隔离区解决了太阳能电池反向漏电超标和无法通过热斑测试的问题。
- 薄膜型激光换能器及其制备方法-202211153947.7
- 朱明星;陈素丽;王伟明;李华 - 江苏宜兴德融科技有限公司
- 2022-09-21 - 2023-06-20 - H01L31/0687
- 本公开涉及一种薄膜型激光换能器及其制备方法，所述薄膜型激光换能器包括吸收1064nm波长激光的有源区及金属薄膜衬底，所述有源区包括1个或多个InGaAs子电池，每个InGaAs子电池包括背场层、基区、发射区、窗口层，所述背场层、基区、发射区、窗口层沿远离金属薄膜衬底的方向顺序设置；其中，每个InGaAs子电池的基区材料均为In
- 一种界面修饰层、隧穿结构、键合太阳电池及制备方法-202310162011.9
- 李戈;陆宏波;李欣益;张玮;钱子勍;张书杰 - 上海空间电源研究所
- 2023-02-24 - 2023-06-09 - H01L31/0687
- 本发明公开了一种界面修饰层、隧穿结构、键合太阳电池及制备方法，其中，所述界面修饰层应用于键合太阳电池中，所述界面修饰层生长于隧穿结的n型重掺杂层表面，所述界面修饰层为Si或Se掺杂的Al
- 一种多结太阳能电池及供电设备-202010259516.3
- 吴真龙;李俊承;张策;朱鸿根;郭文辉 - 扬州乾照光电有限公司
- 2020-04-03 - 2023-06-02 - H01L31/0687
- 本发明提供了一种多结太阳能电池及供电设备，包括：底电池；位于底电池上的第一隧穿结；位于第一隧穿结背离底电池一侧的DBR反射层；位于DBR反射层背离底电池一侧的依次叠加的至少一个子电池，至少一个子电池包括自底电池至子电池方向依次叠加的AlGaInP背场层、子电池基区、子电池发射区及子电池窗口层，AlGaInP背场层掺杂有Sb和Zn。本发明提供的AlGaInP背场层掺杂有Sb和Zn，进而能够通过Sb掺杂能够提高AlGaInP背场层的AlGaInP材料生长的无序度，增加AlGaInP材料的带隙，提高载流子的收集效率；同时有效地降低AlGaInP背场层的电阻率而利于聚光应用，提高多结太阳能电池的性能。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
